Кадмия теллурид концентрации дефектов

Получить заданные свойства в чистом теллуриде кадмия можно либо проведением процесса кристаллизации при определенных значениях давления паров кадмия, либо путем термообработки кристаллов, выращенных в некоторых произвольных, но постоянных условиях— при некоторой температуре Г и в атмосфере паров кадмия под определенным давлением. Изменение свойств материала в результате термообработки обеспечивается путем диффузии атомов кадмия из паровой фазы в кристалл или из кристалла в паровую фазу (в зависимости от состава кристалла и от величины давления паров кадмия), а поэтому для получения однородных кристаллов необходимо проводить чрезвычайно длительные термообработки. Однако пока нет точных данных о температурной зависимости предельных концентраций дефектов, нельзя утверждать, что кристаллы, полученные при высоких давлениях паров кадмия или теллура, не окажутся пересыщенными при понижении температуры с соответствующим ухудшением параметров. [c.496]

Рис. XVI.28. Концентрация дефектов в чистом теллуриде кадмия (Де Нобель [15]). а — высокотемпературное равновесие (700° С) б — состояние после быстрого охлаждения до г = 0° К (сплошные линии). Пунктирными линиями показаны концентрации

На основании изложенного следует, что значения структурночувствительных свойств чистого теллурида кадмия зависят от условий его приготовления материал может быть как п-, так и р-типа с различными удельными сопротивлениями от 10 п-типа до 1 ом-см / -типа концентрации носителей, генерируемых дефектами, составляют (10 —10 ) см , и во всех случаях материал является компенсированным [У , ][Сс1/] = Яф =f(Г). [c.495]

Проводимость образцов теллурида кадмия п-типа пропорциональна Ры В системе dTe + In наблюдаются две области проводимости п-типа. В одной из них концентрация электронов постоянна и равна концентрации индия (контролируемая электронная проводимость), а в другой, отвечающей более низким давлениям кадмия, концентрация электронов пропорциональна p i-При понижении давления рса внезапно возникает область высокого сопротивления. Ответственные за высокое сопротивление глубокие уровни могут быть обусловлены одним из собственных атомных дефектов (V d или di) или центром, содержаи им примесный донор. Рассчитывая концентрацию [c.478]