Галлий антимонид

В настоящее время резко возрос интерес химиков к определению малых количеств примесей в чистых веществах. Это связано с организацией и развитием атомной промышленности, которой необходимы сверхчистые уран, торий, бериллий, цирконий, ниобий и др. металлы. Еще более чистые вещества потребовались в электронике и электротехнике (германий и кремний, селен и селени-ды, арсенид галлия, антимонид сурьмы, фосфиды индия и галлия). Для изготовления лазеров нужны чистый рубидий и редкоземельные элементы. Новая техника нуждается также в высокочистых хлориде и бромиде кадмия, фторидах лития и кальция, иодиде калия, бромиде и иодиде индия, цезии высокой чистоты, гидриде цезия и др. Стали существенно более чистыми материалы, с которыми работают в промышленности химических реактивов, в черной и цветной металлургии при производстве жаропрочных и химически стойких сплавов и т. д. [c.9]

Галлий арсенит Галлий арсенит Галлий антимонид Галлий хлорид [c.224]

Галлия антимонид -f Лития танталат + — - [c.785]

Величина представительной пробы определяется требуемой точностью анализа она зависит от степени неоднородности материала и его степени измельчения. Однако сведения о том, как распределены микропримеси в чистых веществах, крайне скудны, количественные данные о степени их неоднородности отсутствуют. В то же время известно, что многие процессы получения веществ ос. ч., в частности, кристаллизационные [379, 524], приводят к существенной неоднородности материала. Масс-спектроскопическое исследование образцов арсенида галлия, антимонида индия и металлического титана [875] показало, что при концентрации до 10" ат.% примеси распределяются гомогенно, при меньшем содержании их распределение уже неоднородно. По этой причине расхождение между результатами масс-спектрального (использующего малые навески) и спектрального анализа с предварительным концентрированием примесей составили до порядка величины концентрации. Экспериментально подтверждено неравномерное распределение микропримесей в поликристаллических металлах чистоты выше 99,999 [1024]. В разных частях одного образца содержание примесей может отличаться в 5—10 раз [1230]. Таким образом, погрешности, обусловленные неоднородностью материала, достаточно велики их значимость должна, быть исследована в каждом случае, чтобы разработать обоснованную схему отбора пробы. [c.339]

Так же как антимонид галлия, антимонид индия в твердом состоянии является веществом с преобладающим ковалентным типом связи, в жидком состоянии — металлом с преобладающим металлическим типом связи. Плавление сопровождается повышением плотности и резким увеличением электропровод- [c.109]

Наиболее широко применяют в качестве электропроводящих покрытия с ПАВ или с металлическими и углеродными наполнителями карбонилом никеля, серебром, медью, нержавеющей сталью, арсенидом или фосфатом галлия, антимонидом индия, сажей, графитом, графитированным волокном. Особенно рас-136 [c.136]

ГАЛЛИЯ АНТИМОНИД GaSb, светло-серые крист. t 712 °С не раств. в воде и орг. р-рителях медленно разлаг. кислотами и р-рами щелочей. Получ. сплавлением элементов в вакууме или атм. Нг. Полупроводниковый мате-рр1ал для туннельных диодов, детекторов излучения микроволнового диапазона и др. [c.118]

ГАЛЛИЯ АНТИМОНИД GaSb, светло-серые крист. [c.118]

Галлия антимонид (50) d (0,1), Ag (0,2), Zn (0,5), Со (0,6), Mn (0,7), u (0,8), Bi. r, Pb (1), Ni (2), Al, Mg (10), P (20), a (50). 1. Экстракция основы хлорексом из 8 н. раствора НВг. 2. С (4% Na l) пост. т. 30 сек [105]. [c.379]

Выделение определяемого элемента отгойкой в виде легколетучего соединения дает хорошие результаты и может быть рекомендовано в тех случаях, когда оно возмхшно. При анализе In, Ga, As, Sb, арсенида и фосфида галлия, антимонида и фосфида индия этот способ используется для определения серы отгонка серы производится в виде сероводорода (см. настоящий сборник, стр. 137, 239). Метод удобен тем, что позволяет работать со сравнительно большими навесками, за счет чего повышается -чувствительность определения. [c.131]

Галлия антимонид (50) Сс1 (0,1), Ад (0,2), 2п (0,5), Со (0,6), Мп (0,7), Си (0,8), В1, Сг, РЬ (1), К1 (2), А1, Мд (10), Р (20), Са (50). 1. Экстракция основы хлорексом из 8 и. раствора НВг. 2. С (4% КаС1) пост. т. 30 сек [105]. [c.379]

Антимонид галлия. Антимонид галлия получается сплавлением компонентов в атмосфере аргона или водорода и очищается зонной плавкой (подробно описано в параграфе, посвященном антимониду индия). Методы очистки антимонида галлия разработаны еще недостаточно, мало изучено и поведение примесей при его кристаллофизической очистке. В результате зонной плавки антимонида галлия получается материал, содержащий примеси, природу которых определить не удается. [c.177]

Большие работы ведутся по исследованию интерметаллических соединений (арсенида галлия, антимонида индия идр.), обладающих такими отличительными параметрами, как малые времена жизни носителей и высокие подвижности. [c.173]

Это основная система скольжения для ГЦК-металлов и для важнейших полупроводниковых кристаллов германия, кремния, сфалерита, арсенида, галлия, антимонида индия и др. В ионных кристаллах с ГЦК-структурой типа каменной соли (Na l, LiF, K l, КВг и т. п.) при комнатной температуре скольжение происходит не по этой системе, а по плоскостям 110 в направлениях <С110> с вектором Бюргерса Ь = [c.331]

Современный этап развития полупроводниковой электронной техники характеризуется всевозрастающей степенью микроминиатюризации, переходом от устройств с дискретными элементами к функциональным приборам, расширением рабочего температурного диапазона, освоением все более высоких частот. Используются разнообразные и сложные комбинации физических и физико-химических процессов в твердом теле (электрические, магнитные, оптические, акустические, тепловые, пьезо- и сегнетоэлектрические и др.). Одновременно вовлекается в сферу промышленного применения более широкий круг материалов наряду с традиционными германием и кремнием возрастает роль таких материалов, как ар-сенид и фосфид галлия, антимонид индия, тройные и многокомпонентные соединения и аморфные вещества. [c.151]

Большой интерес в последнее время вызвали сведения о получении новых металлов, которые сохраняются при атмосферном давлении в течение некоторого времени (особенно при низких температурах), хотя они термодинамически устойчивы (в большей своей части) только при высоких давлениях. Эти новые металлы были названы металлическими алмазами [85]. Речь идет об элементах и соединениях, обладающих в среднем четырьмя валентными электронами на один атом и способных при высоких давлениях претерпевать превращение из модификации с алмазной решеткой в более плотную металлическую модификацию с более высоким координационным числом. К числу таких новых металлов относятся металлические фазы всех элементов IV группы, а также нитрид бора, фосфид алюминия, арсенид галлия, антимонид индия и многие другие соединения в своих металлических модификациях— число их, по утверждению Дарнелла и Либби [85], составляет многие тысячи (см. также стр. 96). [c.90]

Химический энциклопедический словарь (1983) -- [ c.118 ]

Большой энциклопедический словарь Химия изд.2 (1998) -- [ c.118 ]

Вредные химические вещества Неорганические соединения элементов 1-4 групп (1988) -- [ c.224 , c.229 ]

Основы общей химии Том 2 (1967) -- [ c.224 ]

Основы общей химии Том 2 Издание 3 (1973) -- [ c.67 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология