Монокристалл плавающей зоны

Для бестигельной зонной плавки с помощью электронного луча образец в виде вертикально поставленного стержня соединяют с положительным полюсом высоковольтного источника напряжений и окружают кольцевым катодом, который может перемещаться вдоль образца вверх. Эмиттируемые электроны фокусируются на небольшую зону образца, которая плавится и поддерживается поверхностным натяжением. В этом случае образец вместе с устройством для электронной бомбардировки помещают внутрь плавильной камеры, соединенной с вакуумной системой. Как и в индукционном нагреве, перемещая расплавленную зону несколько раз снизу вверх, можно очистить вещество. Можно выращивать и монокристаллы кремния и др. [c.264]

Монокристаллы тугоплавких соединений выращивают по методу Вернейля. Массоперенос в этом методе осуществляется по механизму зонной перекристаллизации. Исходный материал плавится в кислородно-водородном пламени и в виде мелких капель подпитывает расплавленную зону, из которой растет кристалл. [c.58]

В случае выращивания монокристаллов пз расплава методом Вернейля используют затравки, вырезанные в определенном кристаллографическом направлении п укрепленные на несущем штоке, которые затем вводят в пламя кислородно-водородной горелки. При этом происходит оплавление затравки и образование на ней слоя расплава, удерживаемого силами поверхностного натяжения. Затравка вращается и одновременно медленно опускается, Прп перемещении верхней части затравки из горячей зоны в более холодную происходит кристаллизация жидкой фазы. Сверху из специального бункера непрерывно подается тонконзмельченная гпихта, приготовленная по керамической тех-нологи . В кислородно-водородном пламени шихта плавится и питает расплавленный слой на поверхгюсти затравочного кристалла. Подачу шихты и опускание штока, на котором укреплен затравочный кристалл, подбирают таким образом, чтобы граница между твердой и жидкой фазами оставалась на одном и том же уровне относительно пламени. [c.139]

Некоторые соединения А "В — InP, GaAs, AlSb—обладают большей шириной запрещенной зоны, чем кремний, но плавятся ниже его температуры плавления. А антимонид галлия, имеющий большую ширину запрещенной зоны по сравнению с германием, плавится на 225° ниже германия. Чем ниже температура плавления вещества, тем проще технология очистки и получения монокристаллов. [c.157]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология