Фольмер адсорбционная теория роста кристаллов

В настоящее время более признанной является молекулярнокинетическая теория послойного роста кристаллов, предложенная М. Фольмером и развитая И. Странским и Р. Каишевым. По мнению М. Фольмера, частица кристаллизующегося вещества вначале располагается на поверхности растущих кристаллов в виде адсорбционного слоя, при переходе в который они теряют только часть своей энергии, сохраняя значительную свободу передвижения по поверхности кристалла. Между отдельными частицами в адсорбированном слое возможны неупругие соударения, в результате которых образуются двухмерные кристаллы, присоединяющиеся к кристаллической решетке в виде нового слоя. Равновесие между адсорбированным слоем и раствором устанавливается очень быстро, вследствие чего при переходе частиц в кристаллическую решетку адсорбционный слой тотчас же восстанавливается за счет поступления в него частиц из окружающего раствора. [c.365]

Молекулы, адсорбированные на поверхности твердых тел, находятся в непрерывном тепловом движении, и при наличии градиента концентрации в адсорбционной фазе возникает диффузионный поток в направлении градиента. Явление поверхностной миграции было впервые обнаружено в опытах Фольмера и Эстер-мана [61] при исследовании роста кристаллов ртути при —63° С из паров ртути, находившихся при температуре —10° С. Авторы наблюдали большую скорость роста тонких гексагональных кристаллов в направлении плоскости шестигранника. Линейный рост был в 1000 раз больше, чем можно было ожидать для переноса через газовую фазу, исходя из молекулярно-кинетической теории. В последующих работах Фольмера, а также других авторов миграция по поверхности наблюдалась для других систем. [c.56]

Фольмером разработана теория, согласно которой рост кристаллов происходит в результате адсорбции. При соответствующем пересыщении частицы вещества, достигнув поверхности кристалла, отдают только часть своей энергии и могут, несмотря на сильное взаимодействие с поверхностью кристалла, перемещаться вдоль нее. Совокупность таких частиц представляет собой адсорбционный слой, расположенный между поверхностью кристалла и прилегающим слоем раствора. [c.133]

Гиббс, Кюри, а впоследствии русский ученый Г. В. Вульф при интерпретации явлений, связанных с ростом кристаллов, исходили из связи между формой кристалла и поверхностной энергией всех, его граней. Согласно диффузиониым теориям процесс образования кристаллической грани протекает с бесконечно большой скоростью и поэтому зависит только от скорости подвода вещества к кристаллу из раствора, т. е. от скорости диффузии. В двадцатых годах нынешнего столетия для объяснения роста кристаллов Фоль-м ер предложил адсорбционную теорию, согласно которой частицы кристаллизующегося вещества при достижении поверхности образуют своеобразный адсорбционный слой — двумерное кристаллическое образование, присоединяющееся затем к грани кристалла. Странский считает вероятным возможность образования на растущем кристалле ионных рядов или слоев, сходных с двумерными кристаллическими образованиями Фольмера. [c.226]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология