Фотоэлектронная спектроскопия глубина выхода

ИХ независимыми от состава. Этот вывод иллюстрирует рис. 5, на котором представлена зависимость глубины выхода оже-электронов от энергии электрона для некоторых элементов [49]. В фотоэлектронной спектроскопии аналогичный вывод следует из данных Вагнера [50]. Логично поэтому считать, что гфр) зависит только от I и от энергии первичного возбуждения Ер, а д (Ео) —только от I и от энергии оже-электронов Ео. Параметр аю Ер) включает сечение ионизации внутреннего уровня в оже-процессе и вероятность перехода для последующего испускания. По существу, ою(Ер) зависит от определенного оже-процесса, происходящего с определенным типом атома, [c.418]

Как пояснялось в 2, фотоэлектронная спектроскопия — это метод изучения валентных уровней и полос газов и, отчасти, твердых тел. Основная область применения рентгеноэлектронной спектроскопии — это изучение внутренних электронных уровней твердых тел и, отчасти, газов [53, 54]. Наряду с внутренними уровнями изучаются также и валентные. В связи с большей кинетической энергией фотоэлектронов увеличивается глубина их выхода из твердого тела по сравнению с фотоэлектронными спектрами — это несколько-уменьшает требования к отсутствию поверхностных загрязнений. Однако очистка шоверхпости при изучении валентных полос в твердом теле остается одной из трудных задач при проведении рентгеноэлектронного эксперимента. Очистка по-верхшости образца может быть достигнута в результате обработки поверхности ионами благородных газов в процессе электрического разряда. Однако в этом случае есть опасность восстановления образца или образования аморфной пленки на его поверхности. Для получения незагрязненных поверхностей используют также скол монокристалла в условиях вакуума, размельчение в атмосфере инертного газа- [c.25]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология