отдельных составляющих решетки

Об основных допущениях теории длительного свечения кристаллофосфоров. Выше были описаны основные представления о развитии процессов свечения кристаллофосфоров в рамках зонной теории полупроводников. Общая принципиальная схема процессов свечения кристаллофосфорок на основании изложенных данных сводится к следующему причиной появления свободных электронов в кристалле служит внутренний фотоэлектрический эффект, возникающий при возбуждении далее следует локализация части выделившихся электронов в отдельных местах решётки, что является необходимым звеном для возникновения длительного послесвечения наконец, освобождение локализованных электронов и их рекомбинация с ионизованными центрами составляют заключительный этап длительного свечения. Однако в настоящее время не существует ещё установленной точки зрения на характер всех этих процессов, существенных для построения теории свечения. [c.339]

Особенности фосфоров на силикатной основе. Фосфоры типа Zii2Si04-Mn, имеющие своим оспоиаиием различные силикаты, составляют особый класс кристаллофосфоров, обладающий рядом специфических свойств, сильно отличающих его от рассмотренных выше сульфидных фосфоров. Основным веществом для этих фосфоров служат силикаты бериллия, магния, кальция, цинка (особенно часто), кадмия и других элементов второй группы табл1п ы Менделеева, которые применяются или по отдельности или совместно, образуя смешанные кристаллы. Активатором в силикатных фосфорах в большинство случаев служит Мп, вводимый обычно в значительных концентрациях и входящий в кристаллическую решётку изоморфно. [c.411]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология