Испарение кристаллов

Энергия решетки характеризует ее прочность и может быть также измерена той работой, какую надо было бы затратить на разрыв всех межчастичных связей в моле кристаллического вещества с с последующим удалением частиц на бесконечно большое расстояние друг от друга . Этот процесс вполне аналогичен испарению кристалла. [c.115]

Эти факты объясняются следующим молекулярным механизмом. Укрупнение кристаллов вызывается перемещение атомов, которое направлено в среднем от мелких кристаллов к крупным. Мелкие кристаллы исчезают, а крупные растут. Перемещение происходит без расплавления и испарения кристаллов, но при их непосредственном соприкосновении, так как вызывающие его силы притяжения атомов действуют только на очень малых расстояниях. В условиях соприкосновения и следует искать причины стабильности поликристаллических агрегатов при низких температурах и рекристаллизации их прн нагревании. [c.204]

Известно, что рост кристаллов тесно связан с винтовыми дислокациями. Однако, исследования кинетики испарения кристалла путем удаления спиральных слоев, высота которых соответствовала вектору Бюргерса порядка 2-10 см [41], показали, что можно пренебречь влиянием энергии деформации решетки в точке выхода на поверхность винтовой дислокации на скорость испарения. Авторы работы [41 ] считают, что расстояние между ступенями, порожденными винтовой дислокацией, быстро растет, достигая такой же величины, как и в случае, когда единственным источником моноатомных ступеней является край кристалла. Поэтому на таких дислокациях ямки травления не образуются. [c.49]

Испарение кристаллов. Природа газа [c.42]

Может показаться неожиданным, что молекулы, находящиеся на поверхности кристалла, испаряются и переходят непосредственно в газ, минуя стадию пребывания в жидком слое но в действительности процесс медленного испарения кристаллических веществ отнюдь не является необычным. Твердые кусочки камфоры или нафталина (в том виде, в котором его применяют, например, в качестве средства против моли), оставленные на воздухе, медленно уменьшаются в размере именно в результате испарения молекул с поверхности твердого вещества. Снег может исчезнуть с почвы не в результате таяния, а в результате испарения кристаллов льда при температуре ниже температуры его плавления. Испарение ускоряется в ветреную погоду, когда водяные пары уносятся от кристаллов снега и таким образом предотвращается обратная конденсация их на кристаллах. [c.42]

Энергия активации испарения кристаллов и расплава фторфлогопита при 1570—1770 К [c.61]

Современная теория дислокаций может явиться основой для углубленного изучения механизма и кинетики процессов разрушения кристаллов при растворении минералов и других химических соединений. При этом представляется возможным исходить из данных по экспериментальному и теоретическому изучению влияния дислокации на механизм и кинетику процессов роста и испарения кристаллов, если процессы разрушения решетки при растворении рассматривать как противоположные тем, которые происходят при росте кристаллов, или в какой-то мере аналогичны происходящим при их испарении. При этом следует учитывать, что уже давно отмечается много общих черт у процессов роста и растворения кристаллов [43]. [c.73]

Решение уравнения стационарной диффузии (5.2) в виде (5.12) и (5.16) не является вполне строгим, так как противоречит основному положению стационарной диффузии, которое заключается в том, что диффузионный поток вещества через любую концентрическую с каплей (кристаллом) сферическую поверхность с радиусом Яа есть величина постоянная. В уравнениях (5.12) и (5.16) диффузионный поток не постоянен, а пропорционален соответственно и г. Поэтому уравнения (5.12) и (5.16) с той или иной степенью точности могут быть применены только в незначительных пределах изменения линейных размеров частиц для квазистационарного роста и растворения (испарения) кристаллов и капель. [c.113]

Н. А. Фукс утверждает [1301, что это единственный случай вполне стационарного испарения. Однако это не так. Случай стационарного роста и растворения (испарения) кристаллов и капель имеет место при постоянном размере ячейки, из которой идет рост кристаллов и капель. На рис. 33 схематически представлено испарение двух капель, выделенных из коллектива. При интегрировании (5.2) от Гд до 1 получим следующее уравнение [c.114]

Предположим, что пробу хлористого натрия подвергают кратковременному воздействию атмосферного воздуха с влажностью, превышающей критическую влажность соли затем пробу помещают в атмосферу с пониженной влажностью. В первом случае образец поглотит некоторое количество влаги, во втором — потеряет его. Если кристаллы настолько велики, что могут соприкасаться между собой в отдельных точках, между которыми имеется сравнительно большое свободное пространство, то срастание вследствие растворения и повторного испарения кристаллов будет незначительно (если время экспозиции не слишком велико). Если же кристаллы невелики, свободное пространство между ними мало, соприкосновение с влажным воздухом продолжается в течение длительного времени, то они могут поглотить такое количество влаги, которого достаточно для полного заполнения пустот насыщенным раствором. При последующем испарении раствора кристаллы срастутся в плотную массу. [c.599]

При нагреве топлива, когда давление насыщенных паров воды возрастает, а следовательно, повышается растворимость воды в топливе, или при осушке воздуха (естественной или искусственной), когда начинается переход воды из топлива в воздух и содержание ее в топливе или давление ее паров понижается, происходит необратимый процесс испарения кристаллов льда, т. е. их растворе- [c.105]

Испарение кристаллов льда в топливе при повышении его температуры возможно лишь при условии, если давление паров воды в воздушном пространстве емкости будет ниже давления насыщенных паров воды в топливе. В противном случае происходит конденсация водяных паров на поверхности топлива с образованием новых кристаллов льда. [c.106]

Если изменение массы относительно мало по сравнению со всей массой атома-мишени, то коэфициент к передачи энергии путем столкновений будет, в случае столкновений с такими же атомами, как ударяемый атом, приближаться к единице. Если такие атомы имеются в кристалле в большом количестве, например, если они соответствуют единственному сорту положительных или отрицательных ионов, то достаточно очень небольшого числа столкновений для того, чтобы снизить энергию частицы до такой величины, при которой она будет неспособна разорвать элементарную кристаллическую ячейку. Эта энергия будет порядка величины Ь — средней теплоты испарения кристалла с образованием составляющих его ионов или атомов, отнесенной к одному иону или атому. Для твердых кристаллов, испаряющихся выше 500°, эта величина может быть грубо оценена в 5 еУ. Дальнейшее снижение этой энергии будет происходить с значительно меньшей скоростью и будет сопровождаться относительно меньшей диффузией, поскольку стенки ячейки будут более непроницаемы. Другими словами, после при- [c.224]

При растворении ионного кристалла решетка его разрушается, связи, удерживающие ионы в решетке, разрываются и ионы переходят в раствор. Реальный процесс растворения можно рассматривать, разделив его мысленно на две стадии испарение кристалла в вакуум с образованием пара, состоящего из отдельных ионов, а затем переход ионов из пара в растворитель. Максимальная работа реального процесса растворения должна быть равна сумме работ двух стадий рассмотренного выше процесса, так как в обоих случаях и начальное и конечное состояние одинаковы. [c.36]

Испарение кристалла в вакуум требует затраты энергии для преодоления сил притяжения между ионами, действующих в кристаллической решетке. Энергия, необходимая для превра- [c.36]

Давление насыщенного пара любого кристалла повышается с увеличением температуры. Для иода оно равно 0,26 10 атм при 20 °С и 0,118 атм при 114 °С (температура плавления кристалла). Кристаллы иода, нагретые до температуры несколько ниже точки плавления, испаряются быстро, и пары могут конденсироваться в виде кристаллов на более холодных частях сосуда. Процесс испарения кристалла и конденсации газа непосредственно в виде кристаллов, минуя видимый переход через жидкое состояние, называется возгонкой или сублимацией. Сублимацию часто используют как эффективный метод очистки веществ. [c.38]

Рассмотрим приложение простой модели гетерогенных химических реакций Хиншельвуда — Ленгмюра к росту и испарению кристаллов или жидкости в паровой фазе. [c.43]

В гл. V и VI будут обсуждаться экспериментальные результаты и теории роста и испарения кристаллов. Расположение материала следующее. [c.131]

В гл. VI обсуждаются теории роста и испарения кристаллов, причем в основном обсуждаются процессы в газовой фазе, затрагивается рост из жидкой фазы и растворение, для которых не имеется сколько-нибудь строгой теории. [c.131]

V. 18. Некоторые замечания относительно величины а. Выдвигались определенные гипотезы, которые обсуждались с помощью подобных таблиц. Например, предполагалось, что хотя а для испарения и конденсации жидкостей может считаться равной единице, скорости роста кристаллов должны быть меньше, чем жидкостей, и следовательно коэффициент а для роста кристаллов должен быть меньше единицы. Иногда выдвигалось положение, что скорости испарения кристаллов должны быть или действительно являются большими, чем скорости конденсации. [c.139]

VI. 13. Энергии В табл. 1.2 даны в произвольных единицах. Но энергия в позиции повторимого шага не сильно отличается от скрытой теплоты испарения X. Согласно данным табл. 1.2 седловые энергии лежат между 0,4 и 0,5 от энергии для позиции повторимого шага. Беря среднюю величину 0,45, получим, что истинные седловые энергии имеют, следовательно, порядок 0,45Я. Фольмер подсчитал, что скрытая теплота испарения кристаллов при низких давлениях, при которых обычно и проводятся эксперименты, имеет величину [c.167]

Можно показать, что энергия связи в положении повторимого шага равна энергии испарения кристалла в целом. Когда к мономолекулярной ступени добавляется полный ряд молекул, начало нового ряда затруднено, поскольку первая молекула, которая должна быть добавлена, удерживается всего двумя связями. Наконец, когда мономолекулярный слой заполняется целиком, следующая присоединяющаяся к поверхности молекула будет удерживаться только одной связью. Поэтому начало нового слоя происходит с еще большей задержкой, чем начало нового ряда. Процесс зарождения нового слоя называется двумерным зародышеобразованием и заключается в одновременном присоединении некоторого числа молекул к небольшой группе соседних позиций. [c.203]

Из результатов этих экспериментов можно сделать вывод, что испарение кристаллов следует тем же законам, что и рост. В частности, величина а падает до нуля по мере приближения к точке насыщения. [c.249]

Простые на первый взгляд эксперименты по определению скоростей роста и испарения кристаллов, как функции давления и температуры на поверхности, на самом деле наталкиваются на значительные трудности, которые до сих пор не удалось еще полностью преодолеть. [c.279]

Плавление и кристаллизация. Поскольку испарение кристаллов характеризуется бслыиим изменением чнтальпии и энтропии, чем испарение жидкостей, зависимость упругости пара от температуры для кристаллов более резко выражена, чем для жидкостей. Следовательно, кривые, выражающие эту зависимость для одного и того же вещества в кристаллическом и жидком состояниях (рис. 13), обязательно пересекутся. Тогда при достаточно низкой температуре давление насыщенного пара кристаллов будет меньше, чем у жидкости, и, наоборот, при достаточно высокой температуре давление пара кристаллов будет больше, чем у жидкости. Совершенно очевидно, что нз конденсированных состояний веитества устойчивым будет то, у которого давление насыщенного пара меньше. Таким образом, при достаточно низкой температуре устойчивым будет кристаллическое состояние, а при достаточно высокой температуре— жидкое. При температуре, которая соответствует точке пересечения этих кривых зависимости, давление пара кристаллов и жидкости становится одинаковым и, следователЬно, при этой температуре кристаллы и жидкость, обладая одинаковой устойчивостью, находятся в равновесии. Точка, соответствующая этой температуре и давлению насыщенного пара кристаллов и жидкости, [c.99]

Ион растворенного вещества окружен сольватной оболочкой, состоящей из ориентированных дипольных молекул, прочно связанных с ионом. К этой оболочке примыкают другие молекулы растворителя, менее ирочно связанные с ионом Сильно сольватированные ионы образуют крупные сольватные комплексы, состоящие из многих слоев молекул растворителя. Поведение молекул растворителя в сольватном комплексе зависит от их расстояния от иона растворенного вещества. Молекулы, расположенные ближе всех к иону, участвуют в тепловом движении вместе с ионом Чем дальше расположена молекула растворителя от иона, тем сильнее проявляется тенденция к независимому движению. В процессе гидратации выделяется тепло, количество которою увеличивается с увеличением валентности иона, а для одновалентных катионов — с уменьшением их радиуса [175]. Оценка теплоты гидратации показывает, что эта теплота играет большую роль в общем энергети-)еском балансе растворения. Для рассмотрения энергетических соотношений процесса растворения представим его состоящим из двух стадий i) стадии испарения кристалла с образованием газообразных ионов и 2) стадии перехода этих ионов в раствор (гидратации). Тогда сможем построить замкнутый термодинамический цикл.- [c.10]

Процессы кристаллизации на винтовых дислокациях. На винтовых дислокациях, которые обусловливаются примесями или несовершенствами структуры реального кристалла, постоянно остаются ступени роста. Представления и теорию Бартона, Кабрера и Франка осаждения и растворения или испарения кристаллов через винтовые дислокации без существенного изменения можно перенести на электрохимическое осаждение или растворение металлов, как это было сделано Бермилья я Флейшманом и Ферском [c.338]

V. 17. Величины а для полной конденсации и свободного испарения кристаллов. Из того, что было сказано выше, можно понять, что основное число имеющихся данных относится к полной конденсации и свободному испарению. Величины а для этих двух условий сведены в табл. V.l. Эти результаты даны в одной таблице для того, чтобы можно было непосредственно сравнивать между собой скорости испарения и конденсации для тех веществ, для которых такие данные имеются. Экспериментальные данные для кристаллов при малых пересыщениях л недосыщениях представлены в табл. V.2. а величины а для жидкостей — в табл. VII.1 и VII.2. [c.138]

VII.74. Испарение совершенных кристаллов. Интересная работа была проведена Сирсом [Sears, 1956b] по испарению кристаллов паратолуидина. Кристаллы выращивались из пара и часто были настолько тонки, что имели однородную интерференционную окраску в проходящем поляризованном свете. Пластинки вырастали от очень малых размеров до 4 X 4 мм без изменения интерференционной окраски. Это свидетельствует об изменении их толщины менее чем на 20 А. Следовательно, латеральная скорость роста таких кристаллов была в 10 раз больше, чем нормальная скорость роста. Кристаллы выдерживали упругие деформации в 1%, что доказывает их почти совершенную структуру (раздел IV. 4). [c.248]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология