Определение кристаллографических направлений и плоскостей

Определение кристаллографических направлений и плоскостей [c.28]

В случае кристаллических материалов наличие текстуры приводит к тому, что зерна в них ориентированы не хаотично, а располагаются так, что вдоль некоторых внешних направлений или плоскостей располагаются определенные кристаллографические направления или плоскости некоторого количества кристаллов, составляющих поликристалл. [c.318]

Обозначим вектор, соединяющий атомы 1 п 2 через Ь. Этот вектор называется вектором Бюргерса данной дислокации. Ясно, что возможные значения векторов Бюргерса в рассматриваемом теле определяются его кристаллографической структурой и, как правило, соответствуют небольшому числу выделенных направлений в кристалле. Что же касается линии дислокации, то ее расположение в значительной степени произвольно, хотя тоже ограничено набором определенных кристаллографических плоскостей. [c.186]

Индексы анализируемого направления определяют из индексов точек, расположенных на линии ОС с помощью стандартной проекции, соответствующей оси зоны. При этом надо воспользоваться какими-либо общими соображениями о возможных рациональных кристаллографических направлениях для данного физического направления. Однозначное определение кристаллографического направления или плоскости возможно, если известна толщина кристалла и может быть измерена протяженность соответствующих линий или плоскостей в ортогональной проекции на микрофотографии (рис. 20.35). [c.478]

Энергетическое состояние атомов, оседающих на поверхности кристалла, можно наглядно показать с помощью одномерного потенциального поля самого верхнего атомного слоя, которое относится только к определенному кристаллографическому направлению (рис. 13.16). Для построения профиля потенциального поля откладывают потенциальную энергию атома самой верхней плоскости решетки, как функцию расстояния. Соответственно периодической структуре одномерной решетки кристалла получают также периодическое изменение потенциала атомного ряда. [c.317]

Иногда можно наблюдать спиральный рост, при котором ступени настолько высоки, что видны с помощью световой микроскопии (рис. 79). Электролитический рост спиралей наблюдали Стейнберг [79] в 1952 г. при осаждении титана из расплавленных солей и затем Пик [75] в 1955 г. при электроосаждении меди из растворов. В дальнейшем спиральная форма роста наблюдалась и при электроосаждении других металлов. По-видимому, частота зарождения спиралей при прочих одинаковых условиях эксперимента зависит от ориентации плоскостей, на которых происходит осаждение зарождение спиралей наблюдается только на субстратах с плоскостями низшего индекса [73]. Витки спирали, располагающиеся часто прямо и параллельно определенным кристаллографическим направлениям, обычно представляют собой наиболее плотноупакованные ряды атомов. Однако они могут приобретать округлую и неправильную формы. Если использовать прямоугольные импульсы, частота спиралей увеличивается. Часто две спирали, возникающие близко друг к другу, закручиваются вместе, что приводит к более сложным спиральным формам [79]. Могут образоваться также и видимые петли [72] (см. раздел Х1П, 2). [c.335]

При рассмотрении плоскости атомов, скользящей в определенном кристаллографическом направлении по соседней плоскости, можно заметить, что разные части этой плоскости сдвигаются по соседней на разные расстояния. Это происходит потому, что атомы в кристалле связаны друг с другом не жестко, а упруго, так что местные нарушения и тепловые колебания приводят к неравномерному распределению сил по плоскостям скольжения. Линия раздела, отмечающая область, по каждую сторону от которой сдвиг плоскости относительно соседней произошел на разные расстояния, и будет называться дислокацией. Существует два вида дислокаций (не считая промежуточных) краевая и винтовая (рис. 1). Когда дислокации имеют винтовую компоненту при выходе на поверхность, они приводят к возникновению на поверхности ступеней, не исчезающих в процессе роста. Каждая дислокация представляет собой начало ступени. Необходимость в двухмерном зародыше отпадает. [c.16]

Хаус с сотрудниками (1915, 1916, 1919, стр. 102—131) заметили, что кристаллы двойных уранилхлоридов проявляют дихроизм. При пропускании сквозь них пучка белого линейно поляризованного света в соответствующем кристаллографическом направлении они обнаруживают различ<ную окраску, зависящую от угла между плоскостью поляризации и кристаллографической осью. Это означает, что в этих кристаллах определенные электромагнитные колебания (или, на языке квантовой теории, осцилляции виртуального диполя, связанного с определенным электронным переходом) имеют место преимущественно в определенном кристаллографическом направлении. Спектральные полосы поглощения, соответствующие этим колебаниям, становятся наиболее интенсивными в том случае, если электрический вектор падающего света колеблется именно в этом направлении. Напротив, излучение соответствующей полосы флуоресценции будет происходить преимущественно в направлении, перпендикулярном плоскости, в которой имеют место соответствующие осцилляции, а свет флуоресценции будет поляризован в больщей или меньщей степени, в зависимости от направления наблюдения. [c.49]

Съемка неподвижного монокристалла с использованием сплошного спектра рентгеновского излучения проводится для определения ориентировки кристалла, т. е. установления взаимного расположения интересующих кристаллографических направлений относительно внешних осей, одна из которых (г) параллельна направлению первичного пучка, а две другие х и у) расположены в плоскости фотопленки. Кроме того, метод позволяет изучать качество (дефектность) монокристаллов, а также [c.223]

Аксиальная (неограниченная или осевая) текстура является простейшим типом и характеризуется тем, что определенные кристаллографические равноценные направления типа <иьт >, называемые осью текстуры, во всех зернах параллельны некоторому внешнему направлению (оси ориентировки). Таким образом, зерна материала с осевой текстурой занимают в пространстве такие ориентировки, которые получались бы вращением одного кристаллита вокруг оси текстуры. Это встречается в тянутой проволоке, электролитических покрытиях, слитках и т.д. Ориентацию зерен в текстурованном поликристалле можно изобразить с помощью прямой полюсной фигуры (ППФ), т.е. гномостереографической проекции определенного семейства плоскостей НЫ во всех зернах поликристалла на выбранную плоскость образца. На рис. 13.1, а, б, оси текстуры параллельна плоскости проекций, а угол оси текстуры с нормалью к отражающим плоскостям составляет р. [c.319]

Возможно также построение ОПФ, так как при любом способе определения ориентировки зерна в первую очередь находят, какое кристаллографическое направление в кристаллите параллельно нормали к плоскости образца. [c.337]

Если величина отношения 11И для некоторого тела непостоянна, то законны сомнения, может ли удельное сопротивление считаться его характеристикой. Для того чтобы с этим согласиться, достаточно вспомнить об уменьшении величины тока в металлах при их нагреве за счет джоулева тепла. Еще более запутанными являются процессы уменьшения токов, происходящие в электролите при продолжительных изменениях концентрации и под влиянием температуры. В этих очевидных случаях мы будем говорить об изменениях сопротивления, вызванных вторичными воздействиями. Для определения сопротивления нужно выбирать соответствующие короткие интервалы времени. Существенно только то, что для заданного состояния материала отношение напряженности поля к плотности тока является величиной, не зависящей от приложенного напряжения. (Вероятно, можно еще допустить существование зависимости сопротивления от плотности тока, а также разные значения сопротивления для противоположных его направлений. Может оказаться, что плоскость, обнаруживающая зависимость сопротивления от кристаллографических направлений, не будет иметь центра симметрии). [c.155]

Предел текучести зависит от направления разрывающих усилий в кристалле, вызывающих сдвиги в плоскости (110). Сдвиг происходит в определенной кристаллографической плоскости, а потому мы можем ожидать, что он связан не со скалывающим напряжением в этой плоскости, а с разрывающим усилием. На си-мом деле предел текучести зависит от ориентации натяжения. Это показывает рис. 8, где кривая I соответствует направлению [100] для приложенной растягивающей силы, кривая II измерена для направления [110], а кривая III—для [111]. [c.246]

Многие металлы могут осаждаться в виде дендритов из водных растворов или из расплавов их солей. Рост дендрита начинается не сразу после наложения постоянного тока. Вероятность образования дендритов увеличивается с понижением концентрации катионов. Стержень и ветви дендритов параллельны кристаллографическому направлению низшего индекса, поэтому углы между стержнем и ветвями принимают определенные значения. Как стержень, так и ветви дендрита могут лежать в одной плоскости, образуя двухмерные папоротникообразные дендриты. Имеются также различные формы трехмерных дендритов. На рис. 81 показан двухмерный дендрит серебра с вторичными разветвлениями (образованными на первичных), а на рис. 82 приведен трехмерный дендрит кадмия. При пристальном рассмотрении поверхности этих дендритов видно, что она содержит множество слоев пирамидальных форм роста [77, 921. [c.336]

Формулы (7.34 а, б, в) и (7.36 а, б, в) могут служить для количественного определения индексов сопрягающихся кристаллографических направлений и плоскостей при высших формах ориентированной кристаллизации. [c.268]

При медленном растворении на гранях появляются правильные углубления определенной формы, обращенные вершинами в глубь кристалла. Такие углубления, называемые фигурами травления, легко наблюдать под микроскопом. Фигуры травления могут быть одинаковой объемной формы, но в разных проекциях будут выглядеть различно. Установлено, что различным кристаллографическим направлениям или плоскостям соответствуют определенного вида фигуры травления. Механизм образования фигур травления пока еще недостаточно изучен. Возможно, их появление связано с неодинаковой скоростью растворения плоскости кристалла по различным направлениям. [c.290]

При определении ориентировки следует иметь в виду, что проекции интересующих направлений находят по стандартной проекции, т.е. после поворота кристалла (новая плоскость проекций), а проекции координатных осей х, у z остаются в первоначальной плоскости проекции. Поэтому при использовании первых двух способов необходимо с помощью сетки Вульфа совершить обратный поворот на угол т ), т, е. перенести проекции интересующих кристаллографических направлений в первоначальную плоскость проекции. [c.199]

Фигуры травления, которые выявляются на поликристаллических агрегатах реактивом Фри, кажется, не имеют большого отношения к кристаллографическим направлениям, но в некоторых случаях фигуры, выявленные травлением на деформированном материале, тесно связаны с определенными кристаллографическими плоскостями. На плоскостях ромбо-додекаэдра монокристаллов железа, подвергнутых сжатию, травлением выявляются линии, параллельные главной плоскости скольжения они появляются 23 [c.355]

Иногда наблюдаются закономерные сростки кристаллов разнородных веществ эпитаксия). Так, например, если взять каплю водного раствора Ю и испарить ее на свежем изломе слюды КА12[81зАЮю] (0Н)2, то полученные кристаллы иодистого калия будут ориентированы параллельно друг к другу и вполне закономерно по отношению к определенным кристаллографическим направлениям в кристаллах слюды (рис. 59, а). Это объясняется тем, что плоскости срастания будут иметь сходное расположение атомов. Так, в разобранном примере атомы (ионы) калия в структуре Ю в плоскости, перпендикулярной (грань октаэдра), располагаются по гексагональному закону (рис. 59, б). Атомы (ионы) калия в структуре слюды в плоскости, параллельной грани пинакоида, имеют сходное расположение (рис. 59, в). [c.42]

Тонкие кристаллы слюды, каменной соли, гипса или кварца, полученные либо выкалыванием из естественных кристаллов большой величины, либо специально вырезанные, отшлифованные и отполированные вдоль определенных кристаллографических направлений и плоскостей, осторожно изгибаются по цилиндру в специально приготовленных кристаллодержателях, радиус кривизны которых меняется последовательно от 500 до 1000 мм. После этого кристаллодержатель с кристаллом укрепляется в рентгеновском спектрографе и в фокусе прибора наблюдается четкое изображение / iXi,2-дублета какого-либо элемента. Основная серия спектрограммы регистрируется не в фокусе спектрографа, а на различных расстояниях за или перед ним. Очевидно, что вид и структура линий, полученных в таких условиях спектрограмм, должны зависеть от индивидуальных особенностей кристалла и условий его деформации в спектрографе. Это обстоятельство может быть использовано для качественной и количественной оценки процессов, [c.44]

Численное значение коэффициентов, обусловливающих прочность кристаллов, зависит от направления, что ярко проявляется в спайности. Спайностью называется способность М Инералов раскалываться по определенным кристаллографическим направлениям с образованием плоских зеркальных поверхностей, например, при ударе, мнгновенном термическом сжатии или расширении. Плоскости спайности обычно перпендикулярны направлениям наименьшего значения сцепления в кристаллической решетке. В одних случаях они соответствуют плоским сеткам, которые сложены ионами одного знака, даже если эти сетки не находятся на наибольших возможных расстояниях в данной кристаллической решетке (например, сфалерит). В других — плоскости спайности совпадают с направлением наиболее удаленных друг от друга пложих сеток, которые имеют наибольшую ретикулярную плотность (например, алмаз, графит). [c.71]

Сопряжение является регулярным, когда возникает определенное соответствие во взаимной ориентировке кристаллографических направлений, плоскостей или объемов, и нерегулярным, есл,и в сопрягающихся решетках такое соответствие отсутствует. Кроме этого, возможно еще и размерное соответствие при авто-эпитаксаи или в случае незначительного различия параметров, когда в параллельных или эквивалентных кристаллографических направлениях, плоскостях или объемах имеет место одинаковая периодичность в расположении материальных частиц в Узлах обеих решеток. При этом под эквивалентными кристаллографическими элементами (узловыми точками, прямыми, плоскостями, объемами) подразумеваются такие, которые переходят друг в друга при трансляции (сдвиге) или же при определенной операции симметрии относительно общей плоскости, оси или центра сопряжения обеих решеток. Под частицами разумеются атомы, ионы, молекулы илн другие группы (например, ионные комплексы), находящиеся в узлах кристаллической решетки. [c.255]

Хотя не опубликовано подробных данных о степени ориентации волокон из алифатических полиэфиров, рассмотрение рентгенограмм вытянутых волокон [32, 33] показывает, что в этих волокнах, как и в полиэтилене, кристаллы имеют высокую степень ориентации, причем оси цепей молекул отклонены от оси волокна на несколько градусов и степень ориентации в аморфных областях гораздо ниже, чем в кристаллических. В невытянутом (аморфном) поли-этилептерефталате (—ОСНзСНзОСОСвН СО—) двулучепреломление, которое является очень чувствительным методом определения низких степеней ориентации для этого полимера (благодаря его высокому внутреннему двулучепреломлению), показывает, что степень ориентации очень низка [34]. В вытянутых кристаллических волокнах кристаллические области обычно отличаются высокой ориентацией, хотя и не совсем параллельной оси волокна здесь кристаллы проявляют тенденцию к отклонению от оси волокна в определенном кристаллографическом направлении, причем на этот раз плоскость с индексами (230) остается параллельной оси волокна (рис. 56). Если волокна нагреть до 210 в условиях, обеспечивающих свободную [c.253]

Роль нормальной компоненты травления сводится к обеспечению появления с достаточной частотой зародышей моноатом-ной глубины вдоль оси дислокации. Далее эти зародыши расширяются со скоростью Ra, так как величина Rq чрезвычайно быстро убывает с увеличением расстояния от центра дислокации. Поскольку направление перемещения ступеней Rp, параллельно наиболее плотноупакованньш кристаллографическим плоскостям, стенки ямок травления соответствуют формам определенной кристаллографической ориентации, как это обычно и наблюдается. [c.63]

Большинство титановых сплавов ири КР в водных растворах разрушаются транскристаллитным сколом. Примеры таких разруше ний показаны на рис. 83, в и рис. 84 для снлавов o. (Ti—10 А1) и Р(Т1—16 Мп) соответственно. В двухфазных сплавах (а-Ьр) и (р-Ьа) морфология разрушения может видоизменяться, особенно если одна из фаз невосприимчива к КР, как это часто встречается в промышленных сплавах. Эти различия в поверхности изломов показаны на рис. 85 для сплавов Т1—6 Л1—4У и Т1—8 Мп. Фа зы, не восприимчивые к КР, обычно разрушаются вязко и, очевидно, могут служить препятствием для продвижения трещин. Как уже указывалось в предыдущем разделе, растрескивание титановых снлавов путем транскристаллитного скола происходит в определенных кристаллографических плоскостях. Данные рис. 86 [183] суммируют определения плоскости скола для а-сплавов в водных и других средах. Очевидно, что плоскость скола для фазы а находится под углом 14—16 °С по отношению к базисной плоскости, хотя имеется некоторый разброс в действительном индексе этой плоскости. Меньше данных ио определению плоскости скола для р-сплавов. В работе [92] определено, что КР сплава Т]— —13 V—ПСг—ЗА] происходит в направлении 100 . Морфология трещин в сплавах системы Т1—Мп также согласуется с этой плоскостью разрушения. Распространение трещин путем транскристал- [c.376]

По трем рентгенограммам ьращения, полученным для разных кристаллографических направлений, выбранных определенным образом, можно найти три периода идентичности, а следовательно, определить форму и размеры элементарной ячейки. Затем проводится, ин-дицирование рентгенограммы, т. е. определяются миллеровские индексы (кЫ) отражающих плоскостей. Набор полученных таким образом индексов и отсутствие (погасание) некоторых из них позволяет определить пространственную группу кристалла. [c.40]

Общий результат большинства цитируемых работ — очень хорошая ориентация кристаллитов с-осями вдоль направления растяжения, причем кристаллиты достаточно хорошо выстраиваются вдоль оси волокна после прорастания шейки. Степень разориентации в высокоориентированных волокнах и пленках не превышает нескольких градусов. В некоторых полимерах, например, природных целлюлозных волокнах, ПЭТФ, дополнительно определенные кристаллографические плоскости кристаллитов в соседних микрофибриллах могут подстраиваться друг к другу, образуя слоистые структуры. [c.112]

Метод йгп г]) можно использовать и для рентгенографического определения Е и V. Дело в том, что упругие свойства большинства кристаллов анизотропны, т. е. зависят от кристаллографического направления. При рентгенографическом определении остаточных напряжений следует использовать значения Е и именно в направлении нормали к отражающей плоскости. Эти величины можно рассчитать, если известны упругие постоянные материала или их следует определить экспериментально. Для этого отожженный образец из испытуемого материала помещают в специальное приспособление, установленное в камере или на дифрактометре. С помощью приспособления образец подвергают одноосному растяжению или сжатию при трех-четырех заданных значениях напряжений в упругой области. При каждом значении напряжения методом з п2г1з определяют m=(l+v)Oф/ по уравнению (14.9), причем пучок рентгеновских лучей направлен так, чтобы его проекция на образец была параллельна приложенной нагрузке (ф = 0). В связи с тем, что дт/да,р = 1- -у)/Е, а ( еф=о/ 0ф =—vE из выражения (14.9) (при 113=0), можно определить раздельно и V, а значит, и модуль сдвига 0 = Е/2 1- - ) в направлении нормали плоскости Очевидно, что при вычислении значений частных производных дт/да и де1до(р можно учитывать только прирост т и еф=о при увеличении Оф, т. е. знание величины Оо в выражениях (14.2) или (14.10) необязательно. По известным значениям и V в нескольких кристаллографических направлениях (не менее двух для кубического кристалла) можно определить компоненты тензора модуля упругости. [c.346]

Если внешняя среда является монокристаллом и граница раздела соответствует четко определенной кристаллографической плоскости, направления легкого ориентирования образуют дискретное множество. Для ряда случаев это экспериментально показал Гранжан [30]. Например, для г-азоксианизола на грани (001) кристалла каменной соли имеются два преимущественных направления, лежащих в плоскости поверхности, а именно (110) [c.88]

Вопрос о теоретическом вычислении и предсказании реальных взаимных ориентировок в настоящее время чрезвычайно затруднителен. Это связано с тем, что в настоящее время остается нерешенным ряд проблем в области химической связи в кристаллах и механизма роста кристаллов, которые следует учитывать при решении задачи о взаимных ориентировках. Однако задача определения индексов сопрягающи.кся кристаллографических направлений или плоскостей становится сравнительно простои для тех случаев, когда имеет место размерное соответствие сопрягающихся кристаллографических элементов. Тогда сложная физическая проблема ориептированной кристаллизации заменяется чисто геометрической требование ориентационного и размерного соответствий является геометрическим выражением физического критерия минимума свободной энергии. Последний целиком реализуется для кристаллов с одинаковым или близким типом химической связи и при незначительности или полном отсутствии дополнительных эффектов повышения энергии сопряженных кристаллов вследствие заметной деформации (например, выходящей за пределы упругости). [c.262]

Рассмотрим подробнее наиболее полно изученное мартенситное превращение в системе Fe—С, давшее название этому классу превращений. Этот процесс исключительно важен с практической точки зрения, поскольку позволяет существенно повысить твердость стали. Мартенситом называют пересыщенный твердый раствор внедрения углерода в а-железе (тетрагонально искаженная объемноцентрированная кубическая решетка), образующийся при глубокой закалке твердого раствора углерода в у-железе (аустенита см. подразд. 4.5, рис. 4.11 гранецентрированная кубическая решетка). Образование мартенсита наблюдается при охлаждении аустенита ниже некоторой температуры зависящей от содержания в аустените углерода (значение монотонно понижается от 650 °С для безуглеродного y-Fe до 100 °С для сплава с содержанием углерода 1,6 мае. %) и других легирующих элементов. Кристаллы мартенсита образуются внутри исходных кристаллов аустенита в виде тонких пластинок, расположенных относительно друг друга под углами 60° и 120°. Г. В. Курдюмовым установлено, что в кристаллах мартенсита и исходного аустенита совпадают кристаллографические направления [111] и [110], а также плоскости (ПО) и (111) соответственно. Это открытие позволило предложить сдвиговый механизм роста мартенситного кристалла. При росте мартенситного кристалла в аустенитной матрице возникают и накапливаются механические напряжения, приводящие к тому, что после достижения зернами мартенсита определенного размера их рост останавливается, а для продолжения превращения необходимо постоянное увеличение степени переохлаждения аустенита. Поскольку образование мартенсита требует существенно неравновесных условий, при его нагреве переход в аустенит происходит со значительным температурным гистерезисом или наблюдается образование термодинамически равновесной (точнее — ква-зиравновесной по отношению к выделению углерода в виде графита) смеси твердого раствора углерода в a-Fe и карбида железа Fej . [c.209]

Смотреть страницы где упоминается термин Определение кристаллографических направлений и плоскостей: [c.105] [c.219] [c.50] [c.297] [c.250] [c.287] [c.61] [c.19] [c.111] [c.18] [c.347] [c.59] [c.244] [c.112] [c.88] [c.155] [c.244] [c.59]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология