Кристаллы винтовые дислокации

Рис. 75. Несовершенства кристалла / — винтовая дислокация 2 — мономо-лекулярная ямка 3 — примесь на поверхности 4 — ступенька и излом 5 — ступенька 6 — адсорбированный ион

Рис. 6.8. Линейный дефект кристалла (винтовая дислокация)

Франк объяснил это противоречие, предположив, что рост кристалла определяется винтовыми дислокациями. На рис. XIV. 11 показан выход на поверхность кристалла винтовой дислокации. [c.282]

Теоретические расчеты показывают, что идеальный бездефектный кристалл может расти, например, из раствора или расплава с заметной скоростью только при очень больших пересыщениях (порядка 25. ..50%). Однако реальные кристаллы растут с достаточно большой скоростью даже при ничтожных (в тысячи и более раз меньших, чем рассчитанные теоретически) пересыщениях. В настоящее время это объясняется наличием в кристаллах винтовых дислокаций. Рассмотрим механизм роста идеального кристалла и кристалла, содержащего винтовую дислокацию. [c.99]

Ясно также, что винтовые дислокации могут быть двух знаков. Так, на рис. IV.3 часть параллелепипеда слева от разреза можно было бы сместить на одно межмолекулярное расстояние вниз, а не вверх. Поскольку винтовая дислокация образует спиральную структуру решетки кристалла, винтовая дислокация противоположного знака будет давать спираль, закрученную в противоположную сторону. [c.123]

Краевая дислокация может быть получена введением неполной атомной плоскости между двумя соседними полными плоскостями в кристалле. Винтовая дислокация образуется за счет смещения края разреза в направлении, параллельном дислокационной линии, так что образуется винтовая поверхность, которая непрерывно закручивается вокруг оси дислокации. Краевые и винтовые дислокации — основные типы дислокации все остальные дислокации представляют их комбинации. [c.24]

Тёмкин высказал предположение, что наблюдаемые иа опыте отклонения от ленгмюровской зависимости обусловлены неоднородностью поверхности (в настоящее время мы понимаем под участками неоднородности ребра плоскостей роста кристаллов, винтовые дислокации, выступы и т. д.). Он предложил модель, согласно которой поверхность рассматривается как совокупность небольших площадок одинакового размера, на каждой из которых адсорбция протекает независимо и подчиняется изотерме Ленгмюра. Предполагается, что с ростом поверхностного заполнения в адсорбцию включаются новые площадки с меньшей стандартной свободной энергией адсорбции, причем для разных площадок энергия адсорбции отличается на небольшую, но постоянную величину. Таким образом, изменение стандартной свободной энергии адсорбции с заполнением можно выразить уравнением [c.420]

Положение атомов, находящихся по соседству с линией дислокации, постоянно искажено по сравнению с тем, которое наблюдается в идеальном кристалле. Иллюстрация этого на примере двух предельных форм дислокации в простой кубической рещетке дана на рис. 20. Первая из них — линейная дислокация (рис. 20, а)— является следствием незаполнен-ности атомами плоскости кристалла. Винтовая дислокация (рис. 20, б) является следствием спиральной неровности плоскостей кристалла. Существует еще множество более трудных для описания промежуточных форм. Имеется непрерывный ряд промежуточных форм (которые несколько труднее изобразить), и по мере кручения и вращения отдельная линия дислокации в кристалле может принимать какую-либо одну и все возможные формы в зависимости лищь от локального направления этой линии. [c.133]

Электронно-микроскопическими исследованиями показано, что растущие на щелочно-галоидных подложках кристаллиты имеют размеры от 0,1 до 1 мкм . Для полиэтилена Веллинг-хофф, Рибникар, Бэр [36] установили, что эти кристаллиты плотно упакованы на поверхности вдоль направления < 110> (< 110>) кристаллиты размером примерно 170 А расположены на расстояниях около 200 А. Это и понятно ведь естественно ожидать, что нуклеация различных кристаллитов будет начинаться практически одновременно. Полагают, что нуклеация начинается на ступеньках поверхности, которые образуются при раскалывании кристаллов в результате пересечения плоскости скола с ранее существовавшими в кристалле винтовыми дислокациями [36, 49—63]. В частности, известно, что у ионных твердых тел со структурой типа ЫаС1 образуются дислокации с заряженным ядром [49]. Таким образом, следует ожидать, что плоскость скола кристалла должна иметь электрически гетерогенную структуру [49—64]. Показано, что одноименно заряженные вакансии поверхности должны обнаруживать тенденцию к группировке в домены [50—57]. Дистлер в экспериментах по декорированию на поверхностях монокристаллов хлористого натрия обнаружил домены размером примерно 1 мкм [51]. [c.107]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология