Напряжения локальные

Здесь Е — напряженность локального поля а>о — характеристическая частота, связанная с силовой постоянной k и массой осциллятора m соотнощением 2 = e/m. [c.238]

Здесь Е — напряженность локального поля ыо — характеристическая частота, связанная с силовой постоянной к и массой осциллятора т соотнощением азо = к1т. В простейшем случае при г = х получим [c.179]

Кроме взаимодействия между системой ядерных спинов и решеткой, магнитные ядра системы могут также взаимодействовать друг с другом посредством магнитных полей. Один из путей такого взаимодействия появляется вследствие того, что результирующее магнитное поле в месте расположения какого-либо отдельного ядра состоит не только из внешнего магнитного поля Н , но и слабого локального магнитного поля Я ,ок, создаваемого соседними магнитными ядрами. Так, протон на расстоянии 10 нм создает локальное магнитное поле около 176 А/м. По мере удаления г от ядра напряженность локального магнитного поля быстро падает ( /г ) так что существенное влияние на него могут оказывать только его ближайшие соседи. Но и этого достаточно, чтобы отдельные [c.24]

В реальном теле каждое ядро находится в локальном магнитном поле, которое создают соседние ядра, а также электронные оболочки атомов. В разных точках тела напряженность локального поля различна по значению и направлению, и при прохождении области резонанса ядра поглощают не одновременно. [c.28]

В том случае если частица Л1 — электрон (неспаренный спин в парамагнитных веществах), напряженности локальных полей могут достигать 1 Т. [c.29]

Приведенные выше соображения о структуре флокул коагулята относятся к случаю достаточно сильного магнитно-дипольного взаимодействия частиц (I7a кТ), а оценка магнитной восприимчивости — к слабым магнитным полям. Последнее означает, что напряженность Не внешнего поля намного меньше напряженности локального поля Я/, создаваемого на частице всеми ее соседями Z В случае двойников г = 2а, Z= 1, и напряженность локального магнитного поля достигает, согласно формулам (3.9.54) и (3.9.74), величины порядка М . В общем случае при сильном взаимодействии Z + 1 частиц справедливо соотношение [c.660]

В предельном случае — при воздействии на дисперсную систему сильных внешних полей — частицы объединяются в длинные, параллельные полю цепи. Цепи в феррожидкостях отличаются от цепей в суспензиях тем, что в феррожидкостях расстояние между соседними по цепи частицами может быть существенно больше диаметра частиц. Обусловлено это несопоставимо разным вкладом толщины защитной оболочки в равновесные расстояния между соседними частицами цепи в золях (феррожидкостях) и в суспензиях. Защитные оболочки имеют примерно одну и ту же толщину и на частицах феррожидкости, и на частицах суспензии, но в золях она сравнима с размером частиц, а иногда и больше его, а в суспензиях пренебрежимо мала по сравнению с размером частиц. Это и приводит к указанному различию в расположении частиц в цепях феррожидкостей и суспензий. Оно влечет за собой соответствующее различие в напряженности локальных полей, создаваемых на каждой частице ее соседями по цепи, а следовательно, к различию в прочности цепей и их способности неограниченно расти с увеличением напряженности поля, концентрации частиц и времени. [c.664]

При этом М и X по мере увеличения вклада напряженности локального поля Я, в напряженность суммарного поля Н Н = Не + Н становятся все больше по сравнению с намагниченностью и восприимчивостью взвеси равномерно распределенных частиц. С увеличением напряженности внешнего поля Не этот эффект стремится к нулю вследствие насыщения намагниченности. [c.664]

Различие величин Н и Я о показывает, что до намагничивания напряженность локальных полей была приближенно в 2-3 раза больше, чем после намагничивания. Именно таким это различие и должно быть, если первоначальная структура представляет собой систему антиферромагнитно упорядоченных магнитных моментов (рис. 3.74, а), а после намагничивания — ферромагнитно упорядоченных магнитных моментов (рис. 3.74, б). То и другое состояние устойчиво по отношению к слабым возмущениям ориентации магнитных моментов частиц. Ферромагнитное упорядочение при локализации частиц в узлах кубической решетки эквивалентно системе параллельных цепочек, намагниченных в одном направлении вдоль одной из осей решетю . Анти- [c.666]

При ферромагнитном упорядочении шести ближайших соседей каждой частицы (2 вдоль цепи и 4 в соседних цепях) суммарная напряженность локального поля равна нулю. Тем не менее, напряженность локального поля Я/ кубической ферромагнитной решетки отличается от нуля и совпадает с направлением намагниченности благодаря вкладу 8 соседних частиц, расположенных на диагоналях кубической решетки. Этот вклад, согласно формуле (3.9.56), описывется следующим выражением [c.666]

При антиферромагнитном упорядочении вклад всех шести ближайших соседей по решетке в напряженность локального поля положителен и равен АН , а вклад диагональных соседей имеет обратный знак и численно равен Hf. Так что напряженность локального поля Н1 на магнитных моментах частиц при антиферромагнитной ориентации магнитных диполей составляет 3,2Нс,- [c.666]

Фактическая напряженность локального поля Я/ после намагничивания может быть больше 0,8Яс , потому что параллельно намагниченные цепи отталкиваются. При этом расстояние между соседними цепями тем больше, чем меньше концентрация суспензии. Это уменьшает, вплоть до нуля, вклад соседних цепей в напряженность локального поля Я, внутри отдельной цепочки частиц, и она приближается к величине 2Нс,. [c.666]

При цепочечной структуре дисперсной системы с малым размером частиц напряженность локального поля уменьшается в сравнении с величиной 2На за счет тепловых флуктуаций направления магнитных осей частиц. Этот эффект учитывается так же, как и при описании магнитной восприимчивости — заменой в формуле (3.9.56) постоянного магнитного момента час- [c.666]

Здесь п — концентрация частиц суспензии. В любом случае при насыщении намагниченности напряженность локального поля в суспензии приближается к напряженности поля в тонком зазоре между намагниченными до насыщения телами, т. е. к максимально возможной величине, а восприимчивость — к нулю. Поэтому максимум эффекта структурного увеличения намагниченности находится вдали от насыщения, когда магнитная восприимчивость дисперсной системы х остается еще достаточно большой, но цепочечная структура уже сформирована. [c.667]

В частности, если расстояние между частицами изменять путем механической деформации упругого материала (резины) с магнитным наполнителем вдоль поля на величину 8 , то при постоянстве объема образца Е1 = 1 /2, и напряженность локального магнитного поля описывается формулой [c.667]

Таким образом, при нагружении металла следует различать номинальные (средние по сечению) и локальные (дезориентированные) напряжения. Локальные напряжения определяют интенсивность коррозионных процессов, а номинальные [c.435]

В классической микроскопической теории вводится понятие напряженности локального поля Е. Напряженность локального поля можно определить как мгновенную напряженность поля в области расположения какой-то фиксированной молекулы, обусловленную полями всех зарядов диэлектрика, за исключением зарядов, связанных с рассматриваемой молекулой. При таком определении предполагается, что Е приблизительно однородно во всей маленькой области, занятой молекулой. [c.178]

Макроскопическое описание действующих полей далеко не всегда возможно, так как поле Е является функцией состояния частицы и, таким образом, по своему характеру — величина микроскопическая. Различие между полями, действующими на разные частицы, часто оказывается существенным. Вместе с тем встречаются и такие случаи, когда различием между средними полями, действующими на разные частицы, можно пренебречь, и по этой причине имеет смысл рассматривать одно для всех частиц среднее действующее поле. Это относится, например, к кубическим кристаллам с одной молекулой в элементарной ячейке, к некоторым однокомпонентным простым жидкостям, к полимерам. В этом случае напряженность локального поля связана с макроскопической напряженностью формулой Лорентца [56] [c.178]

Для сохранения традиционности расчетов в напряжениях локальные местные деформации пересчитываются в локальные условные упругие напряжения [c.81]

Наличие локального поля приводит к расщеплению энергетических уровней и к размытию спектра поглощения при резонансе. Хотя напряженность локального поля невелика и составляет 5—10 Э при напряженности внешнего поля Яо 10000 Э, тем не менее ввиду очень большого числа взаимодействующих между собой протонов (а также изолированных групп протонов) локальное поле приводит к появлению спектра поглощения, имеющего сложную форму и конечную полуширину. Обычно эксперимент по наблюдению ядерного магнитного резонанса проводят таким образом, что частота электромагнитной волны V, распространяющейся в полимере, остается постоянной (и составляет несколько десятков МГц), а напряженность магнитного поля Яо плавно изменяется в сравнительно узких пределах, достаточных для того, чтобы выполнялось условие резонанса (6.3), В общем случае кривая резонансного поглощения может иметь сложную форму (рис. 49). Чаще всего регистрируется не сама кривая поглощения, а ее первая производная по напряженности магнитного поля (рис, 49). [c.207]

Выше речь шла ради наглядности о деформации образца. В действительности же и функция крипа, и функция релаксации являются локальными характеристиками среды, и чтобы придать им точный физический смысл, следует под образцом понимать физически бесконечно малый объем среды, связанный вязко-упругими силами с окружением, а под напряжениями — локальные напряжения в точке, где находится этот объем. Эти напряжения могут быть либо касательными, либо нормальными, в зависимости от того, о каких деформациях идет речь. [c.109]

Лоренц впервые рассмотрел метод расчета напряженности локального поля. Согласно его модели [c.10]

При этих условиях напряженность локального поля будет равна [c.10]

Диполь— дипольное уширение в спектрах ЭПР. Так как неспаренный электрон обладает магнитным моментом, он должен рассматриваться как магнитный диполь, который является источником магнитного поля. Таким образом, каждая парамагнитная частица находится не только во внешнем магнитном поле, но также и в локальном поле окружающих ее других парамагнитных частиц. Если парамагнитные частицы расположены в образце беспорядочно, то величины локальных полей для разных частиц различны. Обозначим среднюю величину разброса напряженности локальных полей АЯлок. Тогда условия резонанса (IX.15) начнут выполняться при напряженности внешнего магнитного поля Явн=Яо—АЯдок. При этом частицы, находящиеся в локальном поле +АЯлок, окажутся в суммарном поле [c.235]

В рассмотренном примере грубого приближения спектр поглощения протона представляет собой одну линию. На самом деле на каждый протон воздействз от магнитные поля окружающих его протонов, приводящие к появлению отличной от нуля напряженности локального магнитного поля Н к, и условие резонанса имеет вид [c.253]

Механизм воздействия внешнего поля на взаимодействие магнитных диполей связан с тем, что вращательное тегиювое движение частиц вынуждает флуктуировать магнитные оси диполей вблизи направления суммарного поля Н, действующего на диполь. Средняя величина косинуса угла (Нт) между направлением поля Н и диполя т и есть функция Ланжевена ( ). В отсутствие внешнего поля при Я= Hi, следовательно, А, = . Поэтому при условии (3.9.81) и, согласно формуле (3.9.70а) i( ) = )1о г,Я / ЪкТ. Здесь использованы принятые выше индексированные обозначения магнитного момента т, и локального поля Я, партнеров по взаимодействию. Вращательная тепловая диффузия оси диполя nij не слишком сильно влияет на напряженность локального поля Hj. Согласно формулам (3.9.75) и [c.662]

В другом предельном случае, когда напряженность внешнего поля Н существенно больше напряженности локального поля, можно считать, что Н= Н , и тогда значение функции Ланжевена 1(У определяется ее аргументом = 1опгНе / кТ во внешнем поле в соответствии с общим выражением (3.9.70). [c.662]

В цепи действующее на частицы поле практически совпадает по направлению с внешним полем, а его напряженность слегка увеличена на величину напряженности локального поля, которое в среднем направлено параллельно внешнему полю, так что Н = Н<, + Н,. Намагниченность М дисперсной системы в этом случае определяется произведением а восприимчи- [c.664]

Здесь г — период решетки. Знаменатель числового множителя (8/3 ) отражает то обстоятельство, что расстояние между частицми на диагонали куба в 3 больше периода решетки г. Численно величина Hf составляет 4/3 от напряженности локального поля На = 2т А%/ на частицах двойника в первом Гауссовом положении (рис. 3.67, конфигурация 1), т. е. около 0,8На. [c.666]

Простейшим методом, в котором делается попытка учесть электростатические взаимодействия между молекулами, является метод локального поля Лорентца. Лорентцовское вычисление напряженности локального поля сохраняет свою силу и при оптических частотах в тех же условиях, что и в статическом случае, если длина волны переменного поля велика по сравнению с периодом решетки. Применительно к полимерам это означает, что длина волны должна быть велика по сравнению с размерами элементарной ячейки (или, приближенно, со средним расстоянием между атомами соседних макромолекул). [c.185]

В рассмотренном (очень грубом) приближении спектр поглощения протона будет представлять собой одну линию. На самом деле на каждый протон полимера действуют еще и магнитные поля окружающих его протонов. Это приводит к появлению отличной от нуля напряженности локального магнитного поля Ялок, обусловленного магнитными моментами соседних протонов. Локальное поле может уменьшать или увеличивать магнитное поле, действующее на протон, в зависимости от ориентации магнитных моментов взаимодействующих протонов. Учет локального поля приводит к тому, что условие резонанса (6.2) должно быть записано в виде [c.206]

Частота корреляции и энергия активации. Выше уже говорилось о том, что 6Я, а следовательно и h.H зависят от напряженности локального поля Н лок) которое действует на каждое ядро. Если ядра атомов участвуют в тепловом движении, то напряженность локального поля является функцией времени, и наибольший интерес представляют параметры, характеризующие среднее значение <Ялок (t)> и скорость изменения этой величины. Для описания среднего во времени значения Ялок используется понятие о корреляционной функции [c.210]

Из выражения (6.6) следует, что корреляционная функция в данном случае представляет собой среднее по времени значение произведения напряженностей локальных полей, разделенных временным интервалом т. В нашем случае корреляционная функция является мерой связи между двумя последовательными значениями Ялок( ). Таким образом, может быть введено понятие о времени корреляции Тс, которое является параметром, показывающим скорость изменения локального поля во времени, а следовательно, и скорость изменения функции корреляции. Если т = тс, то значение функции корреляции R(t) (6.6) уменьшается в е раз. Время корреляции в известной степени аналогично времени диэлектрической релаксации. Особенно полной эта аналогия становится при рассмотрении жидкостей. Время корреляции Тс в этом случае связано простым соотношением с временем диэлектрической релаксации то, найденным по формз ле, вытекающей из теории Дебая [c.210]

Процесс сушки различных коллоидных капиллярно-пористых, волокнистых и высокомолекулярных материалов сопровождается изменением их структуры и объема. В результате этого во влажных дисперсных материалах возникают нерелаксируемые внутренние напряжения. Локальные концентрации напряжений в отдельных частях сушимого тела приводят к снижению обшей прочности, растрескиванию, крошимости материала. [c.439]

Результирующая этих сил либо затянет клетку в зону максимальной напряженности локального микрополя — к месту соприкосновения зерен между собой (если Fg>Pe- -F ), либо доставит к положительно заряженной стороне поляризованной поверхности загрузки (если Т е >+ с), либо унесет потоком жидкости (если / с > -Ь Рщ)- в этом последнем случае не происходит освобождения воды от микробных тел. Следовательно, для усиещного отделения микроорганизмов необходимо соблюдать неравенство [c.227]

С переменой знака нагружения пластически деформироваппыо металлы обнаруживают Т. при напряжении более низком, чем продел текучести в направлении предварительного нагружения (эффект 13аушингера). Т.— важное технологическое св-во материалов, определяющее их способность поддаваться обработке давлением при формообразовании полуфабрикатов (металлургия), а также конструкционных элементов н детале машин (строительная индустрия н машиностроение). Чтобы определить способность металлов к Т. при холодной вытяжке, прибегают к испытаниям типа технологической пробы (испытаниям па загиб, на выдавливание, на расплющивание и др.). Т. металла в местах расположения дефектов и конструкционных источников концентрации напряжений способствует распределению и релаксации напряжений. Локальная поверхностная Т. прп поверхностном наклепе приводит к возникновению системы остаточных напряжений, обеспечивающей повышение выносливости при циклических нагрузках. Вместе с тем в процессе эксплуатации ответственных деталей машин Т., как правило, недопустима, и ее стараются избежать, ограничивая при расчетах допустимые напряжения пределом упругости. К особым мерам предосторожности против Т. прибегают в различного вида пружинах. К вредным последствиям Т. относятся также процессы деформационного старения, иногда проявляющиеся в изделиях, подвергнутых глубокой вытяжке. Лит. Фридман Я. Б. Механические свойства металлов, ч. 1—2. М., 1974 Н а -д а и] А. Пластичность и разрушение твердых тел. Пер. с англ. М., 1954 Физическое металловедение, в. 3. Пер. с англ. М., 1968 Макклинток Ф., Аргон А. Деформация и разрушение материалов. Пер. с англ. М., 1970. О. Н. Ро.мание. [c.512]

ЯМР-спектроскопия широких линий. Сиектр ЯМР изол 1рованных ядер представлял бы собой одну линию, расположенную при Я=Яо- В реальном тело каждое ядро находится в локальном магнитном поле, к-рое создают соседние ядра, а также электронные оболочки атомов. В разных точках тела напряженность локального ноля различна ио значению и направлению, и 1 ри прохождении области резонанса ядра поглощают не одновременно. Поэтому спектр твердого тепа представляет собо г широкую линию (рис. 2, а), описываемую функ-цие 1 g h), где к Н—Яо. Как правило, на ЯМР-сиект-рометрах широких лини " зашгсывают производную функции иоглощения g h) (рис. 2, б). [c.520]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология