Дислокация частичная

Рис. 38. Сопряжение фаз а) когерентное, б) частично когерентное. Линия 00 показывает межфазную границу. В случае (а) контур Бюргерса, показанный жирными линиями, замкнут. В случае (б) контур Бюргерса разомкнут. Замыкающий вектор Ь есть вектор Бюргерса дислокации несоответствия.

Здесь 5" характеризует напряжение, необходимое для движения головной дислокации (частичной дислокации, схематически изображенной на рис. 3.3), и по порядку величины [c.65]

Схематически образование линейной дислокации можно представить как частичный сдвиг одной половины кристалла относительно второй неподвижной половины на одно или несколько атомных расстояний (рис. 107). Деформация сжатия в направлении сдвига приводит к тому, что нарушается связь между атомами в каком-либо ряду внутри кристалла. В результате в кристалле возникает как бы лишняя полуплоскость. [c.175]

Изменение образца при приготовлении. При уменьшении толщины препарата (шлифовки, полировки и т. п.) могут быть частично релаксированы дислокации, поэтому дислокационная структура тонких и толстых объектов часто бывает различной (в процессе приготовления пластинок из стали перемещается, например, до 20% дислокаций). Нагревание образца в процессе полировки часто приводит к определенным фазовым превращениям вещества в поверхностном слое (отжиг части точечных дефектов, образование гидридов в токе водорода и т. п.). Могут происходить различные изменения в пленке образца и при переносе ее из камеры предварительного приготовления в вакуумную систему, и при пребывании в условиях глубокого вакуума. [c.144]

Вместе с тем пропорциональность напряжения в головной части дислокационного скопления числу дислокаций в скоплении (перед препятствием) имеет место как для краевых, так и для винтовых дислокаций. Это было ранее установлено именно для нагромождения винтовых дислокаций, хотя неизбежна частичная релаксация напряжений в результате перекрывания силовых полей винтовых дислокаций при их близком расположении в скоплении. Кроме того, возможна аннигиляция винтовых участков соседних линий путем скольжения. [c.48]

Однако в двойном электрическом слое диэлектрическая постоянная растворителя зависит от напряженности поля, которая достигает 10 —10 В/см. При такой напряженности наблюдается частичное или даже полное диэлектрическое насыщение в этом слое [20]. Тогда, как следует из рис. 67 и выражения (251), величина может достигать порядка 10 —10, что соответствует наблюдаемому на практике ускоренному растворению выступающих неровностей металла (электролитическое полирование, травление дислокаций, растворение ступенек в местах выхода линий пластического скольжения). [c.171]

При искусственном старении (190 °С) увеличение прочности происходит за счет выделения фаз 0", 0 и S. Пластическая деформация после закалки и перед искусственным старением приводит к более тонкому распределению полукогерентных фаз 0 и S, которые зарождаются предпочтительно на дислокациях. В период начальных стадий искусственного старения зарождаются и растут предпочтительно по границам зерен некогерентные фазы 0 и S, что приводит к обеднению областей, прилегающих непосредственно к границам. В начальных стадиях искусственного старения прочность увеличивается благодаря частичной реверсии зон ГП и ГПБ. По мере продолжения старения максимум прочности достигается, когда сплав содержит множество мелких частиц фаз 0", 0 и S. Во время старения эти частицы, обогащенные медью, образуются по всему объему зерна (рис. 87). Этот общий распад уменьшает концентрацию меди в твердом растворе матрицы и, таким образом, уже нет значительного преимущества [c.237]

К одномерным (линейным) дефектам относятся дислокации. Если частично разрезать кристалл вдоль некоторой поверхности, [c.5]

По-видимому, в большинстве наиболее интересных случаев мы встречаемся с когерентным или частично когерентным способом сопряжения фаз. Оба зти способа могут быть рассмотрены с единой точки зрения, так как присутствие дислокаций несоответствия при частично когерентном сопряжении сводится к простому увеличению коэффициентов поверхностного натяжения и к уменьшению эффективной разницы в размерах сопрягающихся плоскостей. В этом смысле ситуации когерентного и частично когерентного сопряжения отличаются только в количественном, но не качественном отношении. Поэтому в дальнейшем мы будем обсуждать только случаи когерентного сопряжения фаз, Х [c.196]

Источником изгибов и сжатий, заставляющих дефекты перемещаться внутри кристалла, могут служить тепловые колебания конца цепи, происходящие в дефектных местах. Дислокации после выхода из ламели исчезают в одной из складок, что приводит к постепенному увеличению ее длины. Одпако по оценкам Петерлина, такая схема не может объяснить экспериментальные результаты. Поэтому был пред.ложен кооперативный механизм, связанный с перемещением целого отрезка цепи, включенного в кристаллит. Такому процессу соответствует вполне определенная вероятность при достаточно высоких температурах. Обычно эти механизмы не связывают с процессами частичного плавления, а используют их для объяснения эффектов отжига в I температурной области за счет диффузии в твердом состоянии. [c.78]

Пока можно лишь сказать, что высокая прочность пленок обусловлена отсутствием действующих источников дислокаций и ограничением перемещений ростовых дислокаций. Частично высокая прочность пленок может объясняться еще тем, что их поверхность микроскопически достаточна совершенна. По данным Билби (1958 г.), энергия, необходимая для зарождения дислокаций около идеальной поверхности, так высока, что процесс не будет происходить. Таким образом, хорошая поверхность будет предотвращать зарождение дислокаций в тонких пленках, где источники дислокаций не действуют. [c.489]

Д, в к. подразделяют на точечные, линейные, плоскостные (двумерные) и объемные. Элементарные типы точечных дефектов — вакансии, примесные атомы замещения или внедрения, В ионных кристаллах вакансии должны быть скомпенсированы так, чтЬбы кристалл в целом был элект-ронейтрален, поэтому точечные Д. в к. возникают парами и разноименно заряжены. Пара вакансий (отсутствукуг катион и анион) наз. дефектом Шоттки, вакансия в сочетании с внесенным катионом или анионом — дефектом Френкеля. Осн, линейные Д, в к,— краевая дислокация (обрыв плоскости, в к-рой расположены атомы, ионы или центры масс молекул) и винтовая дислокация (частичный разрыв такой плоскости с замыканием образовавшихся краев на параллельно расположенные плоскости). Двумерные Д. в к, связаны, в частности, с мозаичной (блочной) структурой реального кристалла в пределах отд. блоков существует структура, близкая к идеальной блоки повернуты друг относительно друга на неск. градусов, К двумерным Д, в к, относят плоскости, отграничивающие блоки, дефекты наложения слоев в плотной упаковке и др,, а также пов-сть кристалла. Объемные Д. в к. реализуются в виде скоплений точечных дефектов, каналов, включений. [c.152]

Рис. 21.25. Парные дислокации в сплаве Си—А1 в плоскости скольжения у границы зерна. Расстояние между дислокациями определяется энергией разупорядочения области между дислокациями (частичными) и полем напряжений, действующих в плоскости скольжения (Л. П. Чупятова)

Последующее молекулярное описание одноосного деформирования неориентированного частично кристаллического полиэтилена характеризует пластическую деформацию волокон, образующих термопласты со сферолитной структурой. Оно может служить иллюстрацией большого разнообразия механизмов деформирования. При деформациях менее 1 % выявляют анизотропные упругие свойства кристаллов (орторомбического) полиэтилена [57] и аморфного материала [53]. При тех же самых условиях имеют место неупругие деформации СНг-групп и сегментов цепей, которые обусловливают низкотемпературные Р-, у- и б-релаксационные механизмы [10, 56]. При больших деформациях (1—5%) происходит дополнительное изменение сегментов цепи, их относительного положения и конформационные изменения (поворот связей). Подробное исследование поведения цепей в аморфных областях было выполнено Петракконе и др. [53]. В кристаллических областях под действием деформаций такого же порядка возникают дислокации и дислокационные сетки (наблюдаемые в ламеллярных кристаллах в виде муаровых узоров). В зависимости от условий внешнего нагружения и типа дислокаций их движение вызывает пластическую деформацию кристалла путем двойникования, смещения плоскостей или фазового перехода орторомбической ячейки в моноклинную. Обширный обзор деформирования полимерных монокристаллов был дан Зауэром и др. [57] и в книге Вундерлиха [3]. Детальный расчет вклада различных структурных элементов и дефектов в деформирование частично-кристаллических полимеров можно найти во многих статьях, из которых здесь приводятся только некоторые [47—62]. Хотя упомянутые выше эффекты обусловливают нелинейность зависимости напряжение—деформация, первоначально существовавшая надмолекулярная организация все еще сохраняется. Подобная деформация называется однородной. [c.41]

Неупругое и пластическое деформирование можно рассматривать как следствие последовательного движения дислокаций и смещения связывающих областей. Поворотная модель дает полное молекулярное описание структуры полимера. И на этот раз имеется лишь слабое различие между упорядоченными н неупорядоченными областями. Печхолд указывает, что совершенный кристалл ПЭ может содержать до 4 поворотов на 1000 групп СНг, в то время как в структуре типа расплава их число достигает 200 на 1000. Хотя эта концентрация столь велика, что исключает и ближний, и дальний порядок, какая-то логика в организации пространства, заполненного цепными молекулами, должна сохраниться. Печхолд предложил подходящие модели — сотовую и меандровую (рис. 2.1, в). Он полагает, что последняя модель более вероятна и может существовать в частично кристаллических волокнах (рис. 2.18,6) и в каучуках [11, 14Г]. Упомянутые ранее а-, р- и 7-релакса-ционные переходы объясняются в рамках данной модели движением поворотных блоков, замораживанием вращения сегмента из-за отсутствия свободного объема и существованием поворотных ступеней и скачков соответственно в аморфной и кристаллической областях [11]. Хотя эксперименты по рассеянию нейтронов [100—104] в значительной степени опровергают наличие четкого меандрового упорядочения цепей, предложение Печхолда было в высшей степени плодотворным для изучения структуры аморфных областей. [c.53]

Известно, что при увеличении интенсивности наводороживания (скорости накопления водорода) быстрее происходит разрушение стали и при меньших концентрациях водорода. Это связано с изменениями условий релаксаций внутренних напряжений. При низких внешних нагрузках либо при незначительной агрессивности коррозионной среды, когда обеспечивается слабый диффузионный поток водорода, возникшие напряжения успевают частично релаксироваться за счет локальной пластической деформации у краев образовавшейся трещины, поэтому последняя не растет. В этом случае время релаксации значительно меньше времени нарастания напряжений. При интенсивном наводороживании внутренние напряжения быстро нарастают, и процессы релаксации не успевают происходить даже в начальный период наводороживания. В результате блокирования водородом дислокаций подвижность их постепенно уменьшается, что приводит к локальному упрочнению металла. При достижении критических концентраций водорода, когда у краев трещины полностью теряется подвижность дислокаций, происходит хрупкое разрушение металла без следов пластической деформации. [c.40]

Как обычно, рассмотрим кривую напряжете — деформация, состоящую из трех стадий легкого скольжения (I), деформационного упрочнения (II) и заключительной (III). Последняя стадия деформации, называемая также стадией динамического возврата, связана с разрушением дислокационных скоплений, перегруппировкой дислокаций путем поперечного скольжения, выстраиванием их в полигональные субграницы. Эти процессы ведут к уменьшению энергии деформации, запайенной в материале, и к частичной взаимной аннигиляции дислокаций. Коэффициент упрочнения на этой стадии уменьшается до нуля с ростом деформации, как это и наблюдается на кривых напряжение— деформация. [c.43]

Фаза S имеет форму пластинки и зарождается предпочтительно на дислокациях, как и фаза в в сплаве системы А1—Си. Она по крайней мере частично не когерентна с матрицей и имеет приблизительный состав Ab uMg. Вызывает удивление, что до сих пор нет подходящей количественной оценки процессов, имеющих место во время стандартной термомеханической обработки такого широко применяемого сплава 2024. Упрощенное качественное описание термомеханической обработки этого силава можно представить следующим образом. При температуре нагрева перед закалкой большинство легирующих элементов переходит в твердый раствор. Однако марганцовистые соединения и другие интерметаллические частицы не растворяются. Эти частицы препятствуют движению границ зерен, способствуя образованию структуры с удлиненным зерном во время изготовления полуфабриката. Быстрое охлаждение с температуры под закалку приводит к пересыщению твердого раствора с почти равномерным распределением меди и магния в матрице. В этих условиях даже границы свободны от выделений, как показано на рис. 86. Если скорость охлаждения во время закалки меньше, чем 550 °С/с, то зарождение и рост фазы, обогащенной медью, может происходить по границам зерен с образованием при этом зон, обедненных медью, непосредственно прилегающих к границам зерен. [c.237]

Частично ионизированный водород, входящий в состав "облаков Котрелла" дислокаций, представляет наиболее подвижную легко дегаэич руемую фракцию, которая удаляется из металла при его нагреве до [c.112]

Под действием переменных напряжений, возникающих при циклических нагрузках, происходит разбиение цементитных пластин дислокациями, что приводит к частичному распаду цементита. Лри этом освобождаются атомы углерода, часть которых уходит на образование новых карбидных частиц, а часть - в тетраэдрические пустоты ОЦК-решетки феррита. При распаде цементита также происходит [c.788]

Упругие смещения и, следовательно, внутренние напряжения могут быть уменьшены, если существует другой механизм комцен-сации несовпадения атомных сеток плоскостей сопряжения. Такой механизм связан с дислокациями несоответствия. Введение экстраплоскостей, приводящих к появлению дислокаций несоответствия, увеличивает размеры соответствующей плоскости сопряжения и частично компенсирует несовпадение кристаллических сеток двух сопрягающихся плоскостей, принадлежащих разным фазам (рис. 38, б). Поэтому упругие искажения должны компенсировать только часть тех смео1 ений, которые должны были бы компенсироваться при когерентном сопряжении фаз. Сопряжение фаз, При котором уровень внутренних напряжений понижается за счет дислокаций несоответствия, называется частично когерентным. [c.195]

Р-ции открыты М. Соммле соотв. в 1913 и 1937. СООСАЖДЕНИЕ, частичный захват любого компонента многокомпонентной системы (пересыщенного р-ра нли пара) осадком, образующимся в данной системе. Соосаждающиеся компонеты удерживаются пов-стью твердой фаэы (осадка) или ее объемом. В объеме они могут локализоваться на участках с регулярной структурой (такой процесс наз. со-кристаллизацией) или на дефектах — межкристаллитных границах, дислокациях, объемных включениях р-ра или пара (см. Окклюзия). Простейшая количеств, характеристика С.— эффективный коэф. захвата К = аЬ с р, где а — кол-во соосажденного компоненга в твердой фазе плот- [c.534]

Если политетрафторэтилен перед кристаллизацией нагревали до более высокой температуры, то на микрофотографиях реплик наблюдалась структура, приближающаяся к сферо-литной. Авторами описан еще ряд наблюдений, которые, однако, не находят себе надежного объяснения. Ступенчатый спиральный рост, вызванный винтовыми. дислокациями, был обнаружен на так называемом воске политетрафторэтилена, полученном в результате частичного разрушения полимера под воздействием сильного нагревания или ионизирующего облучения. И здесь авторы, как и в ранее рассмотренных работах, были удивлень постоянством высоты ступенек роста, составлявшей около 200 А. Объяснение этому факту авторы ищут в предположении, что при разрушении полимера образуются молекулы приблизительно одинаковой длины, хотя ряд данных свидетельствует об обратном. Вероятно, авторы не были знакомы с работой Келлера, так как предположение о складчатой конфигурации молекулярных цепей позволяет дать более естественное объяснение наблюдавшемуся явлению. [c.265]

Был предложен ряд моделей структуры центрального ядра [27]. Вначале автор с сотр., видимо, поддавшись желанию захватить лидерство в соревновании с Пеннингсом, вместо высказанной Пен-, нингсом [28] и Келлером с сотр. [30] гипотезы о том, что ядро шиш-кебаба представляет собой кристаллы с выпрямленными цепями, предложили иную модель, согласно которой многослойная ламеляр-ная структура, образовавшаяся по механизму спиральной дислокации, затем испытывает частичное разворачивание макромолекул под действием сдвиговых напряжений [31], что приводит к образованию структуры волокнистого типа (ядра) [31, 32]. Однако результаты ,, [c.207]

Смотреть страницы где упоминается термин Дислокация частичная: [c.152] [c.333] [c.159] [c.63] [c.68] [c.180] [c.52] [c.141] [c.69] [c.326] [c.224] [c.85] [c.112] [c.113] [c.113] [c.157] [c.98] [c.98] [c.105] [c.171] [c.219] [c.319] [c.334] [c.338] [c.366]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология