Барий кристаллическая решетка

Рис. 150. Включения избыточного бария в кристаллической решётке окиси бария ва оксидной катоде.

Существенный для явлений в полупроводниках факт состоит в том, что нарушение правильного строения кристаллической решётки изменяет расположение энергетических уровней, возможных для электронов. Особенно существенную роль играют нарушения строения кристаллической решётки при наличии в ней посторонних, или избыточных, атомов. Присутствие таких атомов в отдельных точках внутри кристалла приводит к появлению на энергетической диаграмме новых дозволенных местных [локальных) уровней, расположенных на энергетической диаграмме между верхней заполненной полосой и полосой проводимости, как это показано на рис. 10. Кристаллическое тело, являющееся в чй-стом виде диэлектриком с высокими изоляционными свойствами, становится полупроводником при наличии в нем нримесеи ( примесной нолупровод-ник ). Это имеет место и в случае частичного восстановления бария в кристаллах окиси бария. При активировке оксидного катода увеличивается число электронов в полосе проводимости, а следовательно, и электропроводность оксидного катода. [c.47]

Прежде всего следует решить вопрос о расположении избыточных атомов бария в кристаллической решётке окиси бария Из трёх приведённых в 36 возможных случаев такого расположения случай замещения (рис. 132, а) не может иметь места в ионном, соединении. Для выбора одного из "двух остальных случаев, а именно расположения между узлами решётки (рис. 132,6) и образсшания пустых мест (рис. 132, в) нельзя, к сожаленйю, использовать величины радиусов ионов барпя и кислорода, так как опубликованные до сих пор их значения слишком сильно отличаются друг от друга. Необходимые для этого расчёты или измерения, изложенные в 38,1 проведены до настоящ/его времени лишь для кристаллической решётки Na l, хотя и построенной из одновалентных ионов, но имеющей тот же тип и гочти [c.335]

Так как соответствующие расчёты показывают, что в случае решётки МаС мы имеем дело с образованием пустых мест, то ввщ у сходства решёток КаС1 и ВаО этот результат можно спокойно перенести также и на ВаО. Такое предположение делегат как ЩртгКй [281], так и Иост и Нелеп 130Ь]. Получающееся прн этом расположение избыточных атомов барпя в кристаллической решётке окиси бария показано на рис. 150. [c.335]

Ш от катода нз чистой окиси бария к катоду из смеси К> с отношением молекулярнь х процентов компонент, рав- ным 1 1, полная работа выхода, определяемая уравнениями <124) и (123), изменяется примерно на 0,20 эл.-в. Это изме-. нение состоит яз изменения внут нней работы выхода, вс№д-. ствие перехода от решётки чистой окиси бария к смешанной кристаллической решётке, и изменения внешней работы выхода, обуслсюдонного изменением состава поверхностного слоя от активированной чистой окиси бария к активированной барием киси стронция. Эти изменения внутренней я внешней работ вы- [c.384]

Внутренняя работа выхода в только что описанных опытах изменяется, так как при холодном катоде напыляемый барий может диффундировать внутрь оксидного слоя. Если, однако, исследуемый катод нагревается, то находящийся на поверхности б -рий диффундирует внутрь слоя и влияет на внутреннюю рабо выхода. Соответствующие опыты, проведенные Губером [210 сначала показали, что при накаливании исследуемого катода До 1000° К, ток насыщения возвращается к значению для чистой окиси стронция. Очевидно, количество бария, необходимое для активирования поверхности, настолько мало, что после диффузии внутрь слоя оно вызывает там лишь неизмеримо малое изменеш е внутренней работы выхода. Если, однако, на исследуемый к барий напылялся не только до появления максимума эмиссии, и значительно дольше, то после накаливания при 1000° К пр й измерении наблюдалось возрастание тока насыщения почти до значения, которое наблюдалось до этого, при напылении бария из геттера. После сильного напыления бария его запас на повер -ности оказывается достаточным, чтобы, после диффузии внутрь и заполнения пустых узлов кристаллической решётки окиси стро1-ция, существенно изменить также и внутреннюю работу выхода. При этом, как и при напылении бария с геттера, изменяете также и внутренняя работа выхода слоя чистой самоэктивирован ной окиси стронция со значения до значения дуд для сло активированного извне барием. [c.387]

Рентгеноструктурные исследования катодов из окисей бария и стронция показали, что в процессе активировки смесь кристаллических крупинок отдельных окислов превращается в твёрдый сплав с однообразным кристаллическим строением (равномерное распределение ионов бария и стронция, определённое расстояние между узлами решётки, изменяющееся с изменением процентного состава твёрдого сплава). [c.44]

Вольфраматы цинка, марганца, железа, никеля, кобальта и магния кристаллизуются в моноклинной системе, в то время как вольфраматы щёлочноземельных металлов — кальция, стронция и бария, а также вольфраматы свинца кристаллизуются в тетрагональной системе (структура шеелита). На рис. 118 изображена решётка кристаллического aW04 [580]. [c.225]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология