Гистерезис на кривой псевдоожижения

Реальная кривая псевдоожижения обнаруживает гистерезис так называемые линии прямого и обратного хода (полученные соответственно при постепенном увеличении и постепенном уменьшении скорости газа) вблизи точки А не совпадают, причем на второй из этих линий отсутствует пик давления и она, как правило, располагается ниже первой. Участок кривой обратного хода левее точки А соответствует наиболее рыхлой упаковке частиц, возможной для неподвижного слоя. При удалении вправо от точки А кривые прямого и обратного хода сближаются и при достаточно интенсивном псевдоожижении совпадают. Следует отметить, что кривые обратного хода хорошо воспроизводятся от опыта к опыту. [c.50]

Идеальная кривая псевдоожижения, изображенная на рис. 1.2, характерна лишь для гладких, сухих, одинакового размера шаров. Вид реальных кривых псевдоожижения показан на рис. 1.3. Всплеск АР (рис. 1.3, а) и гистерезис обусловлены силами сцепления между частицами слоя и трением частиц о стенки аппарата. [c.21]

В то же время во всем интервале существования псевдоожиженного слоя (т. е. до уноса твердых частиц) соблюдается постоянство перепада давления Др. Если скорость потока медленно уменьшать (ниже величины Ок), то образующийся при этом неподвижный слой получается менее плотным, порозность его будет соответственно выше, а перепад давления — меньше, чем до перехода слоя в псевдоожиженное состояние (кривая ОС на рис. У1-31). Этим и объясняется характерный гистерезис на диаграммах псевдоожижения, причем величина этого гистерезиса зависит от первоначальной плотности упаковки неподвижного слоя. [c.172]

Типичные диаграммы псевдоожижения приведены на рис. 1, где перепад давления в слое и высота последнего представлены в зависимости от скорости газа. Здесь отчетливо виден характерный гистерезис постепенное увеличение скорости соответствует кривой А, тогда как медленное уменьшение ее выражается кривой О величина гистерезиса зависит от первоначальной плотности упаковки неподвижного слоя. [c.19]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология