Металлы, диэлектрики, полупроводники

Рис. 26.3. Диаграмма энергетических зон идеальной структуры металл - диэлектрик - полупроводник в отсутствие разности потенциалов.

Структура металл-диэлектрик-полупроводник [c.387]

МДП-структура — это структура металл—диэлектрик—полупроводник. 10- , 147 [c.147]

Металлы, диэлектрики, полупроводники [c.127]

В полупроводниковых Г. с кристаллическими чувствит. элементами измеряют проводимость монокристалла или более сложной полупроводниковой структуры с р-и-переходами при изменении зарядового состояния пов-сти, т.е. концентрации или распределения зарядов на ней. Напр., для определения Н используют чувствит. элементы в виде системы слоев металл - диэлектрик - полупроводник (канальные транзисторы), причем верх, металлич. слой получают из Pd или его сплавов. Изменение зарядового состояния пов-сти достигается изменением контак Ь ной разности потенциалов между полупроводником и Й при растворении в последнем Н , присутствующего в анализируемой смеси. Диапазон измеряемых концентраций в инертных газах 10 " -10" %. [c.460]

Введение—металлы, диэлектрики, полупроводники [c.59]

Как известно, уравнения Максвелла не устанавливают запрета на распространение электромагнитных волн в металлах, диэлектриках, полупроводниках. Например, в сплошных диэлектриках электрическое поле описывается с помощью полевых характеристик — напряженности и индукции, а переменное электромагнитное иоле может удовлетворить лишь одному уравнению го1 =0 ири равном нулю магнитном иоле (продольные электрические волны и т. п.). [c.75]

ПТ с изолированным затвором, часто называемые МДП-транзисторами (ПТ со структурой металл — диэлектрик — полупроводник), представляют собой модификацию ПТ, в которой тонкая пленка изолирующего материала, обычно диоксида кремния, отделяет затвор от канала. Это устраняет выпрямляющий переход, так что затвору можно придать любую полярность без управляющего тока. Электростатическое поле между затвором и каналом может менять распределение дырок или электронов в канале, определяя таким образом его сопротивление. МДП-транзистор имеет самый высокий входной импеданс среди всех ти--7 даны общепринятые обозначе- [c.558]

Наиболее массовыми видами микросхем, производимых по кремниевой КМОП технологии, т.е. на основе полевых МОП (металл—окисел—полупроводник) или МДП (металл—диэлектрик-полупроводник) транзисторов, являются [c.8]

Еще большее входное сопротивление порядка. Ом (на постоянном токе и на низких частотах) имеют полевые транзисторы с изолированным затвором - с индуцированным или встроенным каналом (рис. 1.5, б и в). В таких полупроводниковых приборах, называемых МДП анзисторами, используется структура металл-диэлектрик-полупроводник, в которой металлическая контактная площадка затвора отделена от полупроводниковой пластины тонким слоем диэлектрика. Поскольку чаще всего в качестве полупроводникового материала применяется кремний, а диэлектриком является оксид кремния 8102, МДП-транзисторы называют еще МОП-транзисторами. [c.31]

По данным Мацуо и Эсаши [7], изготовление ИСПТ включает практически те же операции, что и изготовление ПТ со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДППТ). Конструкция ИСПТ представлена на рис. 25.1. [c.376]

Начать знакомство с физикой ДЗПТ лучше всето с транзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Такие транзисторы состоят из металлического электрода, полупроводника и разделяющего их тонкого (например, толщиной 100 нм) слоя диэлектрика, такого, как диоксид кремния (З Оз). Будем считать, что этот диэлектрик абсолютно не проводит электрический ток. Для упрощения обсуждения допустим также, что транзистор со структурой МДП обладает следующими идеальными характеристиками 1) работа выхода электронов в металле равна работе выхода электронов в полупроводнике Ф , 2) в диэлектрике отсутствует результирующий заряд 3) в диэлектрике нет подвижных заряженных частиц 4) на границе раздела между полупроводником и диэлектриком нет никаких особых поверхностных состояний. Анализ структуры МДП включает оценку распределения заряда и потенциала в зависимости от разности потенциалов между металлом и полупроводником. Завершив анализ идеальной структуры МДП, легко перейти к анализу аналогичных неидеальных структур. [c.387]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология