Зарядовое состояние центра дефекта

С другой стороны, примеси могут влиять на зарядовое состояние собственных дефектов. Так, при обработке в парах серы ZnS, активированного металлом III группы, последний, являясь поставщиком электронов, способствует превращению Vzn в Vzn и появлению соответствующей полосы излучения. Увеличение яркости люминесценции при введении донорных примесей в некоторых случаях объясняется тем, что заселение электронами центров с боль-шим эффективным сечением безызлучательной рекомбинации (захвата электронов) элиминирует их действие как центров тушения [118]. [c.205]

Подводя предварительные итоги результатов работ по компьютерному моделированию структурного и химического состояния примесных систем на основе Ш-нитридов, можно заключить, что при легировании кристалла изо- и гетеровалентными примесями может происходить реконструкция состояния дефекта с образованием глубоких примесных ОХ-, АХ-центров. Процесс реконструкции сопровождается изменением зарядового состояния примеси и значительными релаксационными сдвигами инородного атома. Образующаяся в окружении дефектов атомная конфигурация может рассматриваться как фрагмент промежуточной структуры между структурой матрицы и структурой стабильной бинарной фазы, которую образует элемент замещения с координирующими его атомами. [c.59]

Наружная поверхность кристалла, на которой обрывается решетка и содержатся ненасыщенные связи, может рассматриваться как дефект, подобный межблочным границам (внутренним поверхностям) и дислокациям. Разница, однако, состоит в том, что наружная поверхность является границей раздела фаз, на которой возможно взаимодействие материала кристаллофосфора с окружающей средой. Здесь прежде всего следует упомянуть адсорбцию, которая часто оказывает существенное влияние на оптические свой ства кристаллофосфора. В случае полупроводниковых люминофоров это влияние связано с тем, что адсорбирующееся вещество может быть акцептором или донором электронов. Изменяя концентрацию последних на поверхности, оно вызывает возникновение разности потенциалов между поверхностью и объемом и вследствие этого перемещение носителей заряда из кристалла в сторону поверхности или в обратном направлении. В результате может измениться зарядовое состояние тех или иных центров, определяющих оптические свойства люминофора. Таким образом, при анализе роли поверхности и происходящих на ней процессов необходимо определить их влияние на распределение электронов в кристалле. Эта задача решается тем же методом статистической термодинамики, какой был применен при рассмотрении теплового разупорядочения решетки, но с учетом некоторых особенностей электронов. [c.132]

К настоящему времени в рамках строгих квантовохимических методов изучено достаточно большое число примесных дефектов в Ш-нитридах, см. табл. 2.3, установлен ряд типов глубоких DX, АХ-центров, исследован механизм формирования некоторых из них. Имеющиеся данные позволяют утверждать, что вероятность реконструкции каждого конкретного центра зависит от многих факторов электронного строения, типа межатомных связей и структуры кристалла, химической природы и зарядового состояния дефекта, внешних условий (например давления). Механизм реконструкции с образованием определенного конфигурационного состояния дефекта (тетрагонального, тригонального, орторомби-ческого) будет зависеть от энергетического баланса (экзо- или эндотермического) между возможными метастабильными состояниями, определяемого вкладами разорванных и новых ковалент- [c.52]

За последние годы вьшолнен цикл исследований электронных состояний О-вакансий в корунде [87—95] в большинстве случаев — с использованием эмпирических или полуэмпирических кластерных расчетных схем [87—94]. Были рассмотрены зарядовые состояния изолированной кислородной вакансии (V o)> ДИвакансии (У о- о) в модели и Р-центров (захват Кц одного или двух электронов, соответственно) [87—89], ассоциатов дефектов (примесь замещения Mg " АР вблизи Р - или Р-центров) [90,91]. Проведена интерпретация оптических экспериментов, оценивался эффект локальных решеточных релаксаций вблизи Некоторые проблемы диффузионного поведения вакансий и процессов перестройки центров (например —> Р) рассмотрены в [92—94] по-ляроны малого радиуса рассчитьшались также в полуэмпиричес-кой модели сверхячейки в [92, 93]. [c.131]

В гл. 1 (см. раздел 1.6) было показано, что изменение зарядовых состояний примесных центров может быть описано при использовании эффективных зарядов с помощью уравнений квазихимических реакций, одинаковых для кристаллов как с валентной связью (полупроводников), так и с ионной. Поэтому в данном разделе мы исследуем роль примесей в общем случае нестехиометрического бинарного соединения МХ г б С произвольным (но не металлическим) типом связи, включающем в себя как частные случаи полупроводники и ионные кристаллы. Как и в разделах 4.2 и 5.2, будем считать, что примесные ионы размещаются в узлах катионной подрещетки с образованием дефектов замещения донорного или акцепторного типа. [c.159]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология