Другие наблюдения точечных дефектов

Другие наблюдения точечных дефектов [c.168]

Дислокации в гексагональных плотно упакованных кристаллах Дислокации в кристаллах со структурой вюрцита Поле напряжений дислокации. Взаимодействие дислокаций друг с другом и с точечными дефектами Методы наблюдения дислокаций [c.391]

Другой областью применения оптической спектроскопии является изучение образования точечных дефектов при механическом нагружении кристаллов (см., например, работу [464]). Можно надеяться, что метод ИК-спектроскопии удастся распространить на изучение локальных напряжений в неполимерных материалах. Уже имеются наблюдения изменений колебательных спектров кристаллов вследствие искажений решетки за счет дислокаций [859]. [c.269]

Нами в ряде работ [8, 9] была установлена определяющая роль локальных активных центров — точечных дефектов и их скоплений при различных гетерогенных процессах. Существование таких активных центров было доказано прямыми электронномикроскопическими наблюдениями [10, 111. При декорировании серебром поверхности кристалла триглн-цинсульфата в сегнетоэлектрическом состоянии, т. е. ниже точки Кюри (49° С), выявляется дефектная структура поверхности (активные центры), коррелирующая с доменной структурой, определенной другими методами, в частности травлением [12]. Серебро избирательно кристаллизуется на доменах одного знака заряда, так что выявляются характерные для три-глнцинсульфата линзообразные и прямолинейные домены. Средняя плотность частиц серебра составляет 10 см , что соответствует средней плотности точечных дефектов на поверхности ионных кристаллов. [c.246]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология