Бюргерса вектор

Определение типа и концентрации дефектов кристаллической решетки, выходящих на поверхность кристаллов, производится главным образом методом электронной микроскопии. Для выявления дефектов применяется химическое или ионное травление свежих сколов кристаллов, позволяющее охарактеризовать своеобразные структуры минералов, однако интерпретация полученных результатов чрезвычайно затруднена из-за неопределенной кристаллографической ориентации граней кристалла. Кроме того, возникают трудности, связанные с получением качественных реплик с поверхности пористых образцов. Несомненно, что исследование минералов при использовании просвечивающих электронных микроскопов позволило бы получить больший объем информации о дефектности структуры минералов, если бы было возможно без особых затруднений приготавливать для анализа образцы требуемой толщины. Рельеф поверхности скола не дает прямой информации о направлении и величине вектора Бюргерса наблюдаемых дислокаций, что затрудняет идентификацию отдельных видов этих дефектов, однако электронно-микроскопическая картина поверхно- [c.236]

Энергия, затрачиваемая на образование дислокации, т. е. собственно перемещение одной части кристалла по отношению к другой, пропорциональна квадрату вектора Бюргерса [c.253]

При низких температурах эффективны механизмы, основанные на скольжении дислокаций, которое может облегчаться в присутствии поверхностно-активных сред. Теория адсорбционного пластифицирования [291] объяснила эти эффекты на основе представлений о снижении потенциального барьера, препятствующего выходу дислокаций на поверхность с образованием на поверхности ступеньки, и об облегчении начала работы приповерхностных источников дислокаций благодаря снижению свободной поверхностной энергии. Это дает возможность ориентировочно оценить те условия, в которых аналогичные эффекты могут иметь место в природе. Это та область режимов деформации, когда в наборе активационных энергий- преобладают компоненты, связанные с поверхностным барьером [255],. равным Ь а, где Ь — вектор Бюргерса и о — свободная поверхностная энергия минерала. В этом случае отношение скоростей деформации в присутствии активной среды и на воздухе равно [c.88]

Вектор Бюргерса — мера сдвига и энергии искажения кристаллической решетки, определяемая движением дислокации. [c.239]

Как и вектор Бюргерса, вектор R имеет только компоненту вдоль оси х [c.508]

Рентгеноструктурные и микроскопические исследования моно-и поликристаллов природного графита позволяют обнаружить в них ряд отклонений от идеальной упаковки атомов в гексагональной решетке графита (рис. 5-5) в виде линейных дефектов в основном дислокационной природы. Дислокационная структура графита определяется следующими сочетаниями направлений линейных дислокаций (ЛД) и векторов Бюргерса (ВБ) [1-3] [c.239]

МИ векторами Бюргерса расщепляются с выделением энергии и образованием стабильных дислокаций. Поэтому дислокационная реакция, подобно химической реакции, имеет определенный тепловой эффект Др. Если энергия АС высвобождается при расщеплении одной дислокации с большим вектором Бюргерса на две с меньшими векторами, то реакция будет протекать самопроизвольно. Этот процесс расщепления будет происходить до тех пор, пока не останется лишь небольшое количество векторов Бюргерса (векторов скольжения), которые обычно соответствуют кратчайшим расстояниям в решетке Бравэ (при полных дислокациях). [c.223]

ИСХОДИТ перемещение дислокаций, производящих деформацию и работу. Таким образом, дислокации обладают определенной силой и мощностью. Сила дислокации пропорциональна приложенному напряжению к вектору Бюргерса (межатомное расстояние а). Для перемещения единичной дислокации в идеальном кристалле требуется следующее (минимальное) напряжение сдвига Тс [c.78]

В металлах с объемно-центрированной кристаллической решеткой (ОЦК) трещина может образоваться по модели, предложенной Коттреллом (рисунок 2.1.4). Допустим, что в растягиваемом образце дислокации с векторами Бюргерса 1/2а [111] и ]/2а [111] скользят в пересекающихся плоскостях (101) и (101). [c.39]

При воздействии сдвигового усилия дислокация перемещается через кристалл и в конце концов выходит на его поверхность. При этом на поверхности возникает элементарная ступенька, высота которой соответствует величине вектора Бюргерса 6. [c.253]

Контур проводится в хорошем материале (как угодно далеко от дислокаций). Начинаем, например, от точки д и отмеряем 5 межатомных расстояний до точки б, затем 5 от точки а, 5 до точки г и, наконец, 5 до точки а. Контур оказался незамкнутым. Чтобы его замкнуть, надо добавить показанный на рис. Х1У.8 вектор, который носит название вектора Бюргерса. Мы видим, что вектор Бюргерса, совпадая с направлением сдвига при краевой дислокации, перпендикулярен к линии дислокации. [c.280]

Для замыкания контура, проведенного вокруг этого перпендикуляра, понадобится вектор Бюргерса, параллельный направлению дислокации. Можно показать, что любая сложная дислокация может быть разложена на составляющие — краевые и винтовые. [c.280]

Видно, что при этом контур не замкнулся. Для того чтобы его замкнуть, надо добавить изображенный на рис. IX.8 в виде стрелки вектор. Этот вектор носит название вектор Бюргерса . Из рис. 1Х.8 видно, что этот вектор совпадает с направлением сдвига и перпендикулярен к линии дислокации. [c.198]

Полудислокации значительно более подвижные, чем полные, поскольку их векторы Бюргерса намного меньше межплоскостного расстояния [см. (291)]. Таким образом, теория дислокаций устра-180 [c.180]

Ах1 — площадь, описываемая движущейся дислокацией. Предположим, что вместо одной дислокации вдоль параллельных плоскостей скольжения с одним и тем же вектором Бюргерса движется п дислокаций. В этом случае деформация сдвига [c.187]

В образцах бериллия, облученных прн температуре жидкого азота интегральной дозой 1-10 нейтр/см2 и нагретых до 20°С, никаких скоплений дефектов, как и следовало ожидать, не было обнаружено [59]. Дислокационные петли были выявлены лишь после отжига образцов при температуре 200°С. Аналогичные петли появлялись и после облучения бериллия дозой 10 — 1020 нейтр/см2 при температуре 300—350 °С [71, 98—101]. Диаметр их в приведенных случаях равнялся 200— 1000 А, а вектор Бюргерса имел направление (с—а) [100]. [c.49]

Анализ ангармонического расширения [34] показывает, что чисто гидростатическое давление и напряжения любого вида (в том числе касательные) вызывают дилатацию, пропорциональную запасенной энергии. Следовательно, в случае и краевых, и винтовых дислокаций дилатация, обусловленная ангармоническими членами, пропорциональна энергии дислокации W. Отсюда расчеты дают оценку увеличения объема А У 36 /2 на отрезке длиной Ъ (вектор Бюргерса) вдоль дислокаций, хорошо согласующуюся с экспериментальными данными измерения дилатации в сильно деформированных металлах [6]. Хотя средняя по кристаллу величина дилатации невелика, локальные значения дилатации при краевых дислокациях (в отличие от винтовых) достигают большой величины, так что на этих дислокациях возникает электрический диполь [35] вследствие перераспределения электронов проводимости, обусловленного изменением гидростатического давления в окрестности дислокации [5]. Локальное возмущение самосогласованного поля свободных электронов, вызываемое появлением потенциала деформации с нарушением локальной электронейтральности, должно оказать влияние на различные физические процессы в крис-сталЛе [5]. В случае же винтовой дислокации гидростатическое давление связано только с ангармоническим расширением и мало [6]. [c.45]

Известно, что рост кристаллов тесно связан с винтовыми дислокациями. Однако, исследования кинетики испарения кристалла путем удаления спиральных слоев, высота которых соответствовала вектору Бюргерса порядка 2-10 см [41], показали, что можно пренебречь влиянием энергии деформации решетки в точке выхода на поверхность винтовой дислокации на скорость испарения. Авторы работы [41 ] считают, что расстояние между ступенями, порожденными винтовой дислокацией, быстро растет, достигая такой же величины, как и в случае, когда единственным источником моноатомных ступеней является край кристалла. Поэтому на таких дислокациях ямки травления не образуются. [c.49]

Л — Группа дислокаций Ь — вектор Бюргерса АА — плоскость скола т — сдвиговое напряжение, действующее в плоскости ЗА. [c.24]

Юнга Ь — вектор Бюргерса. [c.11]

Особое место в проблеме распухания, по-видимому, занимает тот факт, что пузырьки могут эффективно взаимодействовать с такими обычными дефектами кристаллического строения материалов, как дислокации [117], межфазные и межзеренные границы, а также внешние поверхности поликристалла [Г18]. В первом случае Аа- Gb r ) [G — модуль сдвига материала, Ь — вектор Бюргерса дислокации, г — расстояние от дислокации). При более мелких пузырьках, когда скорость перемещения определяется механизмом поверхностной диффузии, воспользовавшись выражением (4.19), можно найти [c.54]

Краевые дислокации, расположенные перпендикулярно поверхности фольги ( торчковые дислокации), в положении кристалла, близком к отражающему, видны в виде двух лепестков — темного и светлого. Соотношение контраста зависит от положения кристалла, но направление розетки не изменяется, поскольку оно связано с ориентацией вектора Бюргерса. Вектор Бюргерса винтовых торчковых дислокаций оказывается параллельным оси зоны всех отражающих плоскостей, сели первичный электронный пучок, как обычно, перпендикулярен поверхности фольги, т. е. г Ь = 0. Однако эти дислокации также дают розетку контраста, но в отличие от краевых дислокаций направление розетки винтовых дислокаций меняется с изменением действующего отражения (направление розетки перпендикулярно нормали к отражающей плоскости). Если дислокация является смешанной, то могут быть вид-ны обе пары розеток. В табл. 1 и 2 приведены произведения векторов г Ь для полных (табл. 1) и частичных (табл. 2) дислокаций в г. ц. к. решетке. [c.289]

Ж. Фриделем установлено, что упрочнение неоднозначно связано с плотностью дислокаций, находящихся на расстоянии i друг от друга определяется по формуле а = Gb /п Р/2т1, где в - вектор Бюргерса. В трехмерной сетке изолированных дислокаций, отстоящих друг от друга на расстоянии f о = GbVp/4. в сетке диполей вьюо-той h, отстоящих друг от друга на расстоянии сопротивление деформации описывается выражением о = ОвЬ р I 2nf. Примечательно, что независимо от типа дислокационной структуры плотность дислокаций р в этих формулах имеет степень 1/2. Здесь под а следует понимать приращение сопротивления деформации [c.42]

Краевая дислокация является некоторым элементарным типом дислокаций. Другим таким типом являются винтовые дислокации. Все другие дислокации могут быть разложены на краевые и винтовые. На рис. 1Х.9 изображена винтовая дислокация, которая также возникла в результате сдвига. Осуществляется сдвиг только некоторой передней части правой половины кристалла. Этот сдвиг привел к тому, что кристалл как бы состоит из одной атомной плоскости, закрученной наподобие винтовой лестницы. Граница сдвига определяется перпендикуляром к поверхности кристалла в точке А. Чтобы замкнуть контур, окружающт эту линию дислокации, необходим вектор Бюргерса, параллельный этой линии. [c.198]

За небольшим исключением поликристаллические материалы металлургического происхождения С обычной дислокационной структурой имеют относительно низкий уровень (гр 1 %) демпфирования и потому не могут быть использованы для защиты от шумов и вибраций. Однако, используя специальные приемы достигнутые в микрометаллургии, можно создать такие структуры в микрокристаллах, демпфирующая способность которых будет на 2—3 порядка выше. Так, например, уровень внутреннего трения в НК меди при 300 К может меняться от 5-10 (г з = 0,3% плотность дислокаций мала) до 5-10" (г = 30%). В последнем случае НК содержит большое количество смешанных 60-град дислокаций с вектором Бюргерса Ь = а/2 [101], расположенных вдоль оси роста высокий уровень демпфирования этих НК сохраняется до —1100 К- [c.505]

Рис. 2. Краевая дислокация в кристалле с простой кубич. решеткой. ЛВСй плосхосгъ сдвига, АВ- граница зоны сдвига (краевая дислокация), Ь вектор Бюргерса.

Если граница между смещенными друг относительно друга участками плоскости скольжения параллельна вектору Бюргерса, то эта граница образует винтовую дислокацию. Присутствие винтовой дислокации обусловливает рост кристаллов при малых пересыщениях р-ра или расплава, когда вероятность появления зародыша невелика, выход винтовой дислокации на пов-сть образует ступеньку, т.е. обрыв атомной плоскости, к к-рому непрерывно присоединяются атомы, обеспечивая тем са.мым рост кристалла с миним. активац. затратами энергии. [c.30]

Краткий курс физической химии (1979) -- [ c.198 ]

Физическая химия (1987) -- [ c.362 ]

Физика и химия твердого состояния органических соединений (1967) -- [ c.196 , c.198 ]

Физико-химическая кристаллография (1972) -- [ c.221 ]

Кинетика и механизм кристаллизации (1971) -- [ c.121 , c.129 ]

Минеральные удобрения и соли (1987) -- [ c.57 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология