Метод последовательных срезов слоев

Наиболее широко распространенный прямой метод изучения распределения зарядов в объеме электрета — метод последовательных срезов слоев электрета. В работах [2, 5] показано, что такие последовательные срезы пе изменяют величину Оэфф- [c.85]

Рис. 10.2-16. ОЭС Анализ тонкопленочной структуры микроэлектронного устройства методом ОЭС и поперечного среза этой структуры методом ПЭМ. а—ПЭМ-фотография системы слоев до отжига, на которой видна последовательность слоев сверху вниз) приблизительно 20 слоев Та и 20 слоев 81 толщиной 5 нм каждый, полученные распылением, слой поликристаллического кремния 275 нм толщиной, слой 8102 толщиной около 50 нм, кремниевая подложка б — ПЭМ-фотография образца после отжига при 900° С, на которой видны образовавшиеся новые слои (сверху вниз) поликристаллический силицид тантала толщиной около 200 нм, слой поликристаллического кремния толщиной около 250 нм, слой 810г толщиной около 50 нм, кремниевая подложка в — количественное распределение по глубине, полученное методом ЭОС, кислорода, кремния и тантала, свидетельствующее о формировании слоя оксида кремния на поверхности стехиометрического Та812 [10.2-4].

Рис. 17-48. Микрофотография поперечного среза компактного вещества длинной кости. Видны контуры тоннелей, проделанных остеокластами, а затем заполненных с помощью остеобластов. Срез приготовлен методом шлифования. Плотный матрикс сохранился, но клетки разрушены однако отчетливо видны лакуны и канальцы, которые были заполнены остеоцитами и их отростками. Чередующиеся светлые и темные концентрические кольца соответствуют изменяющейся ориентации волокон коллагена в последовательных слоях костного матрикса, отложенного остеобластами, выстилавшими стенки в разные периоды жизни особи. (Такая картина получается при наблюдении образца между двумя частично скрещенными поляроидными фильтрами.) Обратите внимание на то, что часть более старой системы концентрических костных слоев (внизу справа, с узким центральным каналом) частично резорбирована и заменена более новой системой, в которой центральный канал все еще остается широким - по-

Наиболее широко распространенный прямой метод изучения распределения зарядов в объеме электрета — метод последовательных срезов слоев электрета. В работах Эгучи (1925) и Тиссе- [c.29]

Как и любой другой метод препарирования, метод тонких срезов имеет свои преимущества и недостатки. Достоинством его является возможность непосредственно наблюдать структуру не только поверхностных, но и внутренних слоев препаратов, если последовательно изучать срезы различных по глубине участков. При этом удается различать детали структуры, размеры которых составляют не менее /ю толщины среза. Это давно установленное эмпирическое правило было теоретически объяснено Косслеттом [174], принявшим во внимание потерю энергии электронами, рассеянными в образце, и хроматическую аберрацию объективных линз. Автор указывает, что невысокое разрешение в этом случае объясняется недостаточным контрастом. [c.120]

Для исследования распределения внутренних напряжений по толщине образца использован метод, аналогичный методу, применяемому для испытания металлов [146, 147], основанный на измерении искривления полоски, вырезанной из образца, в результате нарушения равновесия сил и проявления внутренних напряжений при последовательном удалении каждого слоя. Образцы брались в виде дисков диаметром 100 мм и толщиной 6 мм. Из центра диска вырезалась полоса шириной 6 мм. Благодаря симметрии образца удаление слоев проводилось в средней части фрезой на токарном станке. Образцы располагались так, чтобы одна из формованных сторон была в плоскости резания четвертьдюймо-вой концевой фрезы, которая укреплялась на щпинделе токарного станка. Посредством микрометрического винта срезалась поверхность 6X6 мм. С образца последовательно удалялись слои толщиной около 100 мкм и изгиб образца определялся после каждого выреза с помощью оптического приспособления. Освещенный волосок отражался от плоскости зеркала, которое было установлено на свободном конце образца, и наблюдался в катетометр-телескоп, который устанавливался горизонтально по микрометру со шкалой 0,001 см. [c.106]

При использовании ультразвукового метода для возбуждения продольных и поперечных колебаний в испытуемых образцах применяются соответственно кристаллы X- и Г-срезов. Продольные волны вводятся в образцы через промежуточный слой смазки, например слой трансформаторного масла. Для ввода поперечных волн необходим слой смазки, обладающий упругостью сдвига. В этом случае применяется минеральный воск, полиизобутилен и др. Ультразвуковые волны, прошедшие через испытуемый образец, принимаются приемным кристаллом и через усилитель подаются на экран электронно-лучевой трубки. Интервалы времени между двумя последовательно отраженными импульсами и будут характеризовать величину скорости распространения звука. При использовании для этих целей ультразвукового импульсного дефектоскопа точность измерений величины скорости распространения звука составляет1 — 3%. Следовательно, с такой же (или несколько меньшей) точностью могут быть измерены и упругие постоянные материалов. Однако следует отметить, что это относится к материалам с малой величиной рассеяния звука при постоянной температуре во всей толще испытуемого изделия. В противном случае скорость распространения звука будет различной для разных участков испытуемого образца и интерпретация результатов измерений будет затруднительной. Это, естественно, скажется на точности данного метода. Несмотря на это, ультразвуковой метод измерения упругих постоянных твердых тел является вполне надежным, и с помощью его уже получено много полезных результатов. Так, он с успехом нашел применение для измерения модулей упругости высоковольтных изоляторов, для которых требуется повышенная механическая прочность [97]. Простота и высокая точность измерений, характеризующие импульсный ультразвуковой метод, обусловливают широкое применение этого метода для измерения упругих постоянных каучуков [20], пластмасс, стекла [130], фарфора [131], бетона [109], льда [132] и металлов. [c.155]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология