Потенциал оседания теория

Рассмотренная выше теория потенциала, возникающего при относительном перемещении фаз, является общей и не зависит от того, с какой фазой связана система отсчета. Поэтому уравнения (ХП.34) и (ХП.41) описывают также потенциалы и токи, возникающие при оседании частиц дисперсной фазы в жидкой среде. Величина Р в этом случае имеет смысл силы тяжести, действующей на частицы. При сферической форме частиц / = tng = = /зПг ((1 — (1о)2х1, где й—плотность V — число частиц в единице объема I — высота столба между электродами. Подстановка I в (ХП.41) приводит к следующему выражению для потенциала оседания, полученному Смолуховским [c.205]

ТЕОРИЯ ПОТЕНЦИАЛА ОСЕДАНИЯ [c.98]

Теория потенциала оседания 99 [c.99]

Если бы теория Гельмгольца — Перрена была правильной, то при оседании коллоидных частиц в жидкости или при продавливании жидкости через капилляр вообще не должен был бы наблюдаться эффект Дорна или потенциал протекания, а явления злек-тро оре а и электроосмоса были бы невозможны. Однако если даже допустить, как это принималось ранее, что поверхность скольжения проходит между двумя обкладками двойного электрического слоя, то и в этом случае представления Гельмгольца — Перрена приводят к противоречию. В самом деле, при таком допущении электрокинетический потенциал, т. е. потенциал, обнаруживаемый при электрофорезе или электроосмосе, должен был бы соответствовать разности между всеми потенциалопределяющими ионами и [c.176]

Рассмотренная выше теория потенциала, возникающего при относительном перемещении фаз, является общей и не зависит от того, с какой фазой связана система отсчета. Поэтому уравнения (ХИ.34) и (ХИ.41) описывают также потенциалы и токи, возникающие при оседании частиц дисперсной фазы в жидкой среде. Величина Р в этом случае имеет смысл силы тяжести, действующей на частицы. При сферической форме частиц I = тд = = /злг с1 — где й — плотность V — число частиц в еди- [c.205]

Если бы теория Гельмгольца — Перрена была правильной, то при оседании коллоидных частиц в жидкости или при продавливании жидкости через капилляр вообще не должен был бы наблюдаться эффект Дорна или потенциал протекания, а явления электрофореза и электроосмоса были бы невозможны. Однако если даже допустить, как это принималось ранее, что поверхность скольжения проходит между двумя обкладками двойного электрического слоя, то и в этом случае представления Гельмгольца — Перрена приводят к противоречию. В самом деле, при таком допущении электрокинетический. потенциал, т. е. потенциал, обнаруживаемый при электрофорезе или электроосмосе, должен был бы соответствовать разности между всеми потенциалопределяющими ионами и всеми противоионами, т. е. равняться общему скачку потенциала. Однако опыты показали, что электрокинетический потенциал не только, как правило, меньше общего скачка потенциала, но изменяется под влиянием различных факторов совсем иначе. Например, общий скачок потенциала не зависит сколько-нибудь существенным образом от индифферентных электролитов, не содержащих ионов, способных достраивать кристаллическую решетку, в то же время такие электролиты сильно влияют на электрокинетический потенциал. [c.176]

Из этого качественного рассмотрения видно, что действующая электрическая сила (в явлениях электроосмоса и электрофореза), равная произведению заряда на градиент потенциала, тем больше, чем больше зарядов диффузного слоя оказывается в подвижной части жидкости. От этих зарядов зависит и величина конвективного тока, и, следовательно, величш1ы потенциалов течения и оседания. Таким образом, все эти явления должны быть развиты тем сильнее, чем больше подвижный заряд диффузного слоя и -потенциал границы скольжения. Отсюда следует, что -потенциал есть мера интенсивности электрокинетических явлений. С другой стороны, измеряя параметры этих явлений, можно вычислить -потенциал на основе теории, связывающей его с этими параметрами. К расбмотрению этой теории, разработанной Гельмгольцем около ста лет назад и развитой далее в трудах Перрена, Смолуховского и других ученых,, мы и переходим. [c.213]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология