Прослойки двойниковые

В результате испытаний удалось установить интенсивное развитие хемомеханического э екта при всестороннем обжатии образца мрамора, насыщенного раствором кислоты без ингибитора, и показать возможность ингибирования этого эффекта если в присутствии ингибитора (как и в случае сухого образца) отдельные зерна деформировались лишь по отдельным плоскостям, наиболее благоприятным для механического двойникования (рис. 55, а), то без ингибитора (рис. 55, б) двойникование прошло и по плоскостям, в которых деформация была ранее затруднена (поздние двойники). Поздние, двойники, пересекаясь в пределах одного зерна ранее возникшими двойниковыми прослойками, перестают увеличиваться в длину и вследствие совместного действия механохимического и хемомеханического эффектов начинают расти в ширину, разбивая зерно на более мелкие субзерна. Увеличение обжимающей нагрузки усиливало проявление наблюдаемых эффектов. [c.157]

Рис. 103. Одноатомная двойниковая прослойка.

Если двойниковая прослойка появляется, когда прикладывается нагрузка, и исчезает, когда нагрузка снимается, мы имеем упругое двойникование. Если двойниковая прослойка остается после снятия напряжения, то она называется остаточным двойником. [c.303]

Во-первых, это сила, аналогичная в некоторой степени силе сухого трения , типа силы Пайерлса. Во-вторых, это сила поверхностного натяжения двойниковой прослойки. Очевидно, что последняя сила действует только на дислокации, расположенные у конца двойника. В самом деле, добавление одной дислокации в той части двойника, ширина которой имеет макроскопические размеры, практически не меняет площади поверхности раздела двойника и матрицы и не изменяет существенно поверхностную энергию. В то же время добавление одной дислокации у конца двойника, где границы раздела удалены друг от друга на несколько атомных расстояний, может значительно изменить соответствующую поверхностную энергию. Различие в характере искажений кристалла, порождаемых дислокациями у конца двойника (головными дислокациями скопления) и дислокациями на двойниковой границе, можно усмотреть при сравнении схем головной частичной дислокации (рис. 103) и двойникующей дислокации Владимирского (рис. 102). [c.305]

После образования упругого двойника или стабильной двойниковой прослойки достаточно приложить напряжение на сдвиг 0,3-0,4 МПа, равномерно распределенное по плоскости двойникования К1 в направлении г 1, чтобы процесс двойникования протекал при комнатной температуре. В работах [11-38] были обоснованы некоторые положения, которые позднее были широко использованы различными авторами, как экспериментаторами, так и теоретиками, [c.19]

Стадия образования прослойки устойчивого двойника. Толщина первоначально образующегося стойкого двойникового включения мало отличается от толщины упругого двойника, из которого возникает прослойка. Полисинтетический двойник, состоящий из пакета устойчивых двойниковых прослоек, образуется при завершении второй стадии развития пакета упругих двойников. Каждая устойчивая прослойка происходит из своего упругого двойника. [c.20]

При статическом растяжении в жидком азоте до разрушения двойникования в образцах второй партии не обнаружено в тех же условиях в образцах третьей партии на границах зерен, как правило, возникают двойники. При хрупком разрушении в образцах первой и второй партий двойниковые включения не обнаружены, в образцах третьей партии, как правило, двойниковые включения в крупных зернах имеются в больших количествах, преимущественно вблизи контактов с мелкими зернами. Внутри мелких зерен двойниковых включений не обнаружено. По-видимому, в таких зернах невозможно создать неоднородного распределения напряжений. Замечено также, что в тех местах, где трещина или двойниковая прослойка доходит до границы зерен, возникают зародыши двойникования в соседнем зерне даже при значительном угле разориентации плоскостей двойникования смежных зерен. [c.23]

Рис. 1.8. Схема механического двойникования под действием толкателя со скошенным торцом а - толкатель касается границы двойникованной части с материнским кристаллом, что приводит к образованию упругих двойников, превращающихся в тонкие двойниковые прослойки (получается полисинтетический двойник) б - толкатель касается только двойникованного материала, что приводит к утолщению одной двойниковой прослойки

При деформации полисинтетического двойникового включения одновременно с увеличением толщины пакета двойниковых включений происходит уменьшение толщины промежуточных прослоек материнского кристалла. При этом обнаружено, что при постоянной нагрузке скорость уменьшения толщины прослоек, начиная с некоторого их значения, резко возрастает. По-видимому, с уменьшением толщины прослойки сопротивление двойникованию снижается. Подобное явление наблюдается при отжиге кристаллов натриевой селитры, когда исчезают тонкие двойникованные при комнатной температуре прослойки [45]. [c.28]

Рис. 3.3, Одноатомная двойниковая прослойка в кристалле Р й с. 3.4. Двойник как совокупность двойникующих дислокаций

Изменение формы и размеров двойника при н рузке и разгрузке показано на рис. 3.8. При наличии стопора возрастание нагрузки приведет к тому, что точка в, будет приближаться к концу двойника л = Х, и в пределе бесконечно больших нагрузок двойниковый клин превратится в плоскопараллельную прослойку ), заканчивающуюся внутри кристалла. Качественно можно также рассмотреть и процесс превращения клиновидного двойника в остаточную прослойку при его подходе к внешней поверхности кристалла или границе зерна (более мягкой , чем данное зерно, иначе двойник не сможет подойти к этой поверхности раздела [179]). В момент касания кончика двойника поверхности, группа головных дислокаций ВЫХОДИТ на нее. В этот момент практически исчезает сосредоточенная сила щ конце двойника, значительная часть дислокаций выйдет из кристалла и при небольших внешних нагрузках форма прослойки, пересекающей весь кристалл, будет почти плоскопараллельной. [c.61]

Напряжение Ощ, соответствующее началу утолщения остаточной двойниковой прослойки, или предел текучести, удобно определить как такое значение Оа, при котором скорость перемещения границы остаточного двойника V равна какому-либо стандартному значению [67]. В соответствии с [c.132]

Итак, после возникновения мартенситного включения в однородном упругом поле оно пробьет образец и превратится в плоскопараллельную прослойку. Для утолщения прослойки нужны меньшие напряжения, чем для образования включения конечной длины, поэтому произойдет спад нагрузки и на кривой ст-е появится зуб текучести (участок 7-2 кривой / на рис. 6.15), После того как границы прослойки пройдут через весь образец, начнется упругая деформация мартенситной фазы (участок 3 4). На начальном этапе разгрузки (участок 4—5) эта упругая деформация будет снята, после чего начнется возвратное движение границы с постоянной скоростью путем перемещения дислокаций превращения в противоположную сторону под воздействием напряжений о у. (участок 5-б) остаточ-ные мартенситные прослойки в отличие от двойниковых являются при Т > Го упругими. Гистерезис между нагрузкой и разгрузкой Ор в слу- [c.178]

Пластическая деформация, внося в ферромагнетик дефекты кристаллической структуры (зоны неоднородных внутренних деформаций, полосы скольжения, двойниковые прослойки и т. п.), измельчает магнитную доменную структуру (уменьшает размеры основных и увеличивает количество замыкающих доменов), то есть затрудняет процессы смешения основных доменных фаниц. При этом характер возникающих дефектов и особенности их распределения в кристалле, задавая определенный вид и поведение магнитных доменов, обусловливают ссютветствующие изменения электромагнитных свойств. Так, в (ПО) кристалле кремнистого железа с простой структурой основных 180° доменов в форме полос в исходном не деформированном состоянии (рисунок 2.2.5, а) появление в различных [c.64]

Дефектом упаковки называется всякое отклонение от нормальной для данного кристалла последовательности в чередовании атомарных слоев. Дефекты упаковки имеют ту же природу, что и двойники. На когерентной двойниковой границе меняется первоначальная последовательность слоев на последовательность, находящуюся с первоначальной в двойниковом соответствии, в то время как после дефекта упаковки первоначальная последовательность полностью восстанавливается. Таким образом, дефект упаковки можно расматривать как двойниковую прослойку толщиной в один элементарный слой, ограниченную с двух сторон когерентными двойниковыми границами. Дефекты упаковки особенно часто образуются в кристаллах со слоистой структурой (типа С(112, желтой кровяной соли и т. д.), т. е. веществах, обладающих политипией. Собственно, легкость образования дефектов упаковки и определяет склонность соединения к политипии. Сама структура политипной модификации может быть описана как упорядоченное расположение в одном измерении ( сверхструктура ) дефектов упаковки. При этом на правильную сверхструктуру может быть наложено беспорядочное распределение дефектов упа- [c.10]

К трехмерным дефектам относятся прежде всего области кристалла, ограниченные рассмотренными выше двумерными дефектами, — двойниковые прослойки, включения других политипных или полиморфных модификаций, макроблоки. Важным типом трехмерных дефектов являются включения раствора, рассматриваемые в 1.6. Сюда же относятся включения посторонних твердых фаз. Твердые включения подразделяются на протогенетические — захваченные кристаллом при росте, сингенетические — возникшие и разраставшиеся одновременно с кристаллом, и- эпигенетические — возникшие при преобразовании готового кристалла. [c.12]

Приступая к дислокационному описанию двойника, полезно посмотреть на двойникующую дислокацию с иной точки зрения. Представим себе одноатомную двойниковую прослойку, изображенную на рис. 103. Край этой прослойки является так называемой частичной дислокацией, вектор Бюргерса которой Ь = 2йtga, где а — расстояние между кристаллическими плоскостями в направлении, перпендикулярном плоскости двойникования, а а — угол двойникования. [c.302]

Если одна из двойниковых структур занимает незначительную часть кристалла, ее называют двойниковой прослойкой или включением, остальную часть материнским кристаллом Кртсталл, пронизанный параллельными двойниковыми прослойками называют полисинтетическим двойником. Двойники возникают в процессе роста кристаллов (двойники роста), под действием внешних нагрузок (Механические двойники), при нагревании деформированных кристаллов (двойники отжига или рекристаллизации), при фазовых превращениях (особенно мартенситного и сегнето- [c.13]

Первая серия работ по изучению упругого двойникования кальцита и натриевой селитры бьша опубликована в период 1938—1947 гг. [31—38]. В работе [38] показано, что сопротивление двойникованию монокристалла кальцита на порядок превьпяает сопротивление двойникованию образца с двойниковой прослойкой. Фогт применял однородно распределенное сжатие. Однако двойниковые прослойки могли возникнуть только после образования в отдельных областях кристалла неоднородных [c.18]

Дальнейшее увеличение нагрузки приводит к переходу ко второй стадии. Рядом с упруго сжатой частью образца возникает упругий двойник, из которого образуется при дальнейшем повышении нагрузки тонкая пластина двойникового включения, т.е. завершается вторая стадия двойникования. Продолжая этот процесс, можно получить полисинтетический, двойник, представляющий собой ряд пластинчатых двойниковых включений, разделенных пластинами материнского кристалла.. Толщина каждой из этих пластин примерно равна ширине зоны упругой аккомодации, которая в свою очередь зависит от твердости кристалла и толкателя, угла поворота поверхности при двойниковании, угла наклона поверхности толкателя, сосредоточенной нагрузки, вызьшающей переход от первой стадии ко. второй. Чем меньше угол наклона поверхности толкателя, тем тоньше и прослойки материнского кристалла такого полисинтетического двойника [36]. [c.24]

Четвертая стадия двойникования широко изучалась не только качественно, но и количественно. Эта стадия определяет механические свойства кристаллических материалов. Детальное изучение механических свойств двойниковых включейий в кальците на четвертой стадии [67] показало, что механические свойства единичной двойниковой прослойки подобны аналогичным свойствам моно- и поликристаллических материалов. На стадии упругого двойникования наблюдались последействие и гистерезис. Текучесть, ползучесть и упрочнение наблюдались при пластической деформации остаточных двойниковых прослоек. Это позволило обобщить полученные результаты на все другие виды пластической деформации и вьщви-нуть идею механикотермического программного упрочнения твердых тел [67]. [c.27]

Определенный набор двойникующих дислокаций может обеспечить любой наклон макроскопической границы двойника к плоскости двойни кования. На рис. 2.3 показано возможное расположение дислокаций по кр№ туру двойниковой прослойки. Прямые экспериментальные доказа рельетва дислокационного строения границы двойника были получены после того, как достигла высокого уровня методика избирательного травления. Травление поверхности образца кальцита, На которую выходит граница упругого двойника, показало [71], что эта граница состоит из протяженных когерентных участков, слабо протравленных в виде узких канавок, и отдельных характерных для дислокаций глубоких ямок травления, находящихся на расстоянии нескольких микрометров одна от другой. Следы этих дефектов исчезают после выхода упругого двойника из кристалла. Наблю- [c.30]

Второй тип сил неупругого происхождения появляется при изучении частичных дислокаций в кристалле, представителями которых выступают двойникуюшие дислокации и дислокации превращения. Отдельная частичная дислокация ограничивает некоторый дефект упаковки (моноатомную двойниковую прослойку, моноатомную прослойку новой фазы при фазовом превращений) и испытывает действие силы поверхностного натяжения, связанного с поверхностью дефекта. Эта сипа всегда направлена в плоскости дефекта по нормали к линии дислокации в данной точке. [c.33]

Приступая к дислокационному описанию двойника и стараясь сделать ясной исходную модель, представим себе одноатом1 ю двойниковую прослойку , набором которых реализуется макроскопический двойник. Схема разреза такой прослойки изображена на рис. 3.3. Одноатомный двойник заканчивается частичной дислокацией, линия которой проходит через заштрихованную область. Составляющая вектора Бюргерса Ь в плоскости ху показана на рис. 3.3, а ее модуль, очевидно, равен Ь = 2аЩ а (2а - угол двойникования). [c.53]

В отличие от дислокации Владимирского (см. рис. 2.2), которая расположена на. границе войник - материнский кристалл и является элементом такой границы, рассматриваемая дислокация типа Шокли является краем одноатомной двойниковой прослойки и может быть расположена только на переднем конце двойника — в его голове. Но векторы Бюргерса этих дислокаций совпадают, и с точки зрения дислокаций в упругой среде они эквиваленгаы. [c.53]

Приведенные результаты, касающиеся формы двойника, можно сравнить с экспериментальными данными, полученными Солдатовым и Старцевым [59] при изучении формы двойников в висмуте. Обнаружено, что если двойник свободно движется по кристаллу, не встречая препятствий, то он имеет форму сильно вытянутого в направлении движения клина с очень тонким концом (рис. 3.9а). Если при движении в глубь кристалла двойник встречает препятствие, в частности препятствие в виде двойниковой прослойки другой ориентации, то рост в длину прекращаегся. Толщина двойника быстро увеличивается, и в носике двойника образуется характерное закругление, по форме напоминающее полуокружность, с которой сопрягаются границы двойника (рис. 3.9 6). Численное дифференцирование экспериментальных данных о толщине двойника по формуле ар(х) -dh dx дало возможность определить функцию р(х). Полученная [c.62]

Таким образом, в ограниченном кристалле могут реализоваться только две возможности. Если Р(Ь) — знакопеременная функпия, то имеется максимально возможная длина, которую нельзя превзойти при любом конечном Р. Если же Р(Ь) — знакопостоянная функция, то при достаточно большом Р (таком, что >5о) произойдет потеря устойчивости с последующим скачкообразным превращением упругого двойника в остаточную двойниковую прослойку. Качественный анализ показывает, что эта закономерность имеет место и в случае упругих двойников в ограниченном кристалле с анизотропией общего вида [177], а также для упругих двойников вблизи границы раздела сред с различными упругими модулями [179]. Потеря устойчивости упругого двойника вблизи остаточной двойниковой прослойки экспериментально наблюдалась в кальците [180]. Взаимодействие двойника с границей зерна описано в [66]. Нам также представляется, что потеря устойчивости двойников в кристаллитах может быть одной из причин, приводящих к прерьшистому характеру пластической деформации в поликристаллах, когда последняя осуществляется, главным образом, путем двойникования (см,, например, [190]), [c.83]

В [195] проведено качественное изучение закономерностей образования и изменения формы упругих двойников в кальците по оптическим интерференционным картинам. На основе результатов теории дается качественное объяснение разлишю в длинах и форме двойников, возникающих п1Ж нагружении шарами разного диаметра. Проведены качественные наблюдения гистерезиса при упругом двойниковании. Однако используемая методика не позволила выделить явление в чистом виде в [196] отмечено, что при нагружении шаром без прокладки заметить гистерезис не удается. Детальные исследования гистерезиса были проведены в [189]. Но, как и в прещ>1дущем случае, применение сосредоточенной нагрузки и связанное с этим неконтролируемое изменение условий контакта на поверхности образца не Позволили выделить гистерезис в чистом виде. Солдатовым и Старцевым [59, 197] проведено изучение формы двойниковой прослойки в монокристаллах висмута обнаружены эффекты, предсказанные теорией (подробнее см. гл. 3). [c.89]

После того как двойник превращается в остаточную прослойку, начинается завершающая стадия двойникования — утолщение прослойки путем перемещения ее границы. Для утолщения прослойки необходимо непрерывное появление новых двойникующих дислокаций в каждой соседней с двойниковой границей шюскости. Изящное решение проблемы дали различного типа полюсные механизмы, первые варианты которых предложили Коттрелл и Билби [230] для ОЦК кристаллов и Томпсон и Миллард [201] для ГПУ кристаллов. В дальнейшем был предложен ряд аналогичных механизмов тя ОЦК, ГЦК, ГПУ структур. Общей их чертой является образование двойникующих дислокаций путем диссоциации либо отдельных полных дислокаций, либо их определенных комбинаций. До настоящего времени не получено сколько-нибудь надежных экспериментальных доказательств работы этих механизмов. Большинство экспериментаторов считает, что в их экспериментах полюсные механизмы не работают [58, 60, 231, 233, 234] (подробнее см. обзор [65]). Например, экспериментальна определенное время утолшения прослоек в кристаллах цинка, олова, индия существенно меньше рассчитанного в рамках модели полюсного механизма [233, 235], [c.115]

В дальнейшем Суезава и Сумино [151] объединили представления о движении поверхностной дислокации с помощью термофлуктуацион ного зарождения перегибов с моделью переходной зоны на границе. Не останавливаясь подробно на результатах [151, 236], отметим, что детальное сопоставление экспериментальных данных о температурной зависимости скорости расширения двойниковой прослойки в кальците с теорией Сумино показывает, что последняя неприменима для описания этого процесса [237]. К аналогичному выводу приходят и авторы [233] в случае двойникования индия. [c.115]

На 1 1с. 6,6 показаны две гистерезисные петли в сплаве Си—А1—Ы1 при разной ориентации оси растяжения [322]. Видно, что ориентация/ более выгодна , так как петля гистерезиса очень узкая (рте. 6.6а). В этом случае зарождение мартенсита происходит в ииде одной или нескольких плоскопараллелкных пластин. По мере увеличения деформации прослойки утолщаются и сливаются, образуя единую область с плоскопараллельными границами, которые, не меняя ориентации, движутся, постепенно превращая весь объем образца в мартенситную фазу. Граница фаз в этом слуеде имеет структуру типа когерентной двойниковой границы, по которой легко скользят дислокации превращения. Их движения одинаково облег-чгно и в прямом, и в обратном направлении, В результате достигается максимальная деформация (около 10%) й совершенно ничтожна остаточная деформация. [c.166]

Эффект памяти формы возможен и на остаточных прослойках, толщина которых меньше критической. Критическую толщину прослойки определим как таковую, для которой работа против сил решеточного трения дислокаций при ее раздвойниковании равна поверхностной энергии двойниковых границ скдв, Определить критическую толщину можно путем приравнивания соответствующей работы и поверхностной энергии. В результате получим [c.182]

Используя описанную здесь методаку, в [421,422] удалось обнаружить характерные звуковые сигналы в момент появления двойника под сосредоточенной нагрузкой ( входа двойникующих даслокаций в кристалл), в момент превращения упругого двойника в остаточную прослойку и при уширении остаточной двойниковой прослойки (факт уширения регистри- [c.211]

Бенгус 5,3., Комник С.Н. Структура и механизм перемещения границы двойниковой прослойки в кристаллах // Элементарные процессы пластической деформации кристаллов. Киев Наукова думка. 1978, С. 130-144, [c.259]

Рис. 131. Развитие трещин в галлированном кадмии (при удлинении а—0,33 и 6—0,83%) и растяжение кадмия в отсутствие галлия (в) (видны многочисленные двойниковые прослойки трещины отсутствуют) [145] Увеличение 40

Справочник химика 21

Химия и химическая технология