Испарение совершенных кристаллов

Сирс Дж. Испарение совершенных кристаллов. В сб. Элемент, проц. роста кристаллов. ИЛ, 1959. [c.293]

Механизм гетерогенной графитации не ясен и требует специальных исследований. Его можно объяснить образованием совершенных кристаллов графита среди аморфного вещества как результат атомной перестройки углеродной сетки через испарение атомов углерода и последующую конденсацию. Гетерогенный механизм графитации можно отнести, например, к таким процессам, как разложение карбидов и кристаллизация углерода из насыщенных растворов металлов. [c.180]

Примером вещества с атомной решеткой является алмаз. Его кристаллическая решетка состоит из атомов углерода, каждый из которых связан ковалентными связями с четырьмя соседними атомами, размещающимися вокруг него в вершинах правильной трехгранной пирамиды — тетраэдра. Поскольку ковалентная связь образуется в результате перекрывания орбиталей соединяющихся атомов, которые имеют вполне определенную форму и ориентацию в пространстве, то ковалентная связь является строго направленной (в отличие от ионной связи). Этим, а также высокой прочностью ковалентной связи объясняется тот факт, что кристаллы, образованные атомами, имеют высокую твердость и совершенно непластичны, так как любая деформация вызывает разрушение ковалентной связи (например, у алмаза). Учитывая, что любые изменения, связанные с разрушением ковалентной связи в кристаллах (плавление, испарение), совершаются с большой затратой энергии, можно ожидать, что у таких кристаллов температуры плавления и кипения высоки, а летучесть очень мала (например, у алмаза температура плавления составляет 3500 °С, а температура кипения —4200 °С). [c.42]

Выращивание кристаллов из растворов производят путем кристаллизации на заранее полученных зародышах или осколках кристаллов. Кристалл при этом растет медленнее и будет тем совершеннее, чем меньше величина пересыщения. Линейная скорость роста не должна превышать 1—2 мм за сутки (это соответствует построению около 100 плоскостей в секунду). Предпочтительно работать при повышенных температурах, так как при этом меньше вязкость раствора и выше скорость диффузии. При кристаллизации из неподвижного раствора следует позаботиться о создании условий для чрезвычайно медленного охлаждения пересыщенного раствора (хорошая теплоизоляция) или о поддержании постоянной температуры при одновременном медленном испарении растворителя. Процесс можно проводить в сосуде [c.134]

Однако этим наши теперешние знания о процессах конденсации — испарения не исчерпываются. В случае кристаллов экспериментальный и теоретический анализ проникает глубже. Уже без дальнейших пояснений видно, что совершенное познание процессов конденсации на кристаллах включает решение старой проблемы роста кристаллов, исследования которой зачастую оста- [c.39]

При выращивании кристаллов из растворов [231, 232] почти всегда используют затравочный кристалл. В случае очень легко кристаллизующихся солей, таких, как хромовые квасцы, можно очень легко получить хорошо образованные кристаллы значительной величины [235]. Например, кристалл-затравку бросают на дно химического стакана, в котором находится насыщенный раствор температуру раствора поддерживают совершенно постоянной во всем объеме. Время от времени кристаллы переворачивают в определенной последовательности на другие грани при этом иногда образующиеся кристаллы удаляют. Чтобы предотвратить спонтанное образование новых кристаллов, раствор должен быть пересыщен в очень незначительной степени. Концентрацию раствора выбирают так, чтобы в течение 3—4 суток не наступала бы спонтанная кристаллизация. В случае, когда пересыщение получают за счет очень медленного охлаждения, испарения или изменения растворителя, скорость охлаждения, испарения и т. п. соответственно регулируют. [c.222]

При контакте с ненасыщенным раствором амфитеатр будет углубляться. На рис. 22 видны ямки травления, образованные на поверхности кристалла сахарозы. У больших ямок можно отчетливо видеть спиральную форму они, вероятно, образовались в местах выхода винтовых дислокаций с большими значениями вектора Бюргерса. Мелкие ямки могли возникнуть или на винтовых дислокациях с малыми значениями вектора Бюргерса, или на краевых дислокациях, или же, что менее вероятно, в результате образования зародышевого островка на совершенной поверхности далеко от выходов дислокаций (см., например, конец раздела V, 1, Д, где приведены опыты Сирса [61]). Большие ямки травления на поверхности кристаллов сахарозы часто образуют ряды (рис. 23). Эти ямки возникают при неравновесных условиях ненасыщенности, и поэтому их форма зависит от скорости отхода спиральной ступени и кинетики испарения или растворения в различных кристаллографических направлениях. [c.390]

Впоследствии задача была решена с помощью фракционной кристаллизации, происходившей путем охлаждения перегретого раствора при его сильном течении и осаждения на готовых зародышах кристаллов. Потребовалась особая аккуратность, для того чтобы избежать образования случайных зародышей с этой целью предупреждалась возможность каких-либо испарений менее концентрированного раствора путем помещения его в термостат. В образованных таким образом кристаллах все еще обнаруживались зародыши, много трещин и включений. Каждый кристалл исследовался в свете интенсивной дуги для экспериментов и дальнейшей кристаллизации использовались только совершенные обломки этого кристалла. При исследовании кристалл погружали в насыщенный раствор при этом лучше выявлялась внутренняя неоднородность. Во избежание ошибок при измерении геометрических размеров (сечения и толщины) ток проводимости всегда сравнивался с наведенным зарядом. Пусть V — приложенное напряжение, S — сечение, D — толщина пластинки кристалла, v — заряд, приобретаемый электрометром под влиянием тока за i сек., /— заряд, образующийся за счет наведения, С — емкость электрометра и пластинки, е — диэлектрическая постоянная, а а — удельная проводимость тогда [c.175]

Чистые кристаллы сульфата кадмия получаются очень медленным (самопроизвольным) испарением профильтрованного концентрированного раствора чистой соли в воде. Поскольку такая кристаллизация требует нескольких недель и выход очень мал, рекомендуется брать для перекристаллизации большое количество исходного продукта. Из полученных кристаллов выбирают совершенно прозрачные остальные, в которых может быть окклюдированная вода, снова растворяют для дальнейшего выделения кристаллов. Прозрачные кристаллы сушат фильтровальной бумагой и сохраняют в атмо- [c.128]

При решении второй задачи было установлено, что различные модификации ТЮг имеют самую различную растворимость в НЕ, вплоть до 10 — 10 г/мл. Поэтому совершенная гомогенность распределения индикатора по объему пробы не может быть достигнута в процессе химической подготовки. Задача анализа была решена путем нанесения индикатора на поверхность кристаллов ТЮг- В этом случае изотопный обмен, по-видимому, происходил в газовой фазе при испарении Са с поверхности кристаллов, а Са из толщи образца. [c.105]

Г-н Лоран заметил, что сухой хлор превращает растопленный бензоин в бензил с выделением соляной кислоты . При действии крепкой азотной кислоты на бензоин из последнего образуется то же тело. Если облить бензоин двумя частями по весу, или около того, крепкой азотной кислотой и умеренно нагреть, то бензоин плавится, выделяется большое количество азотистой кислоты, а на поверхность всплывает светлая желтая маслянистая жидкость. Как только эта жидкость сделается совершенно прозрачной и отделение азотистой кислоты прекратится,— процесс окончен,— всплывшее масло есть чистый бензил, он не изменяется больше даже при кипячении с азотной кислотой. В эфире бензил растворяется легко при свободном испарении раствора можно получить из него прозрачные кристаллы в виде шестигранных столбиков с притупленными острыми ребрами, почти в дюйм длиною и несколько линий в диаметре. [c.12]

Не менее важным приложением эпитаксии является декорирующее действие зародышей при изучении поверхности монокристаллов. Длительное изучение поверхностной структуры необходимо для исследования поверхностных химических реакций, влияния структуры поверхности на механическую прочность, механизма испарения и роста кристаллов. Известно, что энергия связи поверхностных атомов зависит от тонкой структуры атомного масштаба. Атомы более легко испаряются из изломов, краев ступенек и углов. Различие энергетических состояний атомов обусловливает разную химическую активность у нерегулярностей и на совершенной поверхности при реакциях жидкостей и газов на твердых телах. [c.370]

VII.74. Испарение совершенных кристаллов. Интересная работа была проведена Сирсом [Sears, 1956b] по испарению кристаллов паратолуидина. Кристаллы выращивались из пара и часто были настолько тонки, что имели однородную интерференционную окраску в проходящем поляризованном свете. Пластинки вырастали от очень малых размеров до 4 X 4 мм без изменения интерференционной окраски. Это свидетельствует об изменении их толщины менее чем на 20 А. Следовательно, латеральная скорость роста таких кристаллов была в 10 раз больше, чем нормальная скорость роста. Кристаллы выдерживали упругие деформации в 1%, что доказывает их почти совершенную структуру (раздел IV. 4). [c.248]

Хирс и Паунд провели точный расчет метастабильной равновесной концентрации адатомов на поверхности кристалла. Величина этой концентрации определяется процессом появления (диссоциация и диффузия) и процессом исчезновения (активация и десорбция) адатомов ([35], стр. 92). Одновременное решение уравнений, отражающих каждый этап процесса испарений, привело к общему уравнению для потока испаренного вещества, откуда можно получить численные значения коэффициентов испарения в каждом отдельном случае. Важным параметром в этих уравнениях является среднее расстояние между моноатомными ступеньками на поверхности кристалла. Для граней с малыми индексами расстояние между ступеньками превосходит среднее расстояние, проходимое адатомом при диффузии. Отсюда следует, что скорость испарения будет определяться как генерацией ступенек на краях кристалла, так и диффузией адатомов по поверхности. При этих условиях коэффициент испарения для моноатом-ных паров должен стремиться к минимальной величине = 1/3. На гранях кристалла с высокими индексами на поверхности создается много ступенек, расстояния между которыми сравнимы со средним диффузионным расстоянием, которое проходят адатомы, прежде чем они активируются и десорбируются. Эта ситуация приводит к г= 1. Были рассмотрены также и другие случаи, которые включали возможность затрудненной диссоциации атомов со ступеньки вследствие ограничения на энтропию, а также возможность большой энергии активации, необходимой для диссоциации атомов из узлового состояния. Для обоих этих случаев < 1/3. Малые величины а могут быть связаны и с адсорбированными примесями. Влияние этих примесей связано с тем, что, адсорбируясь на краях кристалла, они не позволяют образовываться новым ступенькам, с которых происходит испарение. Следовательно, адатомы поставляются только с уже существующих ступенек, которые вырастают до макроскопического размера и уменьшают скорость испарения. Экспериментальных данных, полученных на совершенных монокристаллах для подтверждения приведенных выше концепций, очень мало. Сирс [53] показал, что испарение с краев кристалла облегчается, если внешнее давление уменьшить на 2% по сравнению с равновесным давлением. Однако испарение с одиночной поверхности того же самого кристалла не происходит совсем, если внешнее давление уменьшить на половину равновесного давления. Это подтверждает то положение, что края кристалла являются источниками ступенек испарения. Теория поэтапного испарения может быть распространена на случаи несовершенных кристаллов и поликристаллических веществ ([35], стр. 107). Испарение этих веществ подчиняется тем же кинетическим законам, что и испарение совершенных кристаллов, за исключением различия в расстоянии между ступеньками испарения. Спиральные дислокации, например, служат дополнительным источником моноатомным ступенек, причем расстояние между последними следует считать таким же, как и в случае ступенек, возникших на краях кристаллов. Следовательно, несовершенные кристаллы должны иметь коэффициенты испарения, близкие к коэффициентам испарения для совершенных кристаллов (а 1/3). В поликристаллических веществах источниками ступенек служат границы зерен, трещины, края кристаллов и дислокации. Число таких центров велико, поэтому среднее расстояние между ступеньками мало, что приводит к величине коэффициента испарения, близкой к единице, несмотря на то, что процесс подвержен ограничению как по энтропии, так и по примесям. [c.44]

Первая детальная попытка описать кинетику роста кристалла была предпринята на модели однокомпонентного совершенного кристалла, построенного из малых молекул и растущего из газовой фазы. Предполагаемые при этом процессы схематически изображены на рис. 6.4. Основная идея этой модели заимствована из работы Гиббса (разд. 6.1.1). Тамман [368], Фольмер [382], Коссель [219], Стран-ски [359], Бекер и Дёринг [30], Френкель [105] и Бартон и Кабрера [54] разработали необходимый формализм для описания макроскопически наблюдаемой скорости роста в терминах предполагаемых микроскопических процессов. Б простейшей форме такой процесс крис-таллизатдии включает слудующие стадии а) адсорбция на поверхности, б) двумерная диффузия к растущей кромке, в) встраивание в растущую кромку, г) одномерная диффузия к углу и д) кристаллизация. Противоположными этим пяти стадиям являются стадии испарения. [c.161]

Детальная структура мономолекулярного слоя на поверхности совершенного кристалла, показанного на рис. 6.4, была оценена Бартоном и Кабрерой [54] на основе анализа энергетики атомов в различных положениях (см. рис. 5.8). Теплота испарения ААисп определяется парным взаимодействием между ближайшими соседями ф(ф/2 на атом). Для плотноупакованного гранецентрированного кубического кристалла с координационным числом 12 теплота испарения выражается соотношением [c.162]

Штрауманисом [361] были выращены монокристаллы селена в виде длинных игл с осью молекулярной спирали, параллельной оси иглы, при давлении паров 0,01—0,11 мм рт. ст., достигаемом испарением селена при 180—230°С. Температура плав.дения тригональных кристаллов селена 220,5°С- Наиболее совершенные кристаллы были выращены при температуре паров. лишь немного выше указанной. Торцевые грани игл, вместо ожидаемых (001), были исключительно (iTl) (см. разд. 6.1.2.2, описание кристаллической структуры в табл. 2.9 и рис. 2.39). Нри более низких температурах большинство игл являются полыми. Образование иглообразных кристаллов с полыми концами обусловлено быстрым ростом кристаллов вдоль спирали, который препятствует диффузии молекул селена на большое расстояние по поверхности (111), а также образованием ограниченного числа зародышей из новых молекул на боковых поверхностях. [c.349]

Метод химических транспортных реакций дает возможность использовать более низкие температуры роста и позволяет получать более совершенные кристаллы. Так, например, хорошо ограненные кристаллы гп5 образуются при температуре в зоне испарения 1000 С, в зоне кристаллизации 750° С и величине переноса 20 мг ч с использованием иода в качестве транспортирующего вещества [136]. Монокристаллы ZnSмогут быть выращены из расплава, близкого по составу к стехиометрическому [137], из расплавленных металлов [138] и галоидсодержащих солей [139, с. 490], а также гидротермальным методом [140]. [c.51]

В рассмотренном случае соосажденная примесь (Ra ) распределяется внутри образовавшихся смешанных кристаллов совершенно равномерно. Однако при других условиях осаждения это распределение может оказаться неравномерным. Например, если очень медленно выкристаллизовывать ВаСЬ-2Н20 путем испарения насыщенного раствора этой соли, содержащего примесь соли радия, то во время выделения кристаллов успевает установиться равновесие между ними и раствором. Поскольку же хлорид радия менее растворим, чем хлорид бария, по мере образования кристаллов раствор будет все более обедняться радием. Отсюда следует, что внутренние слои кристаллов, отложившиеся из более богатого радием раствора, должны будут содержать его больше, чем наружные слои, образовавшиеся позднее. Количественные закономерности оказываются здесь также иными, чем рассмотренные ранее. Именно, вместо уравнения (1) оправдывается на опыте логарифмическая формула [c.117]

Плавление и кристаллизация. Поскольку испарение кристаллов характеризуется бслыиим изменением чнтальпии и энтропии, чем испарение жидкостей, зависимость упругости пара от температуры для кристаллов более резко выражена, чем для жидкостей. Следовательно, кривые, выражающие эту зависимость для одного и того же вещества в кристаллическом и жидком состояниях (рис. 13), обязательно пересекутся. Тогда при достаточно низкой температуре давление насыщенного пара кристаллов будет меньше, чем у жидкости, и, наоборот, при достаточно высокой температуре давление пара кристаллов будет больше, чем у жидкости. Совершенно очевидно, что нз конденсированных состояний веитества устойчивым будет то, у которого давление насыщенного пара меньше. Таким образом, при достаточно низкой температуре устойчивым будет кристаллическое состояние, а при достаточно высокой температуре— жидкое. При температуре, которая соответствует точке пересечения этих кривых зависимости, давление пара кристаллов и жидкости становится одинаковым и, следователЬно, при этой температуре кристаллы и жидкость, обладая одинаковой устойчивостью, находятся в равновесии. Точка, соответствующая этой температуре и давлению насыщенного пара кристаллов и жидкости, [c.99]

Чистый сернокислый эзерин превращают в кристаллы Ц ИСтого основания эзерина, растворяя сначала сульфат в воДе, осаждая указанным образом основание, которое отсасывают, основательно промывают и совершенно высушивают. Затем растворяют при 30° в возможно меньшем количестве чистейшего эфира. Этот эфир "При отгонке не должен оставлять ни следа остатка и должен быть свеже перегнан над металлическим атрием. Эфирный раствор охлаждают в плоской стеклянной чашке до минус 15° накрывают чаш1ку стеклянной воронкой для предохранения от " пыли, как описано при опыте с валерианатом хинина (стр. 430), заражают через 2—3 часа раствор несколькими кристалликами эзерина, которые при той же низкой температуре по мере испарения эфира постепенно начинают расти и увеличиваться. [c.443]

Наиболее богатая картина вторичных структур получается во всех растворах при температуре подложки 90°, ио здесь уже появляются некоторые отличия, связанные, по-видимому, со скоростью испарения растворителя. Растворы полиэтилена в декалине и тетралипе (испарение моментальное) дают картину вторичных структур аналогично растворам полиэтилена в ксилоле (рис. 1, г, ). При этом видны пачки, ленты, спирали, сферолиты. В а-хлор-нафталипе такого многообразия структур не наблюдается, и на рис. 2, б видны только хорошо развитые спирали. По-видимому, это различие в электронно-микроскопической картине связано с разной скоростью испарения а-хлорпаф-талина и ксилола (ксилол испаряется очень быстро, и возникшие в момент высаживания структуры не успевают упорядочиться в более сложные образования). Поэтому при 90° получается картина сосуществования более совершенных и простых структур. а-Хлорнафталин испаряется при температуре подложки 90° в течение 40 мин., и, следовательно, имеется время для протекания дальнейшего процесса упорядочения в растворе. Поэтому на рис. 2, о видны исключительно спиралеобразные и пластинчатые вторичные структуры. При повышении температуры подложки до 100° и выше все растворы дают аналогичную картину хаотично расположенных лент и пачек (рис. 2, е). В этом случае разность в скоростях испарения растворителей невелика (10 мин.), и это не сказывается на процессе структурообразования полиэтилена низкого давления. Таким образом, влияние температуры на процесс структурообразования полиэтилена можно объяснить следующим образом при низких температурах подложки преобладающую роль в процессе структурообразования, который идет в капле раствора, будет играть скорость достижения каплей раствора температуры, при которой выпадает полимер. Так, при температуре 70° образуются более сложные вторичные структуры — плоскости, спирали и кристаллы. [c.146]

СИЛЬВЙН [от латинизированного имени (Sylvius) голл. врача и химика Ф. Боэ], КС1 — минерал класса хлоридов. Хим. состав (%) К — 52,44 С1 — 47,56. Примеси бром, свинец, цезий, аммоний, уран, железо, барий, медь, таллий, марганец. Структура координационная, сингония кубическая, вид симметрии гексоктаэд-рический. Образует зернисто-кристаллические массы иногда встречается в гнездах и линзах в виде крупных кристаллов кубического, реже — октаэдрического габитуса. В прожилках обычно имеет волокнистое строение. Отмечаются выцветы С. на почве, стенках горных выработок и среди продуктов вулканических возгонов. Спайность совершенная по (100) (см. Спайность минералов). Плотность 1,99 г/см . Твердость 2,0. Хрупкий. Бесцветный и прозрачный в зависимости от количества микровключений газа, гематита или галита цвет становится молочно-белым, голубым, красным, желтым (см. Цвет минералов). Блеск стеклянный (см. Блеск минералов). Излом неровный (см. Излом минералов). Гигроскопичен, легко растворяется в воде. Изотропный, п = = 1,4904. Возникает в результате испарения природных вод, содержащих хлористый калий, в процессе перекристаллизации карналлита в соленосных отложениях и как продукт вулканической деятельности. Получают С. из водных растворов, [c.389]

Аналогично по механизму процесса зародышеобразования должно происходить испарение слоев с совершенной кристаллической поверхности, если ребра кристалла защищены от ненасыщенного пара. В этом случае зародыши будут представлять монослойные выемки в слое решетки. Сирс [61] определил степень ненасыщенности р/ро пара, при которой становится заметным испарение с совершенных граней тонких кристаллов паратолуидина. При р ро 0,48 скорость утоньшения кристалла соответ- [c.380]

Тр обстоятельство, что старые методы определения строения веществ, основанные главным образом на изучении химических свойств, большей частью совершенно неприменимы для неорганических соединений, объясняется следующим образом почти все органические вещества построены из молекул, содержащих ограниченное число атомов и способных переходить в газообразное состояние или в раствор, не испытывая при этом существенных структурных изменений. Напротив, неорганические вещества в твердом состоянии в подавляющем большинстве построены ив неограниченного числа атомов или ионов. При испарении или растворении таких веществ разрушаются силовые поля, в которых находились атомы или ионы в твердом состоянии, и тем самым становится невозможным непосредственное изучение существовавшего прежде типа строения. Кроме того, в органических соединениях почти всегда осуществляется только один тип связи. Не существует принципиальных отличий ни между углерод-углеродными связями (простая и кратная связь, ароматическая связь), ни между углерод-углеродными и другими связями, возникающими между углеродными и другими атомами в органических соединениях. В неорганических соединениях следует различать многие принципиально отличные типы связей, между которыми существуют многочисленные переходы, которые еще более осложняют положение. Открытое Лауэ преломление рентгеновских лучей при прохождении через кристалл впервые позволило изучить структуру веществ, построенных из неограниченного числа атомов или ионов. Принципиальные различия между типами связи, присущими неорга1 и еским веществам, становятся понятными на основе теории строения атома и квантово-механических представлений. [c.322]

Хотя некоторые куски каменной соли и кристаллы выварочной иногда представляют почти чистый хлористый натрий, но вообще в продаже находится соль, содержащая подмеси, из которых чаще всего встречаются соли магния. Если соль чиста, то ее раствор с содою Na2 O не дает осадка, который происходит при содержании солей магния, потому что Mg O в воде нерастворима. Для обычного потребления большинство соли вполне пригодно без дальнейшего очищения, а часть соли очищают кристаллизацией отстоявшегося раствора, причем испарение ведется не до конца, и подмеси остаются в маточном или остаточном растворе. Для химических же целей, когда требуется совершенно чистая соль, проще всего поступают так приготовляют насыщенный раствор Na l [c.300]

Выветривание, как и всякое испарение, идет с поверхности. Внутри выветрившихся кристаллов часто находится еще иевыветрившаяся масса, так что большие выветрившиеся кристаллы соды в изломе представляют прозрачное ядро, окруженное с поверхности выветрившеюся непрозрачною и порошкообразною массою. Замечательно здесь то обстоятельство, что выветривание идет совершенно правильно и однообразно, так что кристаллические углы и плоскости одинакового кристаллографического характера выветриваются одновременно и, в этом отношении, кристаллическая форма определяет те части кристаллов, в которых начинается выветривание, и тот порядок, в котором оно продолжается. [c.407]

Чистый ангидрид, взятый в небольшом количестве (3—4 унц.), перегоняется почти без остатка и без изменепия из 3-х унц. его получалось обыкновенно 2,9 ухщ. почти бесцветного перегона, застывающего в смолистую массу, которая в прикосновении со спиртом содержалась как аморфный ангидрид, а при кристаллизовании давала кристаллы, совершенно белые, чистые, плавящиеся в волосных трубках при 140,5° С и, вообще, по всем свойствам и по составу не отличающиеся от кристаллов ангидрида, взятого для перегонки.— Если перегонять зараз большие количества ангидрида, то переходит, особенно под конец, вместе с неизмененным ангидридом более окрашенная смолистая, или, вернее, маслообразная, жидкость, имеющая занах неруанского бальзама при перекристаллизовании всего перегона в спирте, сливая с кристаллов, но достаточном испарении осаждается масло, обладающее в сильной степени запахом бальзама запах этот в слабой степени издает и перегон ангидрида, взятого в небольшом количестве для перегонки. [c.152]

Особенности конструкции водородных и гелиевых ожижителей. Особенности сжижения водорода и гелия обусловлены переходом на более низкий уровень температур, чем при сжижении воздуха, и их физическими свойствами. При сжижении водорода и гелия необходимо применять эффективные и надежные теплообменные аппараты для проведения предварительного охлаждения сжатого газа ниже его температуры инверсии высокоэффективную теплоизоляцию из-за малой теплоты испарения жидких водорода и гелия совершенную очистку прямого потока от примесей, которые при сжижении водорода и гелия выпадают в виде твердых кристаллов и частиц конструкционные материалы ожижительных установок с высокими механическими свойствами при очень низких температурах герметизацию оборудования и систем в целях исключения утечек водорода и гелия орто-параконверсию в водородных ожижителях для уменьшения потерь жидкого водорода при хранении. Основным элементом ожижителей водорода и гелия является низкотемпературный блок, состоящий из теплообменных аппаратов, расшири- тельных машин и другого оборудования, заключенного в кожух с высокоэффективной изоляцией. Помимо низкотемпературного блока ожижительная установка включает целый ряд машин и аппаратов, обеспечивающих ее работу. [c.152]

Наиболее совершенной из них является вакуум-охладительная установка с принудительной циркуляцией. Она состоит из нескольких последовательно соединенных корпусов. Свежий горячий раствор, поступаюший в первый корпус, смешивается под вакуумом с охлажденным раствором, уже содержащим значительное количество кристаллов соли. При этом одновременно происходит испарение части воды и охлаждение раствора. Насосы перекачивают раствор и кристаллы соли из корпуса в корпус, причем в каждом следующем корпусе повышается разрежение и понижается температура раствора. Образующиеся при этом кристаллы падают на дно аппарата. [c.363]

Таким образом, в зависимости от направления падения молекул на поверхность, происходит избирательная адсорбция. Дальнейшие вычисления, однако, указывают на то, что атомы гелия обладают на поверхности подвижностью, свободно передвигаясь по ней. Пройдя расстояние порядка 10 см, они, повидимому, испаряются в том же направлении, как если бы они просто сразу отражались. Если бы в опытах Фриша н Штерна это происходило во всех случаях, то сёдел на кривых не получалось бы, и явление избирательной адсорбции не могло бы быть обнаружено экспериментально. Но последующее испарение в заданных направлениях может происходить только в том случае, когда поверхность кристалла идеально правильна и чиста если движущийся по поверхности атом гелия встречает на своём пути другой адсорбированный атом или неровность поверхности, то направление его движения и его энергия должны измениться, вследствие чего в направлениях, соответствующих избирательной адсорбции, отражённых или диффрагированных лучей почти или совершенно не будет. [c.359]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология