Сирс Sears

Несмотря на это, однако, существование подвижного адсорбционного слоя было хорошо подтверждено экспериментом. Это подтверждение обсуждалось нами в разделах III.22 и V.2. Более того, Сирс [Sears, 1956а] определил, что перемещение адсорбированного атома ртути по поверхности составляет около 10 А,.как говорилось в разделе V.3. Сравним эту величину со значением 3 X X 10 А полученным выше расчетным путем. Ввиду прпближеи]Юго характера расчетов и эксперимента, сходимость результатов надо считать разумной. [c.168]

VII.74. Испарение совершенных кристаллов. Интересная работа была проведена Сирсом [Sears, 1956b] по испарению кристаллов паратолуидина. Кристаллы выращивались из пара и часто были настолько тонки, что имели однородную интерференционную окраску в проходящем поляризованном свете. Пластинки вырастали от очень малых размеров до 4 X 4 мм без изменения интерференционной окраски. Это свидетельствует об изменении их толщины менее чем на 20 А. Следовательно, латеральная скорость роста таких кристаллов была в 10 раз больше, чем нормальная скорость роста. Кристаллы выдерживали упругие деформации в 1%, что доказывает их почти совершенную структуру (раздел IV. 4). [c.248]

Рост из раствора. Известно много примеров роста усов из растворов. Сирс [Sears, 1958] обнаружил, что если охлаждать раствор КС1, насыщенный при высокой температуре, образуется большое число тонких пластинок и вдобавок очень большое количество усов. Диаметр усов, которые еще можно увидеть, равнялся 20. икм. Таким же образом ведет себя КВг и KJ. aS04-2H20 растет из водных растворов обычно в форме очень тонких игл, которые можно рассматривать как усы. [c.289]

Сирс (Sears, 1962) описывает искусственные нитевидные кристаллы форстерита Mg2Si04, которые получались в виде перепутанного клубка наподобие хлопка. Кристаллы были очень тонкими — около 0.2 мк и находились в сильно изогнутом состоянии. Упругая деформация этих кристаллов оказалась даже выше, чем для пятиокиси ниобия (см. стр. 253). Сирс указывает, что эта деформация, как видно из опытов по сгибанию, составляет по крайней мере 11%. [c.254]

Сирс и Колеман [Sears, oleman, 1956] наблюдали образование усов цинка, которые росли либо на подложке из стекла Пирекс, либо на кристаллах цинка. Толщина усов составляла 1—3 мкм, длина — до нескольких миллиметров. Когда два уса соприкасались при росте, в острых углах между соприкасающимися усами у точки контакта вырастали перемычки цинка. Они были чрезвычайно тонкими, т. е. их рост был заторможен в одном направлении. В одном случае перемычка соприкоснулась с другим усом почти под прямым углом и немедленно начала утолщаться, очевидно, из-за того, что было устранено оставшееся торможение в одном направлении. [c.136]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология