Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Сила Пайерлса

    Пайерлсовский механизм пластической деформации двойникованием. По характеру температурной зависимости можно судить о физической природе параметра обусловливающего наличие силы типа силы сухого трения. К существованию такой силы может привести наличие пайерлсовского рельефа (подобный эффект могут дать, например, и стопоры, распределенные с большой плотностью). Сила Пайерлса, являющаяся следствием дискретности решетки и определяемая в конечном счете силами межатомного взаимодействия, всегда привлекала интерес исследователей (см. обзоры [210,211]).  [c.98]


    Но для большинства минералов поверхностный барьер мало отличается от энергии активации движения дислокации сквозь решетку, равной энергии активации образования перегиба на линии дислокации, если сопротивление оказывает главным образом сила Пайерлса. Например, для оливина обе величины близки к 200 кДж/моль. Поэтому не удивительно, что для ионных и ионно-ковалентных кристаллов, в которых сила Пайерлса велика, адсорбционное пластифицирование проявляется лишь при действии сред, обладающих достаточно большой поверхностной активностью. Так, вода, понижающая поверхностную энергию фторида лития на 30%, а хлорида натрия — на 75%, практически не влияет на движение дислокаций в первом случае, но вызывает ярко выраженный эффект (увеличе- [c.88]

    Во-первых, это сила, аналогичная в некоторой степени силе сухого трения , типа силы Пайерлса. Во-вторых, это сила поверхностного натяжения двойниковой прослойки. Очевидно, что последняя сила действует только на дислокации, расположенные у конца двойника. В самом деле, добавление одной дислокации в той части двойника, ширина которой имеет макроскопические размеры, практически не меняет площади поверхности раздела двойника и матрицы и не изменяет существенно поверхностную энергию. В то же время добавление одной дислокации у конца двойника, где границы раздела удалены друг от друга на несколько атомных расстояний, может значительно изменить соответствующую поверхностную энергию. Различие в характере искажений кристалла, порождаемых дислокациями у конца двойника (головными дислокациями скопления) и дислокациями на двойниковой границе, можно усмотреть при сравнении схем головной частичной дислокации (рис. 103) и двойникующей дислокации Владимирского (рис. 102). [c.305]

    Поведение материала при ползучести зависит от его исходного состояния, условий испытания (температура, давление) и контролируется термически активируемыми процессами. В температурной области, в которой обычно осуществляют сварку в твердом состоянии давлением с подогревом ( 0,52 пл) наличие на кривых ползучести периода активного деформирования обусловлено процессами преодоления сил Пайерлса, поперечного скольжения или процессом пересечения дислокаций, ответственным за пластическую деформацию и протекающими без задержки. Образование барьеров в результате взаимодействия движущихся дислокаций, необходимость преодоления этих барьеров и уменьшение плотности движущихся дислокаций являются причиной того, что этап неустановившейся ползучести характеризуется непрерывным уменьшением скорости пластической деформации. [c.200]


    Без учета вязкости динамическая сила Пайерлса сводится к радиационному торможению и характеризуется убывающей функцией скорости, что соответствует неустойчивости стационарного движения. Вязкая диссипация стабилизирует движение дислокации. При достаточно высоком уровне вязкости, когда эффект стартовой скорости исчезает, суммарное динамическое напряжение Пайерлса в широком интервале скоростей приближается к статическому стартовому напряжению т и не обращается в пуль при стремлении скорости к нулю (эффект типа сухого трения ). [c.226]

    Если действующее на дислокацию напряжение превышает силу Пайерлса (в металлах сила Пайерлса очень мала), то дислокационный сегмент начинает скользить, оставаясь закрепленным в двух точках, и изгибается в виде некоторой дуги (рис. 97). Форму этрй дуги можно найти путем применения упрощенного математического описания, называемого приближением линейного натяжения. При формулировке этого приближения предполагается, что собственная энергия единицы длины искривленной дислокации с достаточно большим радиусом кривизны R > Ь) слабо зависит от формы петли и ориентации элемента дислокационной линии, порождая силу линейного натяжения V s Gb . Ограничиваясь таким приближением, следует считать, что прогнутый дислокационный сегмент имеет форму дуги окружности, радиус (R) которой определяется очевидным соотношением [c.291]

    Скольжение частичных дислокаций в алмазе в отличие от полных тормозится существенно более низким рельефом потенциальных сил кристаллической решетки (сил Пайерлса — Набарро [214]). Скольжение полных и частичных дислокаций в ковалентных кристаллах характеризуется обрати- [c.55]

    В квазистатических условиях сила Пайерлса - Набарро аналогична силе сухого трения. Модуль и направление силы Пайерлса — Набарро в равновесии зависит от направления движения, предшествовавшего равновесию, так как она включает в себя диссипативную силу трения, всегда направленную против движения. Обычно предполагается, что в пределе бесконечно малой скорости дислокации она равна постоянной величине (соответствующее напряжение обозначим 5о). Эта величина обычно входит в континуальную теорию в виде феноменологического параметра. [c.32]

    Подводя итог рассмотрению сил, действующих на дислокации превращения, п 2дЧёркнем, что силы неупругого происхождения могут быть включены 9 континуальное рассмотрение только в виде феноменологических параметров,. Но если такие величины, как удельная теплота превращения Д С/, температура равновесия фаз Го, макроскопические электрические (Хэ) и магнитные (Хм) характеристики фаз, как правило, хорошо известны, то феноменологические параметры, характеризуюшие силы Пайерлса, поверхностного натяжения (по существу, межфазной поверхностной энергии), а также величины, характеризующие термоактивируемое дви-51 ение дислокаций, могут быть определены либо в специально поставленных количественных экспериментах, либо соответствующим теоретическим расчетом путем перехода на более глубокий, атомный уровень. Наиболее перспективным в последнем случае является использование метода матема11 еского моделирования. [c.35]

    Если двойники распространяются в дефектном кристалле, то действующая на дислокацию эффективная сила торможения кроме силы Пайерлса включает силу сопротивления, обусловленную распределенными в образце дефектами. Дефекты оказьшают непосредственное воздействие на дислокации, препятствуя их огибанию, пересечению и т.п., и на сопротивление, описываемое их упругими полями. Чтобы подчеркнуть то обстоятельство, что описанная сила имеет слагаемые, отличные от силы Пайерлса, будем называть ее в дальнейшем просто силой трения. Модуль и направление этой силы в равновесии зависят от направления движения дислокации, предшествовавшего равновесию, так как она включает в себя диссипативную силу, всегда направленную против движения. Поэтому вид силы неупругого происхождения зависит в значительной мере от способа образования двойника ). [c.56]

    Таким образом, имеющиеся экспериментальные данные свидетельствуют, что механизм деформации Ti можно описать тремя значениями энергии активации. При температуре ниже примерно 1150°С она изменяется между 1,7 и 2,3 эВ и зависит от состава карбида при температуре выше 1150°С она составляет 3,0 эВ и не зависит от состава и, наконец, при температуре выше /2 пл энергия ползучести, которая, вероятно, включает и энергию переполза-ния дислокаций, составляет 5—7 эВ. При температурах выше /гТ пл энергия активации деформации может коррелировать с энергией самодиффузии атомов Ti, в то время как при более низкой температуре, вероятно, определяющей является самодиффузия углерода (хотя прямых доказательств этого не имеется). Различие в механизме деформации при температурах ниже и выше 1150°С непонятно, хотя определяющим скорость процессом выше указанной температуры может быть диффузия углерода, а ниже — силы Пайерлса. [c.160]



Смотреть страницы где упоминается термин Сила Пайерлса: [c.283]    [c.37]    [c.170]   
Физическая механика реальных кристаллов (1981) -- [ c.283 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте