Граница двойниковая движение

В кристаллической решетке дефекты обычно не остаются на месте, они перемещаются в результате разности их концентраций АС, температуры ДГ, теплового движения, напряжения и т. д. Из кристалла дефекты переносятся на его поверхность, и наоборот, внутри кристалла за счет окружающей среды их число может возрастать. При наличии дефектов в кристаллах происходит массоперенос, перемещающиеся дефекты обусловливают движение атомов в кристаллической решетке и дырочную электропроводность в полупроводниках. Скорость движения точечных дефектов сильно зависит от температуры, однако при нормальных условиях она имеет значение 10 см/с. В природных кристаллах заметного движения макродефектов — двойниковых швов, границ раздела макроблоков, залеченных трещин — не отмечено. [c.26]

Необходимые для движения границы двойникующие дислокации могут генерироваться в районе ребра, образованного пересечением верхней поверхности кристалла с двойниковой границей, где имеется микроскопический излом поверхности (линейная область, параллельная оси г, с координатами X = О, > = О на рис. 4.18), приводящий к появлению дополнитель- [c.115]

Итак, после возникновения мартенситного включения в однородном упругом поле оно пробьет образец и превратится в плоскопараллельную прослойку. Для утолщения прослойки нужны меньшие напряжения, чем для образования включения конечной длины, поэтому произойдет спад нагрузки и на кривой ст-е появится зуб текучести (участок 7-2 кривой / на рис. 6.15), После того как границы прослойки пройдут через весь образец, начнется упругая деформация мартенситной фазы (участок 3 4). На начальном этапе разгрузки (участок 4—5) эта упругая деформация будет снята, после чего начнется возвратное движение границы с постоянной скоростью путем перемещения дислокаций превращения в противоположную сторону под воздействием напряжений о у. (участок 5-б) остаточ-ные мартенситные прослойки в отличие от двойниковых являются при Т > Го упругими. Гистерезис между нагрузкой и разгрузкой Ор в слу- [c.178]

Пластическое деформирование кристаллических твердьа тел связано с появлением и передвижением в их объеме особых линейных дефектов структуры, подзываемых дислокациями (см. гл. IV, 4). Дислокация отделяет в плоскости скольжения ту часть кристалла, в которой произошло смешение атомов на одно межатомное расстояние, от той части кристалла, где такого смещения еще ае происходило (рис. Х1-31). Перемещение дислокации через весь кристалл приводит к сдвигу в плоскости скольжения на одно межатомное расстояние. Движение дислокаций может тормозиться различными дефектами кристаллической решет -кн инородными атомами, включениями, другими дислокациями, границами блоков монокристаллов, двойниковыми гр 1вицами, границами зерен в полик- [c.404]

Наиболее убедительное доказательство связи указанных фигур травления в кальците с двойникующими дислокациями получено в [89], где, в частности, наблюдалось перемещение этих дефектов под действием механических нагр>уок. Прямые наблюдения двойникующих дислокаций в сурьме описаны в [90], где показано, что дислокации расположены в границе двойника на расстоянии около 1 мкм. Известны работы по изучению двой-никуюших дислокаций методами рентгеновской топографии [91] и по непосредственному наблюдению с помощью электронной микроскопии высокого разрешения как отдельных неподвижных двойникующих дислокаций [92], так и их движения [93] (исследование атомной структуры двойниковых границ и двойникующих дислокаций будет рассмотрено в 2.3). [c.31]

Приведенные результаты, касающиеся формы двойника, можно сравнить с экспериментальными данными, полученными Солдатовым и Старцевым [59] при изучении формы двойников в висмуте. Обнаружено, что если двойник свободно движется по кристаллу, не встречая препятствий, то он имеет форму сильно вытянутого в направлении движения клина с очень тонким концом (рис. 3.9а). Если при движении в глубь кристалла двойник встречает препятствие, в частности препятствие в виде двойниковой прослойки другой ориентации, то рост в длину прекращаегся. Толщина двойника быстро увеличивается, и в носике двойника образуется характерное закругление, по форме напоминающее полуокружность, с которой сопрягаются границы двойника (рис. 3.9 6). Численное дифференцирование экспериментальных данных о толщине двойника по формуле ар(х) -dh dx дало возможность определить функцию р(х). Полученная [c.62]

Перемещение двойниковой границы ( поверхностной дислокации ) pa ioтpeнo Сумино [236] как результат термофлуктуационного зарождения и движения перегибов на поверхностной дислокации ими являются обычные двойникуюшие дислокации. В отличие от обычных перегибов двойникующие дислокации обладают дальнодействующим упругим полем, что делает важным учет взаимодействия между дислокациями. Последнее, однако, в рамках подхода [236] не учитывается. [c.115]

В дальнейшем Суезава и Сумино [151] объединили представления о движении поверхностной дислокации с помощью термофлуктуацион ного зарождения перегибов с моделью переходной зоны на границе. Не останавливаясь подробно на результатах [151, 236], отметим, что детальное сопоставление экспериментальных данных о температурной зависимости скорости расширения двойниковой прослойки в кальците с теорией Сумино показывает, что последняя неприменима для описания этого процесса [237]. К аналогичному выводу приходят и авторы [233] в случае двойникования индия. [c.115]

НЫХ напряжений, обусловленных силой поверхностного натяжения ). Эти напряжения могут быть оценены следующим образом а адв/Ггр (Лдв - поверхностная энергия двойниковой границы, Лгр - физическая толщина границы согласно результрам гл. 2, Ггр 10" см). Как и в случае образования полных дислокаций вблизи ступенек на поверхности [239], суммарные напряжения могут приближаться к теоретической прочности. Такой источник обеспечит нужное для движения границы число дислокаций. Он будет работать почти безактивац онно. Небольшая термическая активация нужна потому, что новые дислокации будут появляться скорее в виде полупетелек с последующим разбеганием, чем в виде прямолинейных дислокаций. [c.116]

На 1 1с. 6,6 показаны две гистерезисные петли в сплаве Си—А1—Ы1 при разной ориентации оси растяжения [322]. Видно, что ориентация/ более выгодна , так как петля гистерезиса очень узкая (рте. 6.6а). В этом случае зарождение мартенсита происходит в ииде одной или нескольких плоскопараллелкных пластин. По мере увеличения деформации прослойки утолщаются и сливаются, образуя единую область с плоскопараллельными границами, которые, не меняя ориентации, движутся, постепенно превращая весь объем образца в мартенситную фазу. Граница фаз в этом слуеде имеет структуру типа когерентной двойниковой границы, по которой легко скользят дислокации превращения. Их движения одинаково облег-чгно и в прямом, и в обратном направлении, В результате достигается максимальная деформация (около 10%) й совершенно ничтожна остаточная деформация. [c.166]

По мере увеличения скорости деформации скорости перемещения дислокаций превращения растут, их плотность на границе падает, и на каком-то этапе распределение дислокаций на границе уже нельзя охарактеризовать с помощью непрерьшной функции р (л ). Лимитирующим движение границы фактором становится размножение дислокаций. Развитый выше подход в этой ситуации уже неприменим, и следует использовать подход, развитый в цикле работ Сумино и др. [236, 326-328], В этом подходе двойниковая граница рассматривается как поверхностная дислокация. Процессом, лимитирующим ее распространение, является зарождение перегибов на такой поверхностной дислокации, которое происходит термоактивируемым образом. Этими перегибами, по существу, являются обычные двойникующие дислокации. После возникновения петли такой дислокации она очень быстро распространяется вдоль границы, и дальше ситуация воспроизводится заново. Ни характер движения двойникующей дислокации, ни взаимодействие между ними не рассматриваются. Простое [c.179]

Изложенная в гл. 3 дислокационная теория упругого двойникования существенно опиралась на тот экспериментальный факт, что двойниковая граница имеет правильную атомную структуру. Атомное сопряжение вдоль так назьЬаемой когерентной границы происходит фактически на одном межатомном расстоянии. В других случаях толщина двойниковой границы. охватывает несколько атомных слоев. Это позволяет представить наклонную двойниковую границу как огибающую одноатомных ступенек, каждая из которых является двойникующей дислокацией. Перемещение двойниковой границы связывается с движением вдоль нее дислокаций. [c.195]

Детальные исследования АЭ в сегнетоэластиках начаты сравнительно недавно. Факт появления эмиссии связывается авторами (455] с образованием и движением двойниковых и межфазных границ. [c.232]

Косвенные свидетельства о подвижности границ получены с помощью измерений внутреннего трения, поглощения ультразвука и дефекта модуля в У—Ва-Си-0 [512], причем поведение измеряемых величин аналогично таковым при наличии термоупругого мартенсита ). Отмечается легкость движения двойниковых границ с этим движением под действием механических напряжешй связываются пики внутреннего трения. [c.244]

Напомним, %о энергия активации движения двойникующих дислокаций в области низких температур, когда существенную роль может играть рельеф Пайерлса, составляет в кальците 0,019 эВ, в висмуте 0,02 эВ, в железе 0,03—0,04 эВ, в вольфраме (по данным моделирования) 0,074 эВ (подробнее см. гл, 2, 4). В рассматриваемом случае (сравнительно быстрое перемещение границ в области низких температур) диффузионные процессы не успевают происходить будет возникать псев до двойниковая структура со всеми вытекающими из этого для сверхупругости особенностями. [c.248]

Чайковская H.M. Экспериментальное изучение кинетики и динамики движения двойниковых границ в кальците Автореф. дис.... канд. физ.-мат. наук. Харьков ФТИНТ АН УССР, 1981. 22 с. [c.262]

Поскольку скорость и направление движения двойниковой границы не зависят от знака прикладываемого напряжения, можно заключить [92], что скорость движения двойниковой границы должна зависеть от квадрата приложенного напряжения. Упругая энергия есть функция квадрата напряжения (или деформации), благодаря чему двойниковая граница двия ется так, что кристалл подвергается максимально возможной деформации [c.166]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология