Влияние ионизирующих излучений на а-окиси

Одним из объектов настоящего исследования была выбрана окись цинка. Окись цинка — типичный примесный полупроводник, характеризующийся электронной проводимостью. Ширина запрещенной зоны 3,3 эв. Следует отметить, что при температуре 20° С на окиси цинка хемосорбция водорода наблюдается и в отсутствие у-облучения. В поле у-излучения на окиси цинка происходит наложение, а возможно, и взаимное влияние термической и радиационной хемосорбции водорода. Частично это явление имеет место и для хемосорбции кислорода на ZnO, хотя термическая хемосорбция кислорода в этих условиях незначительна, что согласуется с данными [7]. На рис. 2, а приведены кинетические кривые хемосорбции водорода и кислорода на ZnO, снятые при действии ионизирующего излучения при температуре 20° С и начальном давлении, равном 0,8—1,0 мм рт. ст., на рис. 2, б — кинетические кривые термической хемосорбции водорода и кислорода на ZnO при тех же условиях. Как следует из приведенных данных, для радиационных составляющих хемосорбции адсорбированное количество и скорость радиационной хемосорбции Оз на ZnO превышают таковые для водорода на ZnO. На рис. 3 представлены кинетические кривые радиационной хемосорбции [c.243]

Существенное значение имеют работы Г. Фрикке и сотр., выполненные в 20—30-х годах. В этих работах был описан фер-)осульфатный метод дозиметрии ионизирующих излучений 5, 6], сформулировано понятие о косвенном действии излучения на растворенное вещество [7], установлено влияние кислорода на ход радиолиза водных растворов [5, 8], показано существенное влияние органических примесей на радиолитиче-окие превращения в водных растворах [9], приведена методика приготовления весьма чистой воды [10] и др. Для интерпретации экспериментальных результатов Г. Фрявке выдвинул ги- [c.72]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология