Поглощение интегральное электронами

Аппаратурные погрешности главным образом связаны с нестабильностью работы счетно-регистрирующей аппаратуры и недостаточным ее временным разрешением при больших скоростях счета, что приводит к просчетам регистрируемых импульсов. При двух- или трехкратных измерениях скоростей счета в последовательности /о, /, /, /о кратковременные нестабильности в работе электронной схемы всегда могут быть выявлены, так как отклонения измеряемых скоростей счета от среднего значения обычно не должны превышать удвоенной величины. Если отклонения превышают эту величину, то измерения с данной мишенью могут быть- повторены. Медленные изменения ширины окна анализатора или положения максимума амплитудного распределения импульсов, а также другие изменения параметров счетно-регистрирующей аппаратуры в интервале между измерениями с одной и другой мишенями пары вторичных излучателей не приводят к заметным погрешностям анализа. Для исключения просчетов импульсов при высокой интенсивности излучения необходимо ограничивать интегральную загрузку спектрометрического тракта, исходя из его разрешающего времени. При определении легких элементов в полимерных пленках по их /С-скачкам поглощения интегральная загрузка спектрометрического тракта не превышала (2—3)-10 имп/с. В целом аппаратурная погрешность не превышала 0,5%. [c.143]

Таким образом, при обработке экспериментальных данных по спектрам поглощения растворов можно, пользуясь приведенными выше способами, определить все параметры полос — их число, интегральные интенсивности, значения сил осцилляторов соответствующих переходов, положение в спектре,— необходимые для отождествления полос с определенными электронными переходами в комплексе. Это в свою очередь позволит судить о строении и составе сольватов и комплексов в растворе, природе связей внутри комплексов, даст возможность изучать кинетику процессов комплексообразования, так как описанные методы исследования не нарушают течения реакций и не требуют выделения соединений в твердую фазу. [c.117]

Неоднократно в разных контекстах вообще исключали усиление из органических признаков ВС, но всегда по недоразумению или но ошибке. Исчезновение полосы Уон служило даже критерием образования ВС во времена несовершенных однолучевых ИК-снектрометров. Современные приборы позволяют надежно измерять самые широкие полосы в жидких системах, но в единичных случаях такое замаскированное частоколом скелетных полос поглощение просматривают и сейчас (см., например, [30]). Труднее выделять непрерывное поглощение на фоне рассеяния в спектрах твердых веществ, особенно в виде паст. Поэтому в кристаллах с сильными ВС часто теряли колебание удн или относили к нему несущественные маленькие ники спектра. В кратком сообщении, видимо не оцененном по достоинству, Альберт и Баджер [33] давно указали на ошибочность такой интерпретации спектров кристаллов с короткими сильными ВС. Они выявили в них действительное колебание VAн —поражающее мощное широкое поглощение с максимумом ниже 1000 измерив интегральную интенсивность полосы, они получили больший, чем заряд электрона, эффективный заряд водорода, несовместимый с ионной моделью ВС (но не рискнули отвергнуть последнюю). [c.120]

Интегральные параметры электронных спектров поглощения высокомолекулярных соединений [c.17]

Однако ни один из материалов не удовлетворяет в равной степени всем требованиям в отношении механической прочности, диэлектрических свойств, термо- и влагостойкости. Поэтому для надежной и качественной защиты электронных конструктивных элементов в гибридных схемах их покрывают многослойной оболочкой. В частности, оболочку чипа интегральной схемы из кремнийорганической смолы покрывают эпоксидной смолой. Такая комбинация смол обеспечивает надежную защиту от влаги, поскольку эпоксидные смолы обладают низкой влагопроницаемостью, а кремнийорганические — низким влаго-поглощением. [c.109]

В рамках этой модели предполагается, что эффективное магнитное поле на электронном спине Hs равновероятно может принимать два значения, различающиеся только по величине напряженности Hsi и Hs - Когда электроны системы, поровну распределенные между этими состояниями и не взаимодействующие между собой, находятся в каждом из них постоянно, спектр ЭПР состоит из двух одинаковых по интегральной интенсивности бесконечно узких линий поглощения, расположенных в резонансных полях соответствующей величинам Hsi, Hsz напряженности Ярх, Яра. Если же электронные спины со временем случайным образом и независимо один от другого переходят из одного состояния в другое, оставаясь в среднем поровну распределенными между ними, т. е. обмениваясь в среднем между состояниями, то форма спектра ЭПР будет зависеть от соотношения между средней частотой такого обмена V и разностью величин Hsx, Hs2, или, что то же самое, разностью резонансных полей АЯр = Яр — Яра . [c.36]

Общепринятой мерой интегрального поглощения для данной полосы электронного спектра является сила осциллятора [15, 16] [c.322]

Рассмотрим один электронный переход. При экспериментальном изучении спектров поглощения и кругового дихроизма было обнаружено, что топкая структура полос, обусловленная внутренними колебаниями атомов в молекуле, как правило, выражена очень слабо, и поэтому можно не учитывать колебательные состояния системы. Помимо знака эффекта, круговой дихроизм характеризуется частотой максимума кривой, интегральной интенсивностью, шириной полосы циркулярно-дихроичного поглощения или комбинациями этих трех параметров. Для теории особый интерес представляют сила диполя Ок- [c.269]

Разрешенность электронного перехода из состояния 5о в 51, измеренная как интегральная интенсивность соответствующей полосы поглощения, связана с разрешенностью обратного процесса — флуоресценции — следующим приближенным уравнением (см. раздел 3-2) [c.59]

Обширные перспективы в этом плане открывает метод интегральной электронной спектроскопии. На основе обойцения обширного эмпирического и теоретического материала М.Ю.Доломатовым установлена квазилинейная связь физико-химических, зависящих от электронной структуры инградиентов, характеристик многокомпонентных химических систем с удельными показателями поглощения в видимой и/или ультрафиолетовой области [46,47]. Закон квазилинейной связи имеет вид [c.16]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология