Валентные полосы

После возбуждения светом и образования электронов и дырок для уровня I более вероятен захват электрона из полосы проводимости, а для уровня II — захват дырки из валентной полосы. Люминесценция возникает в результате перехода электрона с уровня II на уровень I. Такая модель называется д о -норно-акцепторной ее применяют в ряде случаев для объяснения процессов люминесценции. В люминофоре 2п8-Си, согласно этой модели, медь создает акцепторный уровень, а хлор — донорный. [c.74]

При колебаниях третьего типа изменяются валентные углы и атомы смещаются н направлениях, перпендикулярных валентным связям, длина которых остается почти постоянной. Такие колебания называют деформационными. Очевидно, что для возбуждения деформационных колебаний требуется меньше энергии, чем для валентных. Полосы поглощения, связанные с возбуждением деформационных переходов, имеют в два-три раза меньшую частоту, чем частоты валентных колебаний. [c.291]

Авторы работы [87] нашли, что в области тушения АВ изменяется с напряжением по закону В , т. е. процесс обусловлен действием электронов, ускоряемых полем, как и в случае электролюминесценции. Тушение, по-видимому, объясняется тем, что при действии света могут освобождаться яз валентной полосы электроны, которые переходят на ионизованные центры свечения и препятствуют процессам излучательной рекомбинации. [c.142]

Карбоновые кислоты (разд. 18.21) и сложные эфиры (разд. 20.28) также обнаруживают полосу поглощения карбонильной группы и в той же области, что альдегиды и кетоны. Однако кислоты, помимо этой полосы, обладают также широкой полосой О—Н-группы. Полоса карбонильной группы для сложных эфиров обычно смещена в сторону более высоких частот по сравнению с кетонами того же типа кро.ме того, для сложных эфиров характерно наличие С—О-валентных полос. (Для сравнения ряда кислородсодержащих соединений см. табл. 20.4, стр. 657.) [c.618]

Рассмотренные выше полупроводники с узкой областью запрещенных значений энергии между валентной полосой и полосой проводимости являются так называемыми собственно полупроводниками. К ним, например, принадлежат германий и кремний. Однако существует класс веществ с гораздо более широким запрещенным интервалом, благодаря которому нет прямого переброса электронов из валентной полосы в полосу проводимости. И все же эти вещества относят к классу полупроводников (такие вещества даже более распространены, чем собственно полупроводники, и они находят очень широкое применение в современной технике). [c.216]

Если в таком веществе имеется ничтожное количество примесных атомов (число примесных атомов должно быть очень мало, чтобы эти атомы не взаимодействовали между собой), то одноэлектронный спектр энергий вещества наряду с полосами будет иметь дискретные уровни энергии ( примесные уровни ). В частности, эти уровни могут оказаться в области запрещенного интервала энергии между валентной полосой и полосой проводимости. Эти уровни энергии могут быть как занятыми электронами, так и свободными. Полупроводниковые свойства возникают только в двух специальных случаях примесных уровней. [c.216]

Если над валентной полосой и близко от нее расположен примесный уровень, не занятый электронами 1 на рис. 245, а), то из валентной зоны на Этот уровень могут перейти электроны, и в валентной полосе появятся дырки (обозначенные кружками), в результате чего вещество приобретает свойства полупроводника / -тииа. Соответствующие примесные уровни называются акцепторными. [c.216]

Нормальные колебания, при которых меняется валентный угол, а длина связи остается практически неизменной, называют деформационными. Энергия возбуждения валентных колебаний, как правило, выше таковой в случае деформационных колебаний. По этой причине валентные полосы обычно появляются в более коротковолновой части инфракрасного спектра, т. е. им отвечают более высокие волновые числа. Примеры нормальных колебаний двух основных типов в молекуле двуокиси серы изображены на рис. 11.9. Ниже приведены волновые числа некоторых характеристичных полос инфракрасного спектра поглощения двуокиси серы [c.161]

Пока образование и дальнейшее превращение заряженного переходного комплекса не нарушают частных электронных равновесий в твердом теле и на его поверхности и не требуют локализации на каких-то специальных элементах структуры или на дефектах определенного типа, равновесная концентрация переходных комплексов Х+ или Х не должна зависеть от пути их образования и совершенно не важно, какие формы, имеющиеся в полупроводнике — электроны валентной полосы, дырки этой полосы, электроны полосы проводимости и т. д., фактически пере- дают свой заряд частицам, образующим переходный комплекс, который может представлять заряженную молекулу, атом, продукт ассоциации и т. д. [c.17]

Рассмотрим второй предельный случай процесса, идущего без поддержания в неизменном виде всех равновесий. В этом случае небезразлично, откуда берутся электроны и дырки и приходится, например, различать между активацией с отрицательным заряжением молекулы за счет электронов проводимости ва, электронов валентной полосы ву, электронов донорной примеси 6 или, наконец, электронов заряженных атомов акцепторной примеси а". Эти различия в определенной мере будут проявляться и в кинетике. [c.19]

Общая энергия валентной полосы, рид-берг 2,49 1,98 1,17 0,47 4,984 6,928 2,98 0,477 [15] [c.61]

Для этого в нашей лаборатории было выполнено исследование метилового спирта и его растворов сначала на валентной полосе группы С — О около 1000 см , где оно технически проще, чем на валентном колебании ОН [7]. [c.256]

Для алмаза зонная структура показана полностью. Для остальных кристаллов изображена только полоса проводимости и верхняя часть валентной полосы, В цепом ва.пентная зона 81 Ое и о -8п полностью аналогична валентной зоне алмаза. [c.86]

Основные параметры структуры валентной полосы [c.108]

Типичную картину структуры валентной полосы для элементов [c.108]

IV группы можно уяснить из рис. 3.2. Как видно из этого рисунка, структура валентной полосы определяется в основных чертах положением уровней Xi, Xi, Ll, L, L и Г относительно потолка валентной зоны Fi o. Таким образом, основными параметрами зонной структуры для валентной зоны являются [c.108]

Рассмотрим сначала, какие проблемы возникают при переходе от валентной полосы к структуре полосы проводимости (в рамках метода ЭО ЛКАО и приближения сильной связи). [c.125]

В разд. 3.2.3 уже говорилось, что для исследования полосы проводимости можно использовать те же формулы (3.23)—(3.26) для законов дисперсии, что и для валентной полосы, но вместо параметров II т. п. в зависимость б(к) теперь необходимо подставить параметры а ), Ра Как следует из формул (3.48)— (3.51), различие между параметрами, отмеченными индексом (4-), п параметрами с индексом (—) заключается в знаках перед резонансными интегралами. Поэтому каждой формуле для разности уровней в валентной зоне соответствует аналогичная формула для зоны проводимости, отличаюш аяся, однако, от первой знаком резонансных слагаемых. Так, формуле [c.125]

Ферроцен диаматнитен и не им еет дипольного момента, полосы валентных колебаний С—Н в ИК-спектре находятся. при 2075 смг , что лежит в пределах, характерных для валентных полос С—Н бензоидных соединений. Ферроцен не изменяется при 400 °С он устойчив та1кже по отношению к щелочам и (в отсутствие кислорода) к кислотам. При действии кислотных окислителей он лревращается в значительно менее устойчивый синий катион [(С5Н5)2ре]+. Поскольку ферроцен летуч с парами воды, перегонка с паром является хорошим приемом его очистки. [c.485]

Помимо рассмотренной классической модели процесса люминесценции [1—3] следует остановиться на модели, предложенной Пренером и Вильямсом [4]. Согласно этой модели (рис. IV.2), основной уровень I располагается вблизи валентной полосы, а возбужденный уровень II — ниже зоны проводимости. [c.74]

Переходя к анализу спектра молекулы HDO в асимметричном поле окружающих ее молекул, следует указать на возможность существования двух различных комплексов. В одном из них более сильную связь образует атом дейтерия, в другом — атом протия. Таким образом, в исследуемом образце будут приблизительно (не учитывая разницы энергий водородной и дейтериевой связей) в одинаковом количестве присутствовать молекулы HDO с силовыми постоянными Кои, Коь и с силовыми постоянными Коь, Коп (рис. 20). В результате этого в спектре такого соединения должны присутствовать четыре валентных полосы поглощения две в области VoH-колебаний и две в области voD-колебаний. [c.76]

Энергия, необходимая для создания электронной пары или для перемещения электрона от валентной полосы к проводниковой полосе в полупроводнике, значительно меньше, чем энергия, требуемая для образования фотона в сцинтилляци-онном кристалле. В спектрометрии гамма-излучения детектор из германия с добавкой лития может обеспечить для фотона кобальта-60 с энергией 1,33 МэВ энергетическое разрешение порядка 0,33% по сравнению с 5,9% —результатом, получаемым при использовании активированного таллием кристалла йодида натрия размером 7,6Х7,6 см. [c.79]

У полупроводников спектр энергии аналогичный изоляторам. Только между валентной полосой и полосой проводимости интервал эпергии невелик (порядка 1 эв например, у типичных полупроводников, германия и кремния, он составляет 0,7 и 1,15 эв соот-ветствепно). [c.214]

Присутствие тетраэдрического фосфора в синтетических фосфатных цеолитах было доказано исследованием [134] структуры кристалла цеолита Р-С — аналога анальцима (размер элементарной ячейки которого варьировался соответственно изменению содержания фосфора) и изучением его ИК-спектров. Были исследованы колебания в средней области ИК-спектра, т. е. от 200 до 1300 м , чувствительные к составу решетки. Замеш ение кремния на алюминий сопровождается сдвигом в область более низких частот из-за увеличения длины связи А1—О. Замещение на фосфор в решетке должно давать аналогичный эффект, но поскольку длина связи Р — О меньше, сдвиг в области основной валентной полосы вблизи 1000 м должен происходить в сторону более высоких частот. Например, на рис. 4.18 и 4.19 приведены ИК-спектры цеолитов Р-А и P-L и цеолитов, не. содержащих фосфора. Повышенная интенсивность поглощения в высокочастотной ветви асимметричной валентной полосы обусловлена присутствием групп РО4 в решетке. [c.337]

Энергетические состозшия г-ВМ в настоящее время исследованы достаточно подробно, см. [72]. Проиллюстрируем их, используя данные самосогласованного ЛППВ-расчета [132], рис. 1.7. Характер дисперсии зон позволяет выделить подполосу низколежа-щих состояний (в основном М25-типа с примесью В2л-состояний), отделенных запрещенной щелью от полосы гибридизованных р— р-состояний последнюю можно отнести к смешанной а—к-эо-не. Нижняя зона вакантных состояний (о -, л -типов) отделена от валентной полосы запрещенной щелью (ЗЩ). г-ВМ относится к соединениям с непрямой ЗЩ, величина которой оценивается -3,9 эВ (Н М), тогда как минимальная дистанция прямого перехода составляет -4,3 эВ (точка Н). В спектре г-ВМ присутствуют т. н. межслоевые зоны (на рис. 1.7 выделены сплошными линиями). Нижняя из них, имеющая четкий параболический характер с минимумом в точке Г, отделена от вершины ВЗ щелью шириной -4,7 эВ. Для ВМ существует семейство межслоевых незанятых состояний, концентрирующихся в области между графитоподобными сетками. [c.19]

Параметры ЭЭС оксинитрида достаточно близки таковым для а- (3-81зМ4 (табл. 4.1). Присутствие кислорода генерирует дополнительную низкоэнергетическую квазиостовную зону 02 -состоя-ний 02р-состояния примешиваются также к нижней части валентной полосы, рис. 4.2. [c.89]

Оценка числа носителей заряда в прианодном слое показывает, что оно превышает на 1—2 порядка концентрацию А1-де-фектов. Это означает, что имеет место удержание электронов в прианодном слое на уровнях захвата, характерных для поверхностных дефектов. Глубина такого слоя зависит от величины внешнего электрического поля, и понижение напряжения приводит к перераспределению как электронов в прианодной части, так и щелочных катионов в прикатодной. Следствием этого является обратный ток. Окончательное равновесное состояние распределения носителей заряда устанавливается по завершении окрашивания. В этом случае даже с увеличением температуры сила тока уменьшается и имеет тенденцию слабого падения во времени. В этой стадии перенос заряда протекает главным образом по электронным дефектам в валентной полосе, а его величина определяется относительным положением уровня Ферми. Необходимо также учитывать эффект инжекции электронов с электродов. Если спектры ЭПР А1-центров в облученном (при 7 300 К) и электролизованном в вакууме кристаллах идентичны, то спектры оптического поглощения этих образцов имеют характерные отличия (рис. 44). [c.143]

Из трех перечисленных процессов определяющим скорость является процесс 2, так как расстояние между уровнями валентных электронов и нижней границей полосы проводимости составляет у полупроводников от десятых до нескольких электроновольт (см., например, [14]). Энергия, необходимая для этого процесса, может быть понижена в результате контакта с проводником или полу< проводником с достаточно большой рабо" той выхода электронов (контактным потенциалом). Соотношения, имеющие место на контакте, изображены на рис. 8. Происходящее здесь изменение концентрации электронов в валентной полосе является результатом более Н1йких уровней электронного газа в металле или полупроводниковом твердом продукте по сравнению с исходным твердым веществом. Толщина слоя, обедненного электронами, составляет [15] [c.296]

Кун [74] применил этот метод для определения степени нитрования нитрата целлюлозы, а Мэйнард и Мошель [79] — для определения кристалличности полихлоропрена. Последние исследователи использовали внутренний эталон как меру толщины пленки, преодолев таким образом некоторые из трудностей, встречающихся при применении пленок для количественной работы. В качестве внутренного эталона для определения толщины пленки или общей концентрации полимера была использована валентная полоса С — Н-связи, лежащая около 3,4 мк. Для измерения толщин могут быть также использованы валентная полоса двойной связи С=С около 6,0 мк и деформационная полоса связи С — Н около 6,9 мк. Мэйнард и Мошель показали, что пропорциональность между интенсивностью полос при 12,8 и 10,5 мк чувствительна к степени кристалличности и температуре полимеризации. [c.274]

Теплота смешения и сдвиг валентной полосы 0D H3OD, соответствие с Ка- [c.414]

Исследование факторов, влияющих на форму колебательных поло многоатомных молекул в конденсированной фазе, естественно начинать с простейших объектов, например с заство-ров метана и дейтерометанов в жидких благородных газах. Предыдущими исследованиями [1—4] было установлено, что весьма важную роль в формировании контура ИК-полос играет вращательное движение молекул, причем его роль тем больше, чем больше вращательная постоянная. Для метана, имеющего два активных в поглощении колебания одинаковой симметрии (Яг), полосы в спектре раствора в аргоне при 90°К обладают существенно разной формой. Валентная полоса -з имеет отчетливо выраженные колебательно-вращательные компоненты, в то время как контур полосы ч прост. Наиболее ярким отличием соответствующих колебаний свободной молекулы СН4 является величина кориолисова взаимодействия ( з=0,05, 4 = 0,45), благодаря чему полоса ч имеет в спектре газовой фазы более тесную вращательную структуру. Можно предположить, что корио-лисово взаимодействие сохраняется и в конденсированной фазе, когда вращение в основном перестает иметь регулярный характер. [c.75]

Бее сказанное в гл. 1 по поводу связи между ЭО и одноэлектронными свойствами также остается справедливым и для твердого тела, за исключением более специальной терминологии. Так, вместо величин < > и < е - > здесь фигурируют средний уровень валентной полосы < е > и средний уровень полосы проводимости < е >, котот ые определяются соотношениями [c.82]

В этой главе мы приступим к систематическому исследованию зависимости между структурой полос и характером химической связи для ряда наиболее распространенных кристаллов в соответствии с задачами, сформулированными во введении. Такое исследование естественно начать с простейшего случая чисто ковалентных 1 ристаллов с решеткой алмаза, к которым относятся алмаз, 81, Се и а-Зп (серое олово). При этом мы отдельно рассмотрим валентную зону. Структура валентной зоны довольно нечувствительна к индивидуальным особенностям химической связи в кристаллах различных элементов IV группы, что позволяет описать валентную полосу более простыми средствами. Подобный подход позволит выработать предварительную точку зрения, на основе которой в следуюш,ей главе будет исследован ряд более тонких проблем, связанных со структурой полосы проводимости и полной зонпой структурой. Простой способ описания валентной ио.лосы представляет также вполне самостоятельный интерес, поскольку для интерпретации большого круга экспериментальных данных но рентгеновской и реитге1. оэлектронной снектроскопии достаточно зиать структуру ДНИ ., этой полосы. [c.84]

Как уже говорилось в разд. 2.0.2, истинные блоховские функции + (к г), -ф (к I г) для каждой из этих полос, т. е. собственные функции эффективного одноэлектропного гамильтонияна кристалла Н, унитарно эквивалентны соответствующим ЭО — связывающим или разрыхляющим. Поэтому такие блоховские функции валентной полосы линейно выражаются только через базисные блоховские функции (к г), в то время как истинные блоховские функции для полосы проводимости — только через базисные блоховские функции г 5 к г) [c.88]

Каждому к отвечают, собственно, четыре истинные БФ для валентной полосы и столько же БФ для полосы нроводимостп здесь опущены соответствующие индексы, чтобы не смешивать истинные БФ с базиспьшп. [c.88]

Как мы увидим в дальнейшем, валентная зона в отличие от зоны проводимости лишь в незначительной степени связана с индивидуальными особенностями элементов 1Л группы и ее структура достаточно устойчива по отношению к небольшим вариациям матричных, элементов. Поэтому валентная зона допускает простое описание [130]. Мы рассмотрим его отдельно как предварительпый вариант более общей теории, изложенной в гл. 4, тем более что структура валентной полосы представляет и самостоятельный интерес. [c.97]

Таким образом, в упрош енном вари.з, те теаргтт у1 -.укту]И валентной полосы элементов четвертой группы выр только [c.99]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология