Поверхностные дефекты концентрация

В противопо-ложность точечным дефектам, появление которых в решетке кристалла повышает его энтропию и тем самым снижает его свободную энергию, дислокации и межзеренные границы мало влияют на энтропию кристалла энергия образования этих протяженных дефектов велика, и поэтому они не могут существовать в измеримых концентрациях как термодинамически устойчивые дефекты. Линейные и поверхностные дефекты легка образуются при выращивании монокристаллов и при приложении к ним неоднородных термических и механических воздействий. Поскольку эти дефекты при небольших концентрациях распределены по объему кристалла неравномерно, нарушение свойств кристалла, обусловленное их присутствием, локализовано в небольших объемах, окружающих дислокации или границы. Вблизи дислокаций или межзеренных границ свободная энергия кристалла имеет по сравнению с энергией частей кристалла, удаленных от него, повышенное значение. Следовательно, при взаимодействии кристалла с внешней средой кинетика процессов, протекающих вблизи дефектов на поверхности или в объеме кристалла, будет иной, и однородность свойств кристалла будет нарушена. [c.222]

Кристаллы полимеров, как правило, характеризуются более высокой концентрацией объемных дефектов по сравнению с кристаллами низкомолекулярных веществ. Это обусловлено, во-первых, неизбежными нарушениями регулярности строения самих макромолекул и, во-вторых, дополнительными стерическими затруднениями, возникающими при упаковке длинных цепей. Поверхность полимерных кристаллов также существенно дефектна. Причины возникновения поверхностных дефектов будут рассмотрены ниже. [c.170]

Когда металл подвергается циклическим нагрузкам, в конце концов он разрушается даже в том случае, если развиваемые напряжения значительно ниже предела текучести в нормальных условиях. Разрушение вызывается трещинами, которые образуются в местах концентрации высоких напряжений у надрезов и других поверхностных дефектов и углубляются при повторных Циклах. Разрушение этого вида известно под названием усталостного разрушения. [c.389]

При разрезании монокристалла точность ориентации поверхности редко составляет 0,5°, а чаще отклонение еще больше. Практически поверхность содержит участки с несколько отличающейся ориентацией, в том числе, несомненно, участки с нулевым отклонением от номинальной ориентации. Поэтому можно ожидать, что в процессе очистки ионной бомбардировкой и отжига низкоиндексной грани, полученной разрезанием кристалла, наряду с гранями номинальной ориентации, по-видимому, образуются микрограни с более высоким индексом или в лучшем случае с изменяющейся концентрацией ступенек. Например, исследование фотоэлектрической работы выхода показало, что отдельные грани никеля, приготовленные разрезанием монокристалла с точностью 1° и подвергнутые бомбардировке и отжигу до получения оптимальных картин ДМЭ, содержат плоскости с номинальным индексом в следующих количествах (111)—90%, (100) —95%, (110) —95% [30]. Отсюда следует, что метод ДМЭ не особенно чувствителен для выявления поверхностных дефектов, и это согласуется с выводами, сделанными нри рассмотрении когерентной ширины электронного пучка [31]. [c.127]

При изучении кинетики электродных процессов весьма важно применять очищенные электролиты, равно как и электроды. Типичный монослой на электродной поверхности содержит около 10 молекул-см (при полном заполнении), или 10" моль - см . Иногда даже малое заполнение поверхности существенно влияет на кинетику электродных процессов, блокируя каталитические центры, изменяя электронные свойства поверхности или влияя на осаждение и растворение посредством блокирования выступов и изломов, участвующих в процессах распространения поверхностных дефектов. Ситуация становится критической, если поверхность электрода подвергается действию примесей в течение времени, достаточного для ее заполнения, даже в том случае, когда концентрация примесей в растворе не превышает микромолей. При наличии вынужденной конвекции эти времена измеряются [c.165]

Возрастание ст/ при удалении поверхностных дефектов или уменьшении концентрации вакансий, согласно данным рис. 77, должно понижать температуру перехода пластичный—хрупкий. Если же изменяется относительное содержание неметалла и металла в образце, то картина усложняется. Поскольку одновременно с увеличением Of при приближении к стехиометрическому составу изменяется и КСН (см. рис. 73 и 74), то Тов может не изменяться заметным образом или даже несколько возрастать. Однако экспериментально это не проверено. [c.165]

И поверхностных дефектов тем, что они находятся в тепловом равновесии . Поэтому невозможно получить идеальные кристаллы при нормальной температуре. Даже если бы они были свободны от дислокаций и не имели бы каких-либо поверхностных дефектов, при температуре, отличающейся от 0° К, следовало бы считаться с определенной равновесной концентрацией атомных дефектов. Такой вид неупорядоченности называется поэтому собственной или термической (термодинамической) неупорядоченностью. [c.217]

Объяснение структуры активированных твердых веществ является чрезвычайно многогранной и сложной задачей. В первую очередь необходимо определение величины микроскопических зерен, когерентно рассеивающих зон решетки (величины первичных частиц), концентрации дислокаций и точечных дефектов. На практике невозможно проанализировать активное вещество в отношении его точечных линейных и поверхностных дефектов. Поэтому для характеристики дефектов решетки используют изменение интегральных интенсивностей определенных интерференционных линий 29—428 449 [c.449]

Третья стадия сокристаллизации начинается, когда пересыш ение среды понизится настолько, что концентрация кристаллизанта в среде станет равной растворимости наиболее растворимой частицы [53, 54]. С этого момента уменьшение пересыщения определяется процессом ликвидации объемных и поверхностных дефектов твердой азы, что приводит к снижению растворимости ее частиц. Снижение растворимости без изменения состава среды эквивалентно возраста-дию ее пересыщения, так что старение стимулирует дальнейший рост частиц. При обычных пересыщениях старение кристаллов протекает медленнее их роста, поэтому третья стадия сокристаллизации характеризуется резким замедлением снятия пересыщения и захвата примеси. Ряд процессов, характерных для третьей стадии, можно наблюдать на отдельной частице твердой фазы, другие процессы проявляются только в коллективе частиц. [c.24]

Кислородная реакция протекает через ряд последовательных стадий, и любая из них может определять скорость всего процесса. На каждой из этих стадий на суммарную скорость реакции влияют в общем случае разные и вполне определенные свойства электродного материала, например электронные, такие, как работа выхода электрона или характер -зоны, энергия адсорбции промежуточных частиц реакции, геометрия атомов на поверхности и, возможно, концентрация некоторых поверхностных дефектов. Чтобы можно было проанализировать факторы, влияющие на скорость реакции, [c.345]

При изучении влияния добавок галогенов на дальнейшее поведение альдегидов выяснилось [78], что модифицирование катализатора препятствует их окислению (рис. 2). Полагают, что на поверхности катализатора имеются два типа активных центров, включающих электроны, и положительно заряженные вакансии, на которых избирательно хемосорбируются молеку, 1ы кислорода и олефина. Поверхностные дефекты катализатора влияют на скорость переноса зарядов между взаимодействующими частицами и катализатором, а также на равновесную поверхностную концентрацию заряженных частиц. Продукты мягкого и [c.28]

Таким образом, очевидно, что в рамках изложенной простой модели разупорядоченность поверхности кристаллов можно описывать с помощью того же математического аппарата, что и разупорядоченность объема. При этом существуют те же ограничения в применимости аппарата, что и для объема кристалла. Важнейшим из них является предположение о малости концентраций поверхностных дефектов по сравнению с концентрацией поверхностных кристаллографических узлов. [c.283]

Разумеется, реальная ситуация гораздо сложнее описанной, прежде всего, потому, что числа заполнения узлов на поверхности реального кристалла могут значительно отличаться от нуля или единицы. Это связано с тем, что атомы в поверхностных слоях кристалла связаны друг с другом более слабыми силами, нежели в объеме, хотя бы из-за меньшего числа ближайших соседей. Поэтому образование дефектов кристаллической решетки, например вакансий, на поверхности кристалла требует меньших затрат энергии, чем в объеме, и концентрация поверхностных дефектов при данной температуре должна значительно превышать концентрацию объемных дефектов. [c.283]

Это обстоятельство значительно усложняет задачу и в общем случае требует ее решения на микроскопическом уровне, т. е. с помощью уравнений, в которых неизвестными переменными являются концентрации атомов и поверхностных дефектов. [c.287]

Характерна избирательность процесса в первую очередь разрушается место соединения заусенца с пластинкой и его острая кромка, а поверхность самой пластинки не имеет следов эрозии. На границе заусенец— деталь, как было показано с помощью киносъемки, сосредоточиваются кавитационные пузырьки. В процессе изготовления образцов и деталей на острой кромке на границе заусенец и деталь создаются местные концентрации напряжений, возникают микротрещины и другие поверхностные дефекты, способствующие ускоренному кавитационному разрушению. [c.320]

Возможно, что свежеприготовленная желтая закись никеля не является полупроводником. Наоборот, если закись приготовляется окислением металла при 200—400°, присоединение кислорода в результате миграции положительных дырок приводит к р-проводимости [5]. Нужно заметить, что если пленка СигО окислена до СиО [5], которая не является больше р-полупроводником, то ее адсорбционные свойства по отношению к Ог, СОг и СО очень близки к свойствам №0, описанным в настоящей работе. Однако возможно, что адсорбция, которая ограничивается здесь частью монослоя, происходит за счет преобладания поверхностных дефектов решетки, например типа Шоттки. Их концентрация в окиси может быть значительной в описанных выше условиях приготовления. [c.525]

Вторым вопросом, который возникает при анализе процесса преобразования энергии поля в люминесценцию, является вопрос об источнике разгоняемых полем электронов [29]. Скорее всего роль такого источника играют скопления меди на линейных и поверхностных дефектах кристаллов (см. гл. IV), причем по соседству с ними и возникают области концентрации электрического поля. [c.51]

Для ряда образцов было зафиксировано образование питтингов на поверхностях трения. Характер процессов, протекающих в контакте в динамических условиях, и механизм образования питтингов может быть различным. Как известно, реальная поверхность металла характеризуется повышенной концентрацией дефектов строения - вакансий, дислокаций и т.п. При интенсивном деформировании поверхностных слоев металла при трении дефекты служат концентраторами напряжений и являются очагами зарождения микротрещин. В результате многократного циклического деформирования происходит развитие микротрещин, их смыкание, отслаивание частиц износа и образование пит-тйнгов вследствие контактной или фрикционной усталости металла. Большую роль при этом играет, как указывалось выше, адсорбционное понижение прочности поверхностных слоев металла вследствие эффекта Ребиндера, химическая коррозия, вь1зываемая серосодержащими лрисадками, а также электрохимическая питтинговая коррозия, возникающая в местах скопления поверхностных дефектов в результате пробоя пассивирующей поверхности пленки окисла. О механизме образования питтингов можно было в какой-то степени судить по их виду. Питтинги усталостного происхождения имели неправильную форму, неровные края, от которых могли отходить поверхностные трещины. Такие питтинги наблюдались для эфира 2-этилгексанола и фосфорной кислоты. Серосодержащие присадки ОТП и Б-1 вызывали появление большого количества мелких питтингов, В присутствии хлорсодержащих присадок хлорэф-40 и совол возни- [c.43]

Здесь следует вернуться к высказанному выше утверждению, согласно которому истинно адгезионное разрушение не может происходить, поскольку на субстрате всегда должны остаться частицы клея как минимум в виде мономолекулярного слоя. Хотя это положение вполне допустимо, приведенная выше классификация характера разрушения оправдана. Для практических целей не имеет решающего значения оценка числа молекул клея, оставшихся на субстрате, но адгезионное разрушение означает, что была допущена ошибка при поверхностной обработке субстрата, при нанесении или выборе клея, что привело к возникновению слабого пограничного слоя. Когезионное и смешанное разрушение дает информацию о прочности субстрата, дефектах, концентрации напряжений и т. д. [c.218]

Таким образом, действие среды на процесс разрушения стеклопластика носит двойственный характер. С одной стороны, облегчается разрушение из-за снижения поверхностной энергии при попадании среды в вершину трещины, а с другой.-снижается концентрация напряжений в вершине трещины. При высоких напряжениях, которые достаточны для разрыва химических связей, среда не успевает повлиять на развитие трещины или оказывает влияние только на протяжении начального короткого этапа, и ее роль сводится к тому, что она облегчает развитие поверхностных дефектов, уменьшая разрушающее напряжение, и вступает во взаимодействие с активными участками материала, образовавшимися по месту разрыва химических связей. При этом на вновь образовавшихся поверхностях разрушения химический состав материала изменяется, однако эти изменения пренебрежимо малы. В данном случае разрушение стеклопластика практически определяется действием одного напряжения. [c.159]

Таким образом, поверхность кристалла является сложным объектом. Часть дефектов поверхности может быть заряжена, т. е. на них локализован электрон или дырка. В случае хемосорбированных частиц знак заряда определяется не только свойствами этих частиц, но и положением уровня Ферми на поверхности полупроводника [8, 20]. Суммарный поверхностный заряд определяет многие равновесные поверхностные свойства полупроводников, в том числе работу выхода электронов и поверхностную проводимость. С другой стороны, при отклонении тем или иным способом концентрации носителей заряда в полупроводнике от равновесных значений поверхностные дефекты, наряду с объемными, будут участвовать в процессах релаксации избыточных носителей заряда. [c.21]

В кристаллических и аморфных телах всегда имеются внутренние и внешние дефекты, которые существенно снижают их прочность. В местах, где имеются дефекты структуры или микротрещины, происходит концентрация напряжений и такие места становятся очагами разрушения тела. Этим объясняется и тот факт, что прочность реальных тел в сотни раз меньше теоретически рассчитанной прочности. Академик А. Ф. Иоффе поставил очень изящный опыт, демонстрирующий роль поверхностных дефектов в процессе разрушения кристалла. Он погружал на короткое время кристалл поваренной соли в горячую воду. При этом происходило быстрое растворение поверхностного слоя кристалла, в результате чего исчезали микротрещины и выравнивалась поверхность. Прочность кристалла после такой обработки достигала 80% теоретической. Позднее аналогичный эффект наблюдали на стеклянных волокнах, предварительно обработанных плавиковой кислотой, которая хорошо растворяет стекло. [c.41]

Растрескивание металла трубопроводов вследствие водородного охрупчивания зарождается на участках стали с твердой мартенситной структурой, обычно в местах концентрации остаточных напряжений, возникающих при изготовлении труб. Как правило, коррозионное растрескивание кольцевых швов трубопроводов, транспортирующих сероводородсодержащие среды, связано с непроваром в корне шва или внутренним подрезом. Любая прерывистость в корне шва может явиться причиной коррозионного растрескивания, при этом скорость распространения трещин в процессе эксплуатации газопроводов сернистого газа определяется глубиной и радиусом поверхностного дефекта в вершине сварного соединения [19]. Исследования коррозионных повреждений трубопроводов, изготовленных из стали марки 17Г2С и транспортирующих газ с примесью сероводорода (до 2%), показали, что общим для всех случаев разрушения сварных соединений является зарождение трещин [c.17]

Активность карбоната стронция в значительной мере определяется степенью заполнения поверхности катализатора адсорбированной водой. Кинетика процесса носпт сложный характер период резкого начального ускорения подвержен влиянию примесей и полярных добавок стационарная полимеризация протекает по первому порядку относительно мономера. Концентрация активных центров составляет примерно 10 на 1 см , что, скорее всего, отвечает концентрации поверхностных дефектов. В пользу большой неоднородности активной поверхности свидетельствуют также исследования закономерностей активации катализатора при адсорбции воды [121, 122]. [c.263]

Оценка числа носителей заряда в прианодном слое показывает, что оно превышает на 1—2 порядка концентрацию А1-де-фектов. Это означает, что имеет место удержание электронов в прианодном слое на уровнях захвата, характерных для поверхностных дефектов. Глубина такого слоя зависит от величины внешнего электрического поля, и понижение напряжения приводит к перераспределению как электронов в прианодной части, так и щелочных катионов в прикатодной. Следствием этого является обратный ток. Окончательное равновесное состояние распределения носителей заряда устанавливается по завершении окрашивания. В этом случае даже с увеличением температуры сила тока уменьшается и имеет тенденцию слабого падения во времени. В этой стадии перенос заряда протекает главным образом по электронным дефектам в валентной полосе, а его величина определяется относительным положением уровня Ферми. Необходимо также учитывать эффект инжекции электронов с электродов. Если спектры ЭПР А1-центров в облученном (при 7 300 К) и электролизованном в вакууме кристаллах идентичны, то спектры оптического поглощения этих образцов имеют характерные отличия (рис. 44). [c.143]

Однако эти расчеты, очевидно, занижают степень шероховатости поверхности. Лучшее приближение возможно только для задачи с двумя уровнями, соответствующей распределению частично заполненного слоя самоадсорбированных атомов на полностью завершенном нижнем слое. Соиоставление результатов точного решения (учитывающего, однако, взаимодействие только между ближайшими соседями) и данных приближенного метода Брэгга—Уильямса [39] свидетельствует, что в обоих случаях шероховатость поверхности становится существенной при одном и том же значении йГ/ф, хотя рассчитанный параметр шероховатости в первом случае быстрее увеличивается с температурой, чем во втором. По-видимому, можно заключить, что равновесная концентрация поверхностных дефектов данного вида пренебрежимо мала вплоть до температур, близких к температуре плавления металла. [c.130]

Растрескивание металла стальных трубопроводов от водородного охрупчивания зарождается на участках с твердой мар-тенситной структурой, обычно в местах концентрации напряжений, которые возникают при изготовлении труб на металлургических заводах. Коррозионное растрескивание кольцевых щвов трубопроводов, транспортирующих сероводородсодержащие среды, связано чаще всего с непроваром в корне щва или внутренним подрезом. Любая прерывистость в корне шва может явиться причиной коррозионного растрескивания, при этом скорость распространения коррозионных трещин в процессе эксплуатации газопроводов сернистого газа определяется глубиной и радиусом в вершине поверхностного дефекта сварного соединения [38]. Исследованиями коррозионных повреждений трубопроводов из сталей 17Г2С, транспортирующих газ с примесью сероводорода до 2 %, показано, что общим для всех случаев разрушения сварных соединений является зарождение трещин на внутренней поверхности трубопровода в зоне сплавления корневого или подварочного шва и дальнейшее их распространение по металлу шва или металлу околошовной зоны до наружной поверхности. В металле труб наблюдаются внутренние и выходящие на внут- [c.14]

Полезная прочность стекла составляет лищь небольщую часть от его истинной прочности, что вызывается концентрацией напряжений в местах поверхностных дефектов. 3 [c.35]

В результате анализа этих концепций и материала исследований случаев разрушения элементов конструкций машин и оборудования предложено рассматривать процесс коррозии под напряжением как следствие циклического механоэлектрохимического эффекта в агрессивных средах [3]. В местах поверхностных дефектов и на участках концентрации напряжений происходит образование микротрещин. Среда воздействует химически, увеличивая растрескивание, и электрохимически, способствуя ускорению развития трещиНы. Функционирует микрокоррозионная пара вершина трещины, представляющая обнаженные кристаллы металла, — анод, остальная поверхность под окисной пленкой — катод. Накапливающиеся на аноде продукты коррозии закупоривают трещину, так как их объем превышает объем металла в 1,5. .. 2 раза и расклинивают ее. Выделяющийся на катодных участках водород приводит к частичному восстановлению окисной пленки. Макрокоррозионная пара смещается по поверхности, и до расклинивания трещины продуктами коррозии в вершине трещины происходит изменение знака на отрицательный. Интенсивное выделение водорода на катоде способствует дальнейшему охрупчиванию и разрушению металла. [c.579]

Полученные в условиях, исключающих возможность совершенного роста, пластинчатые кристаллы имеют дефектное строение. Степень совершенства и размеры пластинчатых кристаллов определяются, наряду со скоростью охлаждения расплава, концентрацией растворенной окиси алюминия. При содержании до 35 вес. % AI2O3 толщина пластинок -глинозема колеблется от 3 до 20 мкм, а размеры в поперечнике от 0.2 до 1 мм. Кристаллы однородны, не имеют заметных поверхностных дефектов. С увеличением концентрации AljOg до 60—70 вес. % размеры кристаллов возрастают до 5—100 мкм по толщине и 0.5—5.0 мм в поперечнике. По данным оптических исследований, кристаллы -глинозема в этой области составов образуются по типу чешуйчатых дендритов путем срастания по базису нескольких монокристальных пластин [18]. [c.203]

Пиролиз органических волокон сопровождается увеличением их пористости. Высокомодульные карбоволокна имеют поры вытянутой формы, отличаются от низкомодульных ориентацией бороздок и трещин вдоль оси волокна и их меньшей концентрацией на поверхности. По-видимому, при вытяжке происходит сглаживание части поверхностных дефектов, особенно эффективное при высокотемпературной обработке волокон [19]. Поры на поверхности карбоволокон имеют разные размеры. Крупные поры диаметром несколько сотен ангстрем при формовании композиционного материала заполняются связующим, при этом прочность сцепления связующего с наполнителем повышается. Большая часть пор на поверхности волокон имеет диаметр несколько десятков ангстрем. В столь малые полости могут проникать только низкомолекулярные компоненты связующего, и у поверхности наполнителя происходит молекулярно-ситовое перераспределение связующего, изменяющее его состав. На рис. У.Ю представлена [20] зависимость предельных значений адсорбции от молекулярного веса компонентов, входящих в состав резольной смолы, поверхностью низкомо- [c.211]

Способность карбоволокон, содержащих одинаковое количество углерода (не менее 99 вес.%), к ворсеризации из газовой фазы возрастает с уменьшением стойкости его к окислению, которая пропорциональна концентрации поверхностных дефектов. [c.215]

Ряд таких моделей обсуждался в многочисленных работах по теории кинетики топохимических реакций и в первую очередь в работах, относящихся к закономерностям образования ядер твердого продукта. При обсуждении этого вопроса следует иметь в виду, что ядра обычно представляют собой трехмерные образования конечных размеров. Это означает, что для образования ядра необходим ряд последовательных актов реакции. Поскольку молекулярные объемы твердых фаз рёагента и продукта в общем случае различны, реакция в доядерный период и само образование ядер должны сопровождаться деформацией кристаллической решетки твердого реагента (соответствующие конкретные расчеты приведены, например, в работах [8, 9])., Этот факт имеет значение в двух аспектах. Во-первых, скорость процесса образования ядер определяется не только химическими, но и кристаллографическими факторами. В соответствии с этим изменяется и физический смысл кинетических параметров, определяемых из экспериментальных данных. Во-вто-рых, образование ядер фазы твердого продукта происходит, очевидно, в тех местах, где энергетические затраты минимальны. Такими местами могут являться различные поверхностные дефекты, выходы дислокаций на поверхность кристалла, Р-цент-ры и др. Поскольку концентрация этих мест ограничена, возникли представления о потенциальных центрах зародышеобра-зования, постепенно исчерпывающихся по мере протекания реакции. Такие представления, применимые, естественно, лишь к неравновесным дефектам, требуют учета уменьшения количества дефектов в ходе реакции в результате их поглощения растущими ядрами. [c.39]

С позиций структурного подхода кристалл рассматривается как совершено упорядоченная система неподвижных точек. Динамические аспекты поведения кристалла предполагают учет роли дефектов структуры. К ним относятся в первую очередь поверхностные дефекты наружные грани кристалла, ограничивающие периодичность решетки в пространстве (простые поверхности с низкими индексами, вицинальные поверхности, ориентированные совершенно иначе, чем предыдущие, поверхности произвольной ориентации и т. д.). Кроме того, важное значение имеют внутренние поверхности (трещины, поры, включения), границы блоков, линейные дефекты (краевые дислокации, границы неполных атомных плоскостей, ступени и сколы, винтовые дислокации и их выходы на поверхность) точечные дефекты (вакансии и межузель-ные атомы). Отсюда возникает необходимость знать природу, концентрацию, распределение всех типов дефектов и возможные способы их перемещения по кристаллу [71]. [c.71]

Однако имеется много оснований полагать, что специфичность каталитического действия обусловливается не только межатомным расстоянием. Конфигурация кристалла может быть такой, которая позволяет ожидать высокой активности, хотя в действительности активность оказывается малой или совсем отсутствует. Окиси металлов можно классифицировать как полупроводники и изоляторы. Нарушения в решетке легче возникают в полупроводниках, чем в изоляторах, вследствие большей подвижности внутри решетки в первой группе окисей. Эти дефекты в решетках окиси обусловливаются либо избытком металла, либо избытком кислорода в решетке. В каталитических реакциях низкотемпературного окисления и восстановления такие нарушения ограничиваются поверхностными слоями атомов. Ионы и электроны, обусловливающие эти нарушения, могут увеличить уровни поверхностной энергии, что облегчит реакции электронного обмена или образование химической связи атомов и молекул с поверхностью. Гернер [26, 79] показал, что при восстановлении поверхности окиси окисью углерода удаление ионов кис. Торода с наружной поверхности в виде СОг освобождает электроны, которые вместе с соответствующими ионами металла диффундируют через окисный слой, образуя фазу металла. При быстром протекании поверхностной реакции концентрация электронов на поверхности может стать достаточно большой для того, чтобы образовывались ядра металла. Этот процесс образования ядер способствует тому, что свежая поверхность раздела между металлом и окисью металла становится, с точки зрения межатомных расстояний, более благоприятной для протекания поверхностной реакции, чем первоначальная поверхность раздела. Многие исследователи пришли к заключению, согласно которому наличие индукционного периода в некоторых каталитических реакциях, протекающих с участием окисей, обусловливается отсутствием ядер в начале процесса и последующим их образованием и ростом. [c.331]

Браден и Джент - изучили влияние озона на вулканизаты каучуков. Баклей и Робинсон исследовали возникновение и распространение трещин на всей поверхности образца. Браден и Джент изучали скорость роста единичного надреза в тонкой полоске резины, что позволяет строго регулировать условия испытаний. Кроме того, такой опыт дает воз-. можность исследовать процесс роста трещины, неосложненный влиянием поверхностных дефектов и посторонних включений в материале. Схема экспериментальной установки показана на рис. 10. Образец с приспособлением для нагрузки помещали в камеру и проводили измерения при изменении температуры и концентрации озона. [c.466]

Помимо рассмотренной диффузии примесей по регулярной решетке, в химии люминофоров существенное значение имеет диффузия вдоль дислокаций и субграниц, тем более что речь идет о перемещении малых количеств примеси. Ослабленность связей вблизи дислокаций и повышенная концентрация вакансий, источником которых являются дефекты этого типа (см. гл. V, 1), приводят к росту коэффициентов диффузии и к тому, что введение примесей в кристаллы становится возможным при температурах значительно ниже температуры разрыхления решетки. Особенно большую роль это играет в случае порошковых люминофоров, характеризующихся высокой плотностью линейных и поверхностных дефектов и малыми размерами кристаллов. [c.294]

Из вышеизложенного следует, что падение интенсивности люминесценции фосфоров типа ZпS-Ag- при их отжиге в вакууме обусловлено как уменьшением концентрации центров свечения Ag zn, точнее, отношения Ссв/Ст, так и увеличением реабсорбции излучаемого света при выделении из решетки Ag2S. В случае 7п5 ZпSe-Ag, С1-фосфоров выделяющийся в вакууме селенид серебра, Ag2Se, разлагается на Ag и 5е [43]. Для ослабления указанного действия отжига на люминофоры нужно не только стремиться к снижению плотности линейных и поверхностных дефекто-в, но и по возможности защищать кристаллы от непосредственного контакта с эвакуированным пространством, например путем использования защитных покрытий, прозрачных для излучаемого света. [c.313]

Почти любой тип разрушения или разрыва резины под действием силы можно с полным основанием назвать раздиром. Хотя разрушение при лабораторном испытании на разрыв обычно не считают раздиром, а корреляция между измеренными величинами предела прочности при растяжении и сопротивления раздиру необязательна, разрыв при растяжении является особым случаем раздира, ибо, несмотря на различия в условиях нагружения, основные механизмы разрушения во многом одинаковы. Раздир отличается от разрушения при испытаниях на разрыв тем, что связан с большими градиентами напряжений. Однако и при испытаниях на разрыв в образце всегда существуют локальные концентрации напряжений, несмотря иа предположение об однородном распределении приложенного усилия. Помимо неизбежных поверхностных дефектов и надрыЕОБ по краям образца, испытываемого на разрыв, в наполненных эластомерах вокруг частиц наполнителя и их агломератов возникают сложные внутренние локальные поля напряжений. Здесь же наблюдаются локальные отклонения в степени поперечного сшивания 1. Поэтому первая стадия разрушения при разрыве, бесспорно, сходна с разрушением при обычном раздире, но в меньшем масштабе. Что же касается процесса разрастания очагов разрушения при разрыве, то количественные измерения, полученные методом скоростной киносъемки, показывают картину, аналогичную самопроизвольному раздиру Тем же методом обнаружено, что в образцах наполненной резины на основе силоксанового каучука очаги разрушения одинаково часто возникают как внутри образца, так и на его краях, причем пределы прочности при растяжении в обоих случаях приблизительно одинаковы. [c.35]

Если после травления прутков осуществляют контроль качества поверхности и зачистку поверхностных дефектов, то прутки направляют на нейтрализацию в ванны с щелочным 2—4%-ным раствором едкого натра или едкого кали (КаОН или КОН), нагретым до 80—90°С. В течение 3—15 мин в зависимости от химического состава прутков и концентрации раствора поверхность прутка становится чистой и на ней видны поверхностные дефекты. Так, в калибровочном цехе завода Серп и молот при 3—4%-ном содержании в щелочном растворе каустической соды время нейтрализации для прутков шарикоподшипниковой стали составляет 5—10 мин, для прутков углеродистой и легированной стали 3—5 мин, а при 1—2%-ном содержании каустической соды время выдержки составляет соответственно 10—15 и 5—10 лшн. Раствор нейтрализационной щелочной ванны заменяют по мере его загрязнения, когда концентрация каустической соды спинсается до 0,5%. [c.114]