Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Методы выращивания тугоплавких монокристаллов

    МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ ТУГОПЛАВКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ [c.85]

    Гл. 5. Методы выращивания тугоплавких монокристаллов [c.86]

    В 1964 г X. С. Багдасаровым был предложен метод выращивания тугоплавких монокристаллов, основанный на перемещении контейнера с исходным веществом и затравочным монокристаллом в горизонтальном направлении [93]. Этот метод принципиально отличается от вышеперечисленных. С его помощью были решены задачи синтеза крупных и особо крупных тугоплавких монокристаллов пластинчатой формы. [c.87]


    Всю совокупность используемых методов выращивания тугоплавких монокристаллов целесообразно разделить на две группы. К первой группе следует отнести методы, в которых используется строго офаниченная зона расплава. Эти методы зачастую называются бестигельными . Ко второй Фуппе следует отнести методы с неофаниченной зоной расплава. При этом для удержания расплава используется, как правило, тигель (контейнер). Такие методы называются тигельными . [c.85]

Рис. 58. Общая схема развития методов выращивания тугоплавких монокристаллов а — базовый метод Вернейля. б — базовый метод Чохральского (производные этого метода способ Киропулоса (7), способ Мусатова (2), способ Степанова (3)) в — базовый метод Бриджмена (производные этого метода способ Стокбаргера (4), способ Шмита и Вечника (5)), г — базовый метод Багдасарова Рис. 58. <a href="/info/57985">Общая схема</a> развития методов выращивания тугоплавких монокристаллов а — <a href="/info/785647">базовый метод</a> Вернейля. б — <a href="/info/785647">базовый метод</a> Чохральского (<a href="/info/692868">производные этого</a> <a href="/info/596913">метода способ</a> Киропулоса (7), способ Мусатова (2), способ Степанова (3)) в — <a href="/info/785647">базовый метод</a> Бриджмена (<a href="/info/692868">производные этого</a> <a href="/info/596913">метода способ</a> Стокбаргера (4), способ <a href="/info/147826">Шмита</a> и Вечника (5)), г — <a href="/info/785647">базовый метод</a> Багдасарова
    Лазерный нагрев позволяет создать принципиально новые методы выращивания тугоплавких монокристаллов. Среди них метод, в котором используется различие в величинах коэффициента поглощения расплава и кристалла. Для реализации этого метода можно предварительно вводить в исходное вещество летучую примесь, которая существенно увеличшает коэффициент поглощения. При расплавлении вещества примесь будет испаряться, уменьшая его коэффициент поглощения. Начнется процесс кристаллизации с образованием монокристалла. Этот способ может оказаться исключительно перспективным в экстремальных условиях, в которых, например, механические перемещения исключены. Наиболее часто такие условия связаны с кристаллизацией при сверхвысоких давлениях. [c.141]


Смотреть главы в:

Высокотемпературная кристаллизация из расплава -> Методы выращивания тугоплавких монокристаллов




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Монокристалл

Монокристаллы, выращивание



© 2025 chem21.info Реклама на сайте