Сила, действующая на дислокации

Рис. 2.5. Определение знака силы, действующей на дислокацию превращения. Дислокация находится на границе раздела фаз 1 2 с различными диэлектрическими или магнитными восприимчивостями

Причиной диффузионного потока на дислокацию, естественно, может служить пересыщение точечных дефектов в объеме кристалла. Однако диффузионный поток порождается также наличием силы,, действующей на дислокацию в направлении, нормальном ее плоскости скольжения. Пусть дислокация находится в поле напряжений, создающих силу Р, приложенную к единице длины дислокации. Тогда при переползании дислокации совершается работа, определяемая в единицу времени величиной РУ . Эта работа, отнесенная к одной вакансии, осевшей на дислокации, проще всего записывается [c.315]

Силы, действующие на дислокацию [c.32]

Добавим (17.38) к (17.33) и найдем полную силу, действующую на дислокацию при произвольных виртуальных смещениях [c.277]

Наконец, с возрастанием внешней нагрузки увеличивается число слабых мест в системе точек закрепления дислокации. Ясно, что сила, действующая на дислокацию в точке закрепления (например, в точке В на рис. 97) и срывающая ее с примеси, зависит как от равновесного радиуса Я, так и от взаимного расположения соседних центров (фиксации дислокационных линий Л и С. Легко понять, что поскольку закрепление дислокации на примеси характеризуется локальными свойствами системы примесь — дислокация, то его прочность может зависеть лишь от величины угла ф между двумя сегментами, сходящимися на этой примеси (рис. 97). Если этот угол становится меньше некоторого критического ф , то примесь освобождает дислокацию. Угол ф следует рассматривать как параметр взаимодействия примеси с дислокацией (по порядку величины ф [c.292]

Ри с. 2.4. Определение знака термодинамической силы, действующей на дислокацию превращения 1 — неравновесная фаза (при данной температуре), 2 — равновесная фаза (заштрихована). Стрелкой указано направление действия силы [c.34]

Иначе обстоит дело, когда деформация сопровождается фазовым превращением в кристалле. В этом случае пластичность может реализоваться перемещением так называемых дислокаций превращения. Перемещение таких дислокаций сводится к смещению границы раздела фаз. Энергетическая выгодность одной из фаз и наличие межфазной поверхностной энергии приводят к возникновению однонаправленных внутренних сил, действующих на дислокации превращения. Эти силы могут регулироваться изменением внешних параметров, смещающих равновесие фаз. При опре- [c.10]

Эффекты сверхупругости и памяти формы также находят весьма широкое применение - от космической техники до медицины. Проблемы обратимой пластичности кристаллов соприкасаются с вопросами усовершенствования технологии обработки материалов в различных физических полях, которая находит все более 1Ш1рокое применение. Изучение обратимой пластичности представляет большой интерес также для физики дйслокаций, поскольку позволяет получить информацию о харжтере внутренних сил, действующих на дислокации. [c.11]

Указанна разность (2.4) порождает силу, действующую на дислокацию превращения, которая в пересчете на термодинамические напряжения [Ю5 рЛвна [c.33]

Подводя итог рассмотрению сил, действующих на дислокации превращения, п 2дЧёркнем, что силы неупругого происхождения могут быть включены 9 континуальное рассмотрение только в виде феноменологических параметров,. Но если такие величины, как удельная теплота превращения Д С/, температура равновесия фаз Го, макроскопические электрические (Хэ) и магнитные (Хм) характеристики фаз, как правило, хорошо известны, то феноменологические параметры, характеризуюшие силы Пайерлса, поверхностного натяжения (по существу, межфазной поверхностной энергии), а также величины, характеризующие термоактивируемое дви-51 ение дислокаций, могут быть определены либо в специально поставленных количественных экспериментах, либо соответствующим теоретическим расчетом путем перехода на более глубокий, атомный уровень. Наиболее перспективным в последнем случае является использование метода матема11 еского моделирования. [c.35]

В случае мартенситных кристаллов, представимьк в виде плоского скопления дислокаций превращения, ситуация в значителЬ Нйй степени аналогична таковой при двойниковании добавляются лицв термодинамические силы, действующие на дислокации превращения [c.208]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология