Дислокации взаимодействие

Дислокации взаимодействуют и с точечными дефектами. Это взаимодействие представляет большой практический интерес, так как прочностные свойства материала существенно зависят от характера и силы их связи. Особенно важную роль при этом играют примесные дефекты. Энергия этого взаимодействия составляет 0,75—, 3 эВ ( 0,4—0,8-Дж/м ). [c.58]

Рис. 51. Отталкивание (а) скользящего ряда дислокаций краевой дислокацией. Взаимодействие (б) между краевой дислокацией и скользящим рядом согласно схеме, приведенной на рис. 50, б.

Проще всего описать взаимодействие параллельных прямолинейных дислокаций. Прямолинейные винтовые дислокации взаимодействуют как постоянные линейные токи, и никакой дислокационной специфики в этом взаимодействии нет. Поэтому мы опишем [c.293]

Бюргерса Аа + оВ). Краевая дислокация может в этом случае иметь вектор Бюргерса с основными компонентами Ло, Ва и Са. Вначале рассмотрим случай, представленный на рис. 53, а. Краевая дислокация взаимодействует с двумя частичными дислокациями, и две частичные дислокации удерживаются на расстоянии благодаря наличию области отрицательной энергии дефекта упаковки и отталкивания между ними. На рис. 53, е [c.72]

Приведенными примерами мы пытались показать большой интерес исследований, проведенных на металлах высокой степени чистоты, достигнутой благодаря зонной плавке. Этот метод очистки в дальнейшем может быть усовершенствован применением вертикальной зонной плавки и с большими количествами вещества. При достигнутой степени очистки некоторые атомы примесей в решетке металла играют очень важную роль, которую можно объяснить на основе теории дислокаций. Взаимодействие между атомами примесей и дефектами решетки, а также взаимодействия между дефектами оказывают влияние на многие свойства металла, такие, как рекристаллизация при низкой температуре, полигонизация, внутрикристаллическая коррозия, химические и структурные свойства поверхности, диффузия. [c.368]

Дислокации в гексагональных плотно упакованных кристаллах Дислокации в кристаллах со структурой вюрцита Поле напряжений дислокации. Взаимодействие дислокаций друг с другом и с точечными дефектами Методы наблюдения дислокаций [c.391]

Кроме того, скорость ползучести при 1000°С для нестехиометрического состава всегда на порядок величины больше, чем для стехиометрического. Это можно объяснить увеличением трения в решетке из-за взаимодействия точечных дефектов с дислокациями. Взаимодействие скользящих дислокаций с кластерами вакансий в нестехиометрическом рутиле наблюдалось также с помощью электронного микроскопа. По-видимому, кластеры вакансий возникают в результате нестехиометрии соединений. [c.101]

При изучении ионных кристаллов было обнаружено, что дислокации взаимодействуют с заряженными собственными атомными дефектами. Дислокации приобретают таким образом заряд, который компенсируется ионной атмосферой по Дебаю и Хюккелю, состоящей из дефектов, имеющих заряд противоположного знака см. гл. XIX. [c.233]

Дислокации взаимодействуют друг с другом, причем силы этого взаимодействия возникают как результат наложения их полей напряжений. Если в поле напряжений первой дислокации вводить вторую, суммарный вектор Бюргерса будет либо возрастать, либо уменьшаться в соответствии с правилами сложения векторов. При этом происходит либо взаимное притяжение, либо отталкивание дислокаций. [c.58]

Помимо концентрации и прочности фазовых контактов необходимо учитывать дефектность кристаллических блоков, слагающих пористое тело, главным образом плотность и распределение дислокаций, взаимодействие их друг с другом и с точечными дефектами. Формирование фазовых контактов как быстро растущих кристаллических новообразований, связано с движением и развитием дислокаций [54, с. 129]. Концентрация их в объеме индивидуального фазового контакта определяет его прочность, а следовательно, и прочность дисперсной структуры в целом. [c.65]

При экспериментальном изучении упругих двойников всегда отмечалась малость отношения его толщины к длине (например, для кальцита h/b Ю ", для висмута и сурьмы hfb 10 ) ). Если же силы неупругого происхождения не малы (такая штуацая возникает в кристаллах, где наряду с двойникованием протекает скольжение и двойникующие дислокации взаимодействуют с дислокациями леса , с полосами скольжения, возникающими вблизи двойника, и т.д.), то двойники могут быть достаточно толстыми (рис. 3.11). [c.68]

При больших скалывающих напряжениях величина скоплений определяется, по-видимому, характером препятствий, которые встречают дислокации в плоскости скольжения, а именно, распределением и степенью преодолимости препятствий. В монокристаллах чистых металлов сопротивление сдвигу обусловливается, в частности, взаимодействием параллельных дислокаций, лежащих в близких плоскостях скольжения, сидячими дислокациями, взаимодействием скрещивающихся дислокаций и возникновением при их пересечении уступов [201, 225], которые при последующем движении могут вызвать появление цепочек вакансий или межузловых ионов, и т. д. В поликристаллах решающую роль приобретают границы зерен [281]. В сплавах дислокации при своем движении должны преодолевать включения инородных атомов с той или иной степенью дисперсности препятствием движению служит также адсорбция на дислокациях внедренных атомов ( атмосфера Коттрелла ) [201, 232]. Особый интерес представляет взаимодействие дислокаций со свободной поверхностью кристалла [ИЗ, 117, 233]. [c.204]

ДНИ смешения компонентов. Быстрая массовая кристаллизация приводит к возникновению многочисленных дефектов кристаллов, в том числе и дислокаций, взаимодействующих друг с другом с образованием сложной пространственной системы дислокационных стволов. Последние являются артериями для внутри-блочной диффузии ионов, при гидратации которых на поверхности кристаллов появляются водно-солевые комплексы (ВСК) (см. главы 4 и 5)i В процессе сушки они частично диссоциируют таким образом, что вода выделяется в полости пространственных дефектов гранулы, а дегидратированные ионы участвуют в залечивании отдельных дефектов кристаллической структуры. Эти процессы, а также движение дислокаций под действием упругих сил, возникающих в гранулах при их формировании и высушивании, протекают сравнительно медленно. Поэтому время супгки гранулированного продукта определяется не столько продолжительностью удаления влаги из продукта, сколько временем его дозревания , сущность которого заключается в протекании указанных кристаллизационных процессов. Окончательное завершение их происходит и на последующих стадиях технологического процесса, а также на складе готовой продукции в течение примерно 1,5—2 сут. [c.36]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология