Кремний и микроэлектронные устройства

Рис. 10.2-16. ОЭС Анализ тонкопленочной структуры микроэлектронного устройства методом ОЭС и поперечного среза этой структуры методом ПЭМ. а—ПЭМ-фотография системы слоев до отжига, на которой видна последовательность слоев сверху вниз) приблизительно 20 слоев Та и 20 слоев 81 толщиной 5 нм каждый, полученные распылением, слой поликристаллического кремния 275 нм толщиной, слой 8102 толщиной около 50 нм, кремниевая подложка б — ПЭМ-фотография образца после отжига при 900° С, на которой видны образовавшиеся новые слои (сверху вниз) поликристаллический силицид тантала толщиной около 200 нм, слой поликристаллического кремния толщиной около 250 нм, слой 810г толщиной около 50 нм, кремниевая подложка в — количественное распределение по глубине, полученное методом ЭОС, кислорода, кремния и тантала, свидетельствующее о формировании слоя оксида кремния на поверхности стехиометрического Та812 [10.2-4].

Проводятся также исследования по взаимодействию лазерного излучения с полупроводниковыми материалами. В частности, изучаются процессы локальной лазерно- стимулированной диффузии и вжигания металлических контактов в пластины кремния. Разработки могут найти применение в производстве микроэлектронных устройств. [c.158]

Микроэлектронная революция уже оказала и очевидно еще будет оказывать огромное влияние на индустриальный мир. Наиболее известное устройство — микропроцессор. Он представляет собой удивительно сложную и функционально интегрированную электрическую цепь, построенную на небольшом кусочке чистого кремния и называемую чипом. Некоторые микропроцессоры и наиболее современные чипы машинной памяти с высокой емкостью содержат сотни тысяч отдельных транзисторов или других твердотельных компонентов, втиснутых в кусочек кремния размером в четверть квадратного дюйма. [c.134]

Сейчас мы подробнее остановимся на технологии, которая очень часто встречается в микроэлектронике при производстве интегральных электронных схем. Современные микроэлектронные схемы состоят из монокристаллических пластинок кремния, сохраняющих определенную структуру при многократно повторяемых операциях. При их производстве вначале в кристаллических пластинках создаются изолированные друг от друга области, образующие чередующиеся зоны с п- или р-проводимостью. В интегральных электронных схемах, где задуманное устройство создается путем соединения различных изолированных областей, эти отдельные зоны при соответствующем подключении их с помощью металлических полосок выполняют функции транзисторов, диодов, сопротивлений и т. д. При современном уровне техники на кристаллической пластинке с поверхностью в несколько квадратных миллиметров и толщиной в десятые доли миллиметра может быть размещено от 10 до областей, каждая из которых заменяет электронный элемент, который раньше изготавливали отдельно. Из таких пластинок в результате возникают интегральные электронные схемы, например сложные усилители и логические элементы, из которых затем собирают очень компактные современные ЭВМ, управляющие устройства и другие сложные электронные Приборы. [c.69]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология