Кадмия давления пара компонентов

Как следует из рис. 11.1, при 1000° давление пара сульфида цинка ничтожно, тогда как у теллурида кадмия — -10000 Па (нескольких десятков мм рт. ст.). Фазовые диаграммы бинарных систем халькоген — металл изучены недостаточно наиболее подробные данные имеются лишь для теллуридов кадмия [12] и цинка [13]. Для остальных халькогенидов (кроме сульфида цинка) получены кривые ликвидус [14, гл. 2]. Все халькогениды заметно растворяются в исходных компонентах. Так, растворимость селенида цинка в цинке достигает 0,1% при 1000° и —1,0% в расплаве селена [15]. [c.33]

Из всех металлов, имеющих низкое давление паров, некоторые имеют высокую температуру плавления. Эти металлы и их сплавы могут быть использованы в качестве припоев, но их применение, очевидно, ограничено пайкой изделий из металлов с высокой температурой плавления (табл. 2-18, поз. 1—9), которые не слишком часто используются при изготовлении вакуумноплотных узлов. Металлы, давление паров которых при температуре прогрева вакуумных систем (приблизительно 400 °С) превышает 10 мм рт. ст. (например, цинк, свинец, кадмий, висмут), не могут использоваться в качестве компонентов твердых припоев, предназначенных для получения вакуумноплотных соединений. Таким образом, список металлов, пригодных для этой цели, по существу ограничивается ме,дью, серебром, золотом и никелем. Индий и олово имеют достаточно низкое давление паров, но температуры их плавления слишком низки, чтобы их можно было использовать в прогреваемых системах. [c.54]

Для получения слитков, свойства которых определяются давлением паров чистого кадмия, необходимо, чтобы в каждый момент времени на границе раздела кристалл — расплав устанавливалось равновесие с паровой фазой. Действительно, в большинстве случаев состав расплава не соответствует стехиометрии и при кристаллизации происходит оттеснение избыточного компонента. Для того чтобы равновесие расплав — пар успевало устанавливаться, необходимо, чтобы скорость кристаллизации и высота расплава были малы. Следовательно, целесообразно проводить [c.499]

Из-за высоких температур плавления при получении халькогенидов цинка и кадмия для полупроводниковой техники не пользуются методами зонной перекристаллизации или вытягивания монокристаллов из расплава. Исключение представляет теллурид кадмия, для которого разработан способ зонной перекристаллизации с вариацией давления пара летучей компоненты, позволяющей получить как электронные, так и дырочные образцы вещества [252, 254]. Более обычным методом является получение монокристаллов из газовой фазы [255]. В особенности интересны варианты этого метода, разработанные для сульфида цинка [256] и сульфида кадмия [257, 258]. [c.116]

Элементы второй группы ведут себя в арсениде индия как акцепторы, а шестой — как доноры [6]. Поэтому тип проводимости растворов вблизи арсенида индия обусловлен избытком определенного компонента в нем. Высокая и слабо зависящая от состава концентрация носителей заряда, как следует из работы [3] и наших экспериментов, определяется техникой приготовления раствора, а не предельной растворимостью атомов соответствующего компонента в нем. Элементы, входящие в состав раствора, имеют резко отличные коэффициенты сегрегации, диффузии и давления паров при температуре кристаллизации, что препятствует попарному внедрению их в расплав в виде нейтральных образований. По-видимому, всегда имеется преимущественный уход элемента второй или шестой группы в газообразную фазу, а оставшийся элемент обусловливает высокую концентрацию носителей заряда и тип проводимости раствора. Такими элементами для систем 1—5 являются кадмий и цинк, для системы б — теллур. Это подтверждается тем, что в системе 3 в зависимости от технологии приготовления можно получить кристаллы не только п-, но и р-типа. Выращивая кристаллы под избыточным давлением паров кадмия, авторы работы [3] показали возможность получения образцов р-типа. Монокристаллы сплавов этой системы р-типа получены нами в процессе химических транспортных реакций [7]. Изменение типа проводимости с электронного на дырочный наблюдалось нами в системе 5 при получении кристаллов под избыточным давлением паров цинка. [c.246]

Реакция образования теллурида кадмия из расплавленных компонентов сопровождается выделением столь большого количества тепла, что при большой скорости реакции происходит сильный разогрев материала и соответственно повышается давление паров непрореагировавших компонентов до таких значений, что может произойти разрыв кварцевой ампулы, в которой производится процесс. [c.498]

Неправильный отбор проб может привести к серьезным ошибкам. При отборе и транспортировке пробы возможны улетучивание веществ, имеющих высокое давление паров, биологическое или химическое окисление примесей, агрегация частиц и т. д. При выборе приборов для отбора проб и посуды для их хранения следует учесть возможность взаимодействия примесей воды с материалом посуды (например, выщелачивание компонентов некоторых марок стекол), адсорбции примесей материалом посуды (например, сорбции фосфатов, солей кадмия, меди и других примесей на стенках стеклянных сосудов [4, с. 24] или сорбции углеводородов и пестицидов на стенках посуды из синтетических материалов [5, с. 34]). Для подробного анализа сточной воды обычно достаточно отобрать пробу объемом 2 л. В случае малой концентрации примесей и необходимости их концентрирования может потребоваться больший объем воды. [c.12]

Интервал между значениями этих логарифмов менее I. Поэтому в их твердом растворе кривые давления пара цинка и кадмия в зависимости от мольной доли компонентов (при Т = 682°С = 955°К) имеют иной ход. При хса= 0,001 давление пара кадмия настолько мало, что должен перегоняться чистый цинк, пока при Хсл= 0,09 давления пара 2п и Сс1 не сравняются (Р = 40 мм рт. ст.). А что дает расчет на основе закона Рауля При Т — 955°К Ргп— 44 и = 252 мм рт. ст. Значит при Xzn = 0,9 Р = 0,9-44 = [c.476]

К первому случаю относятся системы, компоненты которых реагируют между собой с очень малым уменьшением свободной энергии, с образованием твердых растворов с высокой упругостью разложения. В такой ситуации возникают два крайних варианта давления пара А и В а) сильно различаются, как, например, в случае сплава меди и цинка и б) мало различаются, как, например, в случае сплава цинка и кадмия. Эти два примера мы рассмотрели, исходя из приложимого в таких условиях закона Рауля (см. VII.9). Мы видели, что сближение величин давления пара цинка и кадмия при образовании твердых растворов настолько велико, что при мольной доле x d = 0,12 оба металла перегоняются одновременно, при других концентрациях они значительно загрязняют друг друга. [c.609]

Для оценки интенсивности испарения отдельных элементов при температуре пайки можно пользоваться значениями упругости их насыщенных паров. Элементы, имеющие при данной температуре наибольшую упругость пара, испаряются в первую очередь. Точных соотношений, связывающих парциальные давления паров металлов с концентрациями сплавов, не установлено. При исследовании процесса испарения в вакууме по аргону сплавов систем свинец — сурьма, цинк — кадмий, свинец — висмут, магний — кадмий обнаружено, что до определенной температуры, называемой критической, имеет место избирательное испарение компонентов сплава, зависящее от их упругости пара. При достижении критической температуры состав конденсата полностью совпадает с составом исходного сплава, т. е. и растворитель, и растворенное вещество испаряются в равной степени. Так, для сплавов системы свинец —сурьма эта температура приблизительно равна 1200° С [17]. Анало- [c.232]

Как указывает Лоренц, линии ликвидуса и трехфазного равновесия системы твердый теллурид кадмия — жидкость — пар достаточно хорошо подчиняются закону Рауля для сплавов, содержащих избыточные компоненты. Пока состав жидкости незначительно отличается от чистых компонентов, кривые давления [c.84]

Для проведения технологических операций нужно иметь подробную диаграмму состояния Р—Т—X. Имеются двумерные диаграммы Т—X и Р—Т, которые представлены на рис. 10.13. и и 10.14. Равновесное давление паров над расплавом в конгруэнтной точке плавления (Гпл= 1098° С) составляет P d = 0,9 ат, Ртв2 = 0,4 ат. При указанных давлениях паров компонентов состав кристалла, соответствующий конгруэнтной точке плавления, по-видимому, не совпадает со стехиометрическим. Как видно из диаграммы Р—Т состава твердого теллурида кадмия, его температура плавления понижается как при увеличении, так и при понижении давления паров кадмия. Однако в области давлений паров кадмия, которые необходимы для управления типом и величиной проводимости чистого dTe, эти изменения температуры плавления составляют всего несколько градусов На этой же диаграмм-е пунктирными линиями обозначены давления паров чистого кадмия и чистого теллура (давления паров теллура пересчитаны по уравнению = onst в соответствующие значения P d). [c.497]

Антимонид галлия. Компоненты антимонида галлия не обладают высоким давлением пара, поэтому его получают, сплавляя Оа и 5Ь в атмосфере водорода или аргона. Для очистки от летучих примесей (цинка, кадмия и т. п.) антимонид после синтеза подвергают вакуумной термообработке при 800° и остаточном давлении 10 мм рт. ст. в течение 2 ч. При этом теряется некоторое количество сурьмы за счет испарения для компенсации при синтезе берут избыток сурьмы примерно 5% против стехиометрии. [c.276]

Нагрев электрической дугой может быть использован при пайке не только средне-и высокоплавкими, но и легкоплавкими припоями. При этом припои не должны содержать компонентов, обладающих высоким давлением пара, таких, как цинк и кадмий, выгорающих и испаряющихся под тепловым действием дуги. [c.236]

Дж/(моль-К) ур-ние температурной зависимости давления пара (в гПа) Igp = 9,685 - 12310,5/7(594 - 1520 К), в парах полностью диссоциирует иа элементы. Полупроводник п-типа. Легко взаимод. с к-тами, поглощает Oj из воздуха, с расплавами щелочей образует соли-кадма-ты. Легко восстанавливается Hj (при 300 °С), СО (выше 350°С), С (выше 500°С). Получают dO сжиганием паров металлич. d, прокаливанием d(OH)2 или d Oj. Материал электродов, компонент катализаторов орг. синтеза, шихты для получения спец. стекол, смазочных материалов. [c.282]

Поступление, распределение и выведение из организма. Поступление И. в организм может иметь место при процессах получения концентрированных растворов И., его цементации, переплавки, рафинирования и электролиза возможно воздействие на организм работающих паров солей И. в производствах, где И. используется в технологии получения металлокерамических изделий (Походзей). Возможно и воздействие растворов сульфата, хлорида и других соединений И. Например, при цементации индиевой губки из растворов солей, извлечении катода из электролита, очистке катода и анода и др., соединения И. могут загрязнять одежду, кожные покровы и слизистые. Загрязнение кожи рук, курение и прием пищи на рабочем месте могут приводить к попаданию этих веществ в пищеварительный тракт. Возможность ингаляционного воздействия соединений И. в условиях производства встречается реже, в основном при операциях получения и обработки солей (хлоридов, сульфатов, нитратов И.) и полупроводниковых сплавов металла (антимонид, арсенид, фосфид И.). Опасность ингаляционного воздействия незначительных примесей И. в составе смешанной пыли, образующейся при процессах пирометаллургического извлечения металла, относительно невелика, в этих случаях большее гигиеническое значение имеют основные компоненты этой пылевой смеси (цинк, свинец, кадмий). Возможность ингаляционного воздействия паров расплавленных металлов не очень значительна благодаря низкому давлению паров И. даже при температурах выше 1000 °С (а плавка его производится при более низких температурах и под слоем флюса). Частой формой возможного [c.234]

Испарение приводит к тому, что в поверхностном слое устанавливается меньшая концентрация легко испаряющегося компонента, чем в объеме сплава. Особенно подвержены испарению такие компоненты сплавов, как марганец, цинк, кадмий, литий, фосфор и др. Зависимость давления насыщенных паров химических элементов от абсолютной температуры показана на рис. 77. Давление [c.229]

Левина [314] опубликовала обзор работ по использованию масс-спектрометра для изучения термодинамики испарения и показала, что этот метод может быть применен для изучения состава паров в равновесных условиях и определения парциальных давлений компонентов, а также термодинамических констант. При повышенных температурах изучались галогенные производные цезия [9], были получены теплоты димеризации 5 хлоридов щелочных металлов [355] исследовались системы бор — сера [458], хлор- и фторпроизводных соединений i и z на графите [53], Н2О и НС1 с NazO и LizO [442], UF4 [10], системы селенидов свинца и теллуридов свинца [398], цианистый натрий [399], селенид висмута, теллурид висмута, теллурид сурьмы [400], окиси молибдена, вольфрама и урана [132], сульфид кальция и сера [105], сера [526], двуокись молибдена [76], цинк и кадмий [334], окись никеля [217], окись лития с парами воды [41], моносульфид урана [85, 86], неодим, празеодим, гадолиний, тербий, диспрозий, гольмий, эрбий и лютеций [511], хлорид бериллия [428], фториды щелочных металлов и гидроокиси из индивидуальных и сложных конденсированных фаз [441], борная кислота с парами воды (352), окись алюминия [152], хлорид двувалентного железа, фторид бериллия и эквимолекулярные смеси фторидов лития и бериллия и хлоридов лития и двува лентного железа [40], осмий и кислород 216], соединения индийфосфор, индий — сурьма, галлий — мышьяк, индий — фосфор — мышьяк, цинк — олово — мышьяк [221]. [c.666]

Давление пара. Селенид кадмия испаряется, как и ч еле-нид цинка, — конгруэнтно [37], но с полной диссоциацией в газовой фазе на компоненты [41]. Испарению dSe отвечает реакция [c.47]

Ферриты, как правило, образованы из труднолетучих оксидов. Исключение составляют оксиды лития, цинка, кадмия, свинца, висмута. При температурах ниже температур плавления фёрритов и образующих их оксидов давлением пара металлических компонентов можно пренебречь, и при изменении равновесных давления и температуры состав твердой фазы будет изменяться только в результате поглощения или выделения кислорода. [c.69]

Зонную плавку используют для удаления атомов примесей из кристаллов простых веществ (германий, кремний, теллур, металлы), а также соединений при условии, что они плавятся без разложения (например, антимонид сурьмы, хлористый натрий [13], тройные соединения [14]). Если соединения разлагаются с выделением летучего компонента, то их все же можно подвергать зонной плавке, если предотвратить разложение, поддерживая во всей системе соответствующее давление пара данного компонента. Для этого слиток помещают в запаянную кварцевую трубку [15]. Соединение начинает диссоциировать, но образующийся при этом пар препятствует дальнейшему течению процесса. Совершенно очевидно, что температура всей трубки должна быть достаточно высоко й, чтобы не происходило конденсации летучего компонента, т. е. выше те мпературы, при которой чистый компонент имеет давление пара, равное тому, которое поддерживается в системе. Указанный метод используется для проведения кристаллизации арсенида галлия, фосфида индия [15], хлористого и бромистого серебра [16]. В более сложной установке используется двухтемпературная печь при этом давление пара летучего компонента регулируется путел нагревания в одном из концов трубки некоторого количества этого компонента до температуры, соответствующей заданному давлению пара (рис. 1.8) [17]. Необходимо принять специальные меры, чтобы поддерживаемая температура чистого компонента была самой низкой температурой системы. Такую методику применяли, например, при кристаллизации сульфида свинца, теллурида кадмия, арсенида галлия [17]. Наконец, для поддер- [c.18]

Как отмечалось в 10.5, при любой температуре сумма парциальных давлений паров компокснтов над твердым кристаллом имеет некоторое минимальное значение. Если проводить термообработку dTe под давлением паров одного из компонентов, превышающим это минимальное давление, то между кристаллом и паровой фазой происходит взаимодействие, которое приводит к изменению состава обеих сосуществующих фаз. Так, при обработке кристалла стехиометрического состава в атмосфере паров кадмия происходят следующие реакции [c.494]

Слцтки, выращиваемые из расплава, обычно состоят из отдельных крупных монокристаллических блоков. Свойства полученных кристаллов проявляют рполне удовлетворительную зависимость от условий очистки исходных компонентов и значения давления паров кадмия, установленного в камере кристаллизации. [c.500]

Рнс. VI.38. Давления пара цинка и кадмия, а также общее давленпе пара для сплавов кадмия с цинком прп 682° С в завпснмостп от молярной доли каждого компонента (Бур-мейстор и Елинек, см. [80]) [c.440]

Здесь применимы методы получения чистого германия и кремния, но в усложненном виде. Чистейшие исходные компоненты должны сочетаться в таком соотношении, чтобы не было избытка одного из них. Особые трудности возникают в тех случаях, когда соединения в условиях синтеза нестабильны или один из компонентов обладает высоким давлением пара. Эти трудности обусловили появление новых приемов очистки и синтеза. Поступающие на синтез индий и сурьму предварительно очищают от летучих примесей — цинка, кадмия и других, чтобы при зонной очистке они не оседали на холодных частях слитка. Индий и сурьму подвергают фракционной дистилляции, а индий, кроме того, очищают электролитически. Пройдя затем зонную очистку, они приобретают чистоту в пять девяток. Точно рассчитанные количества этих препаратов сплавляют в кварцевой запаянной ампуле или лодочке при 525°. Для удаления остатков летучих примесей расплав прогревают в вакууме несколько часов, а затем, снизив нагрев, приступают к зонной очистке антимонида ин- [c.188]

Наиболее трудно отделяемыми компонентами является пара кадмий — цинк. Для разбавленных растворов цинка в кадмии а = = 2,05, для разбавленных растворов кадмия в цинке а = 10,6. Остальные примеси должны сравнительно легко отделяться ректификацией, поскольку их относнтельная летучесть на три иоридка и более превышает коэффициент разделения в системе кадмий — цинк 19]. Интересно отметить, что для примесей Сс1 и РЬ (при очистке цинка) зависимость а. от температуры носит противоположный характер. При снижении температуры коэффициент разделения для кадмия растет, а для примеси свинца падает. Поэтому вакуумная ректификация, протекающая при более низких температурах, не дли всех примесей будет более эффективна, чем ректификация при атмосферном давлении. Однако проведение процесса очистки в вакууме нозволиет легко освободитьси от газов, растворенных в металле, что имеет самостоятельное значение. [c.158]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология