Четвертичные азотистые основания

Если в молекуле четвертичного азотистого основания имеется гидроксильная группа, занимающая геометрически выгодное положение, то часто образование третичного амина из четвертичной аммониевой соли может происходить по механизму, не требующему отщепления Р-водородного атома. В результате будут получаться продукты, не содержащие двойной связи. В подобных случаях кислород гидроксильной группы связывается с атомом углерода, находящимся в а-положении к азоту, по схеме бимолекулярного замещения. Процесс элиминирования приводит, следовательно, к образованию циклического простого эфира, как показано ниже [c.351]

Одновременное введение соли четвертичного азотистого основания и пластификатора (диизооктилфталата и др.) понижает [c.125]

Одновременное введение соли четвертичного азотистого основания и пластификатора (диизооктилфталата и до.) понижает pu полимеров и сополимеров винилхлорида при 20°Сдо 10 Ом-м по сравнению с 10 Ом-м для контрольных образцов [134]. [c.102]

Четвертичные азотистые основания получают присоединением алкилгалогенидов, сульфатов или сульфонатов к третичным аминам. Применяются четвертичные аммониевые соли главным образом для смягчения текстильных тканей, при флотации руд, а также для дезинфекции. [c.8]

Промышленные анионообменные материалы — преимущественно смолы, содержащие первичные, вторичные и третичные аминогруппы или четвертичные азотистые основания либо включающие в свою структуру азотистые гетероциклы. [c.38]

ЧЕТВЕРТИЧНЫЕ АЗОТИСТЫЕ ОСНОВАНИЯ [c.85]

Кроме галоидных четвертичных солей аммония, часто упоминаются его сульфаты, метил- и этилсульфаты. Кроме того, описаны бензол- и алкилбензолсульфонаты, высшие алкилсульфаты, а также нитраты различных поверхностноактивных четвертичных азотистых оснований [65]. [c.86]

Четвертичные азотистые основания 87 [c.87]

Существенное различие в протекании реакций дегидрагало-генирования галоидных алкилов й расщепления четвертичных азотистых оснований по Гофману заключается в следующем, [c.116]

Исследования поверхностной активности полимерных мыл, получаемых при образовании четвертичных азотистых оснований в молекулах поли-4-винилпиридина при реакции с -додеципбромидом и этилбромидом, на границе раздела воздух — вода и воздух — углеводород показали, что в отсутствие добавленных низкомолекулярных электролитов поверхностная активность полимерных мыл очень мала. Это означает, что образование внутримолекулярных мицепп не приводит к значительной адсорбции полимерных мыл на границе раздела фаз воздух — вода. Однако наблюдается заметное уменьщение межфазного натяжения в присутствии полимерных мыл на границе раздепа между водой и гептаном и водой и бензолом. Во всех случаях поверхностная активность полимерных мыл существенно усиливается при добавлении низкомолекулярных электролитов [ 13 ]. [c.571]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология