Странский

Странский и Каишев установили связь термодинамических величин со структурой кристалла и энергетикой связей между атомами в кристаллической решетке, применив метод средних работ отрыва. В основе такого метода лежит приближение [c.237]

Дефекты поверхности (царапины, язвины, изломы и т. п.) обычно служат участками преимущественного начального кристаллообразования. По наблюдениям М. Фольмера и И. Странского, кристаллы растут первоначально на недостроенных участках кристаллической решетки. Наиболее быстро растущие грани кристаллов вырождаются в ребра и вершины. При благоприятных условиях роста кристаллы получаются тем большими по величине, чем дольше длится процесс электролиза. Если прервать электролиз и возобновить его через некоторое время, то первоначально возникнут мельчайшие кристаллы, из которых только постепенно со временем разрастутся большие. Возможно также обратное растворение мелких кристаллов и рост за их счет крупных. В целом эти процессы протекают сопряженно и обычно приводят к укрупнению структуры. [c.390]

Для объяснения роста кристаллов Странский и Каишев [9] предложили механизм зарождения нового монослоя на грани кристалла, работа образования которого xL/2 определяется свободной энергией х его периметра Ь. [c.286]

О механизме образования зародышей пока нет единой точки зрения. По-видимому, наиболее вероятным следует считать предположение о возможности образования зародышей за счет срастания определенных кристаллических образований — блоков того или иного размера (одно- и двухмерных зародышей по терминологии И. Странского). Действительно, при столкновении и сращивании хотя бы двух, но достаточно крупных блоков, может образоваться кристаллическая частица, равная или даже превосходящая по своим размерам величину равновесного зародыша. Встреча и срастание таких блоков является результатом их броуновского движения, взаимного притяжения и ориентации. [c.361]

В настоящее время более признанной является молекулярнокинетическая теория послойного роста кристаллов, предложенная М. Фольмером и развитая И. Странским и Р. Каишевым. По мнению М. Фольмера, частица кристаллизующегося вещества вначале располагается на поверхности растущих кристаллов в виде адсорбционного слоя, при переходе в который они теряют только часть своей энергии, сохраняя значительную свободу передвижения по поверхности кристалла. Между отдельными частицами в адсорбированном слое возможны неупругие соударения, в результате которых образуются двухмерные кристаллы, присоединяющиеся к кристаллической решетке в виде нового слоя. Равновесие между адсорбированным слоем и раствором устанавливается очень быстро, вследствие чего при переходе частиц в кристаллическую решетку адсорбционный слой тотчас же восстанавливается за счет поступления в него частиц из окружающего раствора. [c.365]

Такая зависимость скорости роста от пересыщения подтверждена экспериментально на примере роста кристалла из пара. Что касается роста из раствора, то, хотя подобные зависимости и встречаются, по ним обычно нельзя однозначно сказать, что рост происходил двумерными зародышами. Дело в том, что в присутствии некоторых примесей и при дислокационном механизме роста получаются сходные зависимости ( 1.7). По наблюдению за поверхностью грани, ее морфологией также трудно установить, имеется ли рост двумерными зародышами, поскольку толщина их равна периоду повторяемости в данной решетке. В. Косселем и И. Странским было показано, что для ионных кристаллов наиболее энергетически выгодно образование двумерных зародышей у ребер гладкой грани. Атомарные слои, образовавшиеся за счет этих зародышей, могут сливаться в макроскопические слои благодаря особенностям диффузионного поля около кристалла ( 1.6). Поэтому наблюдающееся образование слоев у вершин и ребер обычно считается признаком роста по механизму двумерного зародышеобразования. Однако образование видимых слоев у ребер [c.36]

Используя идею Фольмера, Коссель и Странский в 1927 г. создали новое направление для теоретической трактовки проблем роста и растворения кристаллов, которое положило начало молекулярно-кинетической теории. Они показали, что рост кристаллов в большинстве случаев связан с образованием отдельных слоев, причем для зарождения каждого нового слоя требуется преодолеть некий энергетический порог. Количественное рассмотрение эле- [c.92]

Странский и Каишев показали, что проблема роста и образования зародышей может быть решена количественно на основе элементарных процессов при последовательном применении статистического метода. Исходной точкой явилось сопоставление условий равновесия двух- и трехмерных кристаллов. При этом была определена средняя работа отрыва одного элемента от поверхностного слоя решетки — статистическая величина, при помощи которой поставленная задача получила полное разрешение. [c.93]

На основе предложенного Странским и Каишевым механизма роста и растворения и вообще равновесия двумерных кристаллов выведено [360] уравнение линейной скорости кристаллизации, пропорциональной скорости образования двумерных зародышей [c.93]

Энергетика кристаллической поверхности получила в работах В. Косселя [25] и одновременно И. П. Странского [26] очень ясную теоретическую трактовку и развитие на модели решетки [c.41]

Чтобы приблизиться к экспериментально устанавливаемым отношениям, следует вместе со Странским [26] учесть, что газовая фаза в области существования щелочно-галоидных кристаллов состоит из двухатомных молекул. Работы отрыва ионных, пар (молекул), обозначаемых индексом 2, без учета сжатия равны Ф(2, = 0,3863 = 0,2288, Ф( ,= 0,1324, Ф (,) = 0,7475. Последовательность значений сохраняется той же, что и выше Сами величины, однако, меньше, так как при этом не произво- дится работа диссоциации. Последняя относительно велика (=1), что в свою очередь является причиной практического отсутствия диссоциации в газовой фазе. [c.43]

Этот схематический способ рассмотрения без затруднений приложим и к другим решеткам. Сопоставление значений Ф и Фад для различных решеток и различных граней, рассчитанных И. Н. Странским и Р. Каишевым [27], отражено в табл. 3. [c.44]

Идеальный кристаллический зародыш в фазе с т. п. характеризуется, таким образом, величиной (л, представляющей собой среднее значение т. п. 1) строительных элементов каждой из имеющихся плоскостей решетки-, 2) строительных элементов каждого края двумерного зародыша на этих плоскостях решетки-, 3) величины т. п. углового строительного элемента одномерного зародыша (И. П. Странский и Р. Каишев [71]). [c.106]

Р. Каишев и И. Н. Странский [27] провели первый частично кинетический анализ процесса образования кристаллического зародыша, ограничившись состояниями идеальных минимальных форм. Акты отложения завершенных плоскостей решетки при этом рассматривались как неделимые элементарные события, установление частоты которых требует привлечения законов образования двумерных зародышей, выведенных ранее, и общих статистических соображений. [c.155]

Именно они в первую очередь и должны быть определены. Для этого, следуя И. Н. Странскому, будем считать единичные плоскости решетки, так же как и слои из многих плоскостей, двумерными фазами. Каждой из этих фаз соответствует определенный т. п. Он непосредственно выражается через энергию и объем колебаний молекулы, т. е. одной ионной пары в положении места роста и рассчитывается для бесконечно протяженных слоев. На стадии образования двумерных зародышей т. н. определяется величиной удельной свободной краевой энергии. Пренебрегая при расчете различием в объемах колебаний, опять [c.175]

Вне зависимости от существующих взглядов на природу и структуру активных участков каталитически действующей иоверхности контакта (будь то активные центры, по Тэйлору, места нарушения кристаллической структуры, по Смекалю, активные линии — ребра и границы кристаллов, но Швабу и Питчу, углы ионных решеток, по Странскому), как бы мы пи представляли себе строение каталитической поверхности, необходимо также иметь в виду и пространственную конфигурацию молекул, чтобы получить представление [c.52]

Теория Косселя и Странского [35—43]. В этой теории рассматривается идеальный кристалл (без дефектов решетки). Для простоты изложения в качестве примера можно выбрать кристалл типа ЫаС1 с кубической решеткой. Кристалл растет непрерывно посредством одного и того же повторяюшегося процесса. Частицы встраиваются в решетку, располагаясь одна за другой и образуя ряды и плоскости. То, в какое место вероятнее всего попадет частица, зависит от энергетических условий на поверхности кристалла. Частицы прежде всего размещаются в тех места.х, где это наиболее выгодно энергетически, т. е. там, где выполняется условие (3.62). Различные возможные положения частиц [/—4] иллюстрируются рис. 3.6. [c.264]

Микольс [216] измерял работу выхода вольфрама в разли ь мых кристаллографических иаиравлепиях. Полученные им результаты приведены в табл. 5, где, кроме того, указаны для различных направлений заимствованные из работы Странского и Зур.мапа [213] числа ближайших соседей (N1) поверхностного атома вольфрама, а также соседей второй (N2) и третьей (М ,) степеней з да,тения. В настоя1цее время имеются сведения о том, что работа выхода в направлении [ПО] выше, чем указано в таблице [2151 Из приведенных данных можно было бы сделать [c.123]

Константы Ко и а следовательно, и скорость /о могут быть вычислены статистическими методами (Фаркаш, 1927 г. Каишев и Странский, 1934 г. Беккер и Дёринг, 1935 г. Френкель, 1939 г. Зельдович, 1942 г. Дерягин, 1972—1977 гг. и др.). Однако расчет очень важного в данном случае энергетического барьера А к, можно произвести, как уже отмечалось, термодинамическим путем (Фольмер и Вебер, 1926 г.). Работа изотермического образования зародыша равна изменению АР свободной энергии системы при образовании в ней капли (зародыша). Пусть капля критического размера содержит и молей пара. Свободная энергия этих Пй молей до образования капли была Ру = а после этого стала Р = [c.96]

Промежуточный механизм (двумерное зарождение, трехмерный последующий рост), или механизм Крастанова—Странского, [c.483]

В указанных теориях не учитывается влияние поверхности на плавление. По-видимому, одним из первых, кто рассматривал плавление как поверхностный процесс, был Тамман [15]. Он считал, что процесс плавления кристаллов осуществляется как их растворение в собственном расплаве. При температуре плавления поверхность кристалла самопроизвольно покрывается слоем расплава (предполагалось, что грани кристалла полностью смачиваются своим расплавом). Дальнейшее плавление представляет собой растворение кристалла в имеющейся фазе расплава. Эту точку зрения в дальнейшем развили Странский [12—14], а также Бартон, Кабрера и Франк [5—6], дополнив ее особенностями плавления разных кристаллографических граней кристалла. [c.45]

Гиббс, Кюри, а впоследствии русский ученый Г. В. Вульф при интерпретации явлений, связанных с ростом кристаллов, исходили из связи между формой кристалла и поверхностной энергией всех, его граней. Согласно диффузиониым теориям процесс образования кристаллической грани протекает с бесконечно большой скоростью и поэтому зависит только от скорости подвода вещества к кристаллу из раствора, т. е. от скорости диффузии. В двадцатых годах нынешнего столетия для объяснения роста кристаллов Фоль-м ер предложил адсорбционную теорию, согласно которой частицы кристаллизующегося вещества при достижении поверхности образуют своеобразный адсорбционный слой — двумерное кристаллическое образование, присоединяющееся затем к грани кристалла. Странский считает вероятным возможность образования на растущем кристалле ионных рядов или слоев, сходных с двумерными кристаллическими образованиями Фольмера. [c.226]

Применение теории флуктуаций, созданной М. Смолуховским, к возникновению из пересыш,енной среды закритических, жизнеспособных зародышей позволило М. Фольмеру, Р. Беккеру и И. Дерингу, И. Странскому, Р. А. Каишеву, Я. И. Френкелю, Я. Б. Зельдовичу и другим ученым создать теорию образования новой фазы, в частности кристаллической. Было показано, что вероятность появления новой фазы, а следовательно и число возникающих в единицу времени в пересыщенной среде жизнеспособных зародышей, резко уменьшается по мере увеличения той свободной энергии, которая должна быть затрачена на создание критического зародыша. Еще В. Гиббс показал, что эта энергия, или, иначе, работа образования критического зародыша, равна одной трети его свободной поверхностной энергии. Чем больше пересыщение, тем меньше размеры критического зародыша и тем меньше работа его образования. Поэтому с ростом пересыщения растет и число образующихся в единицу времени жизнеспособных зародышей. Это число растет также с увеличением подвижности атомов, т. е. с повышением температуры. Поэтому, например, алмаз при температурах 1500—2000° С способен быстро переходить в графит, а при комнатной температуре сохраняться в течение геологических периодов. [c.21]

Эта скорость также рассматривается в теории роста кристаллов Фольмера—Каишева—Странского. При этом, несмотря на присутствие уже образовавшегося кристалла (затравки), на определенных стадиях роста граней в начале наращивания нового слоя кирпичной кладки скорость роста может лимитироваться необходимостью затраты работы образования двухмерного (плоского), толщиной в один атом, критического зародыша. При очень малом пересыщении атомами углерода вероятность образования таких зародышей так мала, что рост кристалла идет с запинками , подобно остановкам плохо смазанных поверхностей при скольжении. Однако на определенных участках поверхности кристалла рост может идти непрерывно, без запинок , ввиду того, что либо работа образования зародыша нового слоя кирпичной кладки равна нулю [например, в случае алмаза на гранях с индексами (100)], либо (как в случае винтовой дислокации на поверхности кристалла) никаких двухмер- [c.21]

Взгляды М. Фольмера на механизм роста кристаллов получили развитие в работах И. Странского, по мнению которого рост двухмерных зародышей происходит путем присоединения к ним целых периферийных рядов — одномерных зародышей. Если оседающий одномерный зародыш не в состоянии заполнить все ребро двухмерного зародыша, на нем образуется трехмерный угол, который является наиболее активным местом растущего кристалла (рис. 105). К трехгранным углам (положение 1) могут непосредственно присоединяться уже отдельные ионы (молекулы или атомы), так как при этом выделяется больше энергии, чем при попадании частицы в двухгранный угол (положение 2) или садиться на плоскую поверхность (положение <5). При оседании частицы в трехгранный угол он исчезает, но рядом возникает точно такой же новый, куда и садится следующая частица, и т. д., пока цепочка не дойдет до края кристалла и трехгранный угол не исчезнет. После разраста- [c.365]

Посвящена теоретическому анали-зу процессов возникновения и роста новой фазы в парообразных, жидких и твердых системах. В основу рассмотрения заложена — впервые выдвинутая автором — идея о том, что возникновение зародыша новой фазы непосредственно связано с флуктуацион-ными явлениями. Явления формирования новой фазы описываются с применением введенных Гиббсом термодинамических потенциалов. Впервые на этой основе автором было дапо исчерпывающее освещение проблемы пересыщения системы нри спонтанном зародышеобразовании и вскрыта природа метастабильности . На базе работ Р. Каишева и Н. Странского рассмотрен вопрос о равновесных формах и формах роста кристаллов. [c.2]

Монография Фольмера появилась непосредственно после периода 1934—1936 гг., когда выявилась связь между статистиче-ски-термодинамической трактовкой явлений кристаллизации Гиббса — Фольмера и дшлекулярно-кинетическим подходом к ним Косселя и Странского. До этого предполагалось, что внутренней связи между этими двумя подходами к теоретической интерпретации явлений кристаллизации нет. Более того, высказывались даже общие сомнения в возможности молекулярно-кинетическим путем прийти к основным термодинамическим предпосылкам Гиббса — Фольмера. [c.4]

С другой стороны, в 1927—1928 гг. Косселем и Странским был развит молекулярно-кинетический подход к рассмотрению кристаллизационных явлений. Важную роль в их теории играет так называемое положение на половине кристалла . Это положение является самовоспроизводимым если кристалл достаточно большой, то присоединение или отрыв одной частицы от этого полонгеиия не вызывает никаких изменений — ни геометрических, ни энергетических. При равновесии с окружающей средой вероятности присоединения и отрыва от положения на половине кристалла равны между собой и работа отрыва одной частицы равна энергии решетки кристалла (на одну частицу). Эти свойства положения полукристалла превращают его в своеобразный эталон сравнения вероятностей элементарных процессов отрыва и присоединения и к другим местам на поверхности кристалла. Таким образом, из данных определения работ отрыва частиц при различных их положениях на кристаллической поверхности выявились важные следствия о структуре разного типа кристаллографических граней как в состоянии равновесия, так и при их росте или растворении, т. е. была создана наглядная полуколичественная картина всего процесса кристаллизации. Из нее следует, что рост плотпоупакованных граней кристалла энергетически затруднен из-за необходимости предварительного образования стабильных в отношении дальнейшего роста двумерных комплексов. Однако на этом этапе внутренняя связь между трактовками Косселя — Странского и Фольмера оставалась невыясненной. [c.5]

Эта связь была установлена лишь после того, как в 1934 г. Странским и мной было введено понятие средней работы отрыва , учитывающее отклонения от положения на половине кристалла , которые появляются в начале и в конце каждого ряда при растворении верхних слоев кристаллических граней. Этими отклонениями нельзя пренебрегать в случае кристаллов малых размеров. При помощи этого понятия стал возможен молекуляр-но-кипетический вывод основных термодинамических зависимостей, использованных в теории Фольмера, какими являются уравнения Томсона — Гиббса о давлении паров малых кристаллов уравнение Гиббса — Вульфа о равновесной форме кристаллов работы образования двумерных и трехмерных зародышей и другие. Мною и Странским, а впоследствии в более строгом — в математическом отношении — виде Беккером и Дёрипгом была дана молекулярно-кинетическая трактовка кинетики образования кристаллических зародышей и линейной скорости кристаллизации. Полученные при этом выражения содержат экспоненциальный член, в показателе которого фигурирует работа образования соответствующих зародышей в ее зависимости от пересыщения, [c.5]

Мне хотелось бы в конце обратить внимание на изложение в пятой главе теории так называемого сегодня механизма Странского — Крастанова послойного осаждения кристаллов на подложке. Здесь приведено изложение этого вопроса в его оригинальном виде. Это важно, так как иногда многое из того, что теперь говорится об этом механизме, не соответствует его основным положениям. [c.6]

В дальнейших экспериментах по росту кристаллов из паров автор установил [24], что образование новой плоскости решетки связано с трудностями, вполне аналогичными тем, которые возникают при образовании зародышей. Согласно этим представлениям по завершении роста каждой плоскости решетки происходит задержка до того момента, когда возникнет двумерный зародыш. После тш ательного анализа энергетических соотношений на поверхности кристалла, проведенного В. Косселем [25] и И. Н. Странским [26], Р. Каишеву и И. Н. Странскому [27] впервые удалось кинетически обосновать процесс образования кристаллических зародышей. Полный анализ этого процесса был проведен Р. Беккером и В. Дёрипгом [23], которым удалось обобщить казавшееся вначале необозримым многообразие единичных молекулярных процессов, протекающих при построении кристалла. [c.31]

Энергии связи строительных элементов как на поверхности, так и внутри гомеополярпой решетки недоступны для столь же простых расчетов, однако предложенный Косселем схематический подход, получивший дальнейшее развитие в работах И. П. Странского [67] и его сотрудников, так же как Р. Беккера и В. Дёринга [23], привел к существенным результатам, ра.э-витым применительно к простой кубической атомной решетке. Рассматриваемый внутренний атом окружен шестью ближайшими соседями на расстоянии б, 12 атомами на расстоянии бУ2 восемью на расстоянии б УЗ, шестью на расстоянии 26 и т. д.... [c.43]

Новый многообещающий метод определения закона сил был предложен И. Н. Странским [48]. Он основывается на наблюдении зависимости форм роста гомеополяр11ых кристаллов от пересыщения пара, в котором ни растут. При этом оказалось, что в случае кадмия сила падает быстрее, чем седьмая степень расстояния. Работа отрыва строительного элемента <эт места роста более чем на 96% определяется первыми соседями. [c.44]

Это и есть доказательство формулировки Вульфа. В форме (29) уравнение Гиббса — Вульфа аналогично формуле Томсона (26). Для смешанных кристаллов соответствующие выражения содержатся в уравнениях (27) и (28). Ранее этот закон многократно использовался для объяснения форм роста макроскопических кристаллов. Это применение неверно, потому что с увеличением линейных размеров 1., 2., различия лд,,, которые возникают при отклонении от равновесной формы, становятся все меньше и меньше (29) и для макроскопических кристаллов уже практически исчезают. Уравнение имеет физический смысл только при линейных размерах кристалла, меньших 10 см. Для кристаллов большей величины изменения т. п., связанные с отклонением формы, лежат за пределами экспериментально возможной точности установления параметров состояния фазы Т, Р, i,. .. Кроме того, уже, например, сила тяжести начинает играть столь же важную роль для формы этих кристаллов. Склонность кристаллов приобретать форму, предписываемую приведенными выше уравнениями, как это видно из соотношения (29), тем больше, чем меньше их линейные размеры и потому она решающим образом определяет форму зародыша. Далее, из вышеуказанного уравнения следует, как впервые заметили И. Н. Страиский и Р. Каишев [69], что с уменьшением размера кристалла, т. е. с возрастанием пересыщения другой фазы, форма равновесия становится беднее гранями поскольку отношение расстояний до центра определяется значениями а, грани кристалла с уменьшением его размеров одна за другой исчезают в том же порядке, в каком их протяженность снижается до молекулярных размеров. И. Н. Странский [48] распространил это положение на макроскопические кристаллы, полагая, что их формы также должны быть тем беднее гранями, чем выше пересыщение питающей фазы. Из соответствующих наблюдений он смог высказать соображения о сфере действия молекулярных сил. [c.92]

Однако результаты, основанные на этих соображениях, использовать очень трудно, ибо приходится оперировать с величинами, экспериментально в настоящее время неизмеримыми, что противоречит существу термодинамики. Сама удельная поверхностная энергия измерена к настоящему времени только в одном случае — на грани скола слюды [70]. Можно полагать, что путь дальнейшего прогресса пройдет через этан установления законов действия молекулярных сил. Как только они будут известны, станет возможным расчет поверхностных энергий но затем и они окажутся ненужными, так как требуемые значения молекулярных т. и, для каждого места на поверхности должны определяться непосредственно. Большой заслугой И. Н. Странского и Р. Каишева [71] является то, что они вывели уравнение Гиббса — Вульфа для кристаллов, исходя из работы присоединения молекул. Между прочим, они воспользовались при этом и упомянутой моделью гомеополярного кристалла, в которой принимаются во внимание только силы взаимодействия между ближайшими соседями. Этот результат, однако, имеет общее значение, если вместо энергий отдельных шагов ввести термодинамический потенциал л. [c.93]

Проиллюстрируем этот обп еприменимый результат особенно ясным примером из работ И. Н. Странского и Р. Каишева. Рассмотрим простую кубическую решетку и примем во внимание только силы между ближайшими первыми соседями. В этом случае, соответственно числу связей, появляются три значения энергий бф, и характеризуемые соотношением = [c.95]

Уравнение Гиббса — Вульфа выполняется только до тех пор, пока общая поверхностная энергия кристалла может быть представлена суммой произведений величины поверхности и удельной свободно ПОВерХНОСТ ОЙ Э 1ергии. Это, однако, допустимо, лишь если энергией ребер и углов по сравнению с соответствующей суммой можно пренебречь последнее возможно при не слишком малых размерах кристалла. В тех случаях, когда малый кристалл может быть получен путем простого отщепления от бесконечно болылого кристалла, полученное соотношение может быть, как показали И. Н. Странский и Р. Каи пев [72], дополнено введением удельной свободной энергии ребер п углов. Однако вряд ли это удастся как-либо использовать. [c.97]

Для того чтобы посредством соотношения Странского — Каишева (30), применимость которого н 1чем не огран чена, найти форму и размер кристалла, относящегося к паровой фазе с т. т. (II, поступают следующим образом. [c.97]

Более содерн ательной представляется введенная И. Н. Странским классификация, охватывающая также и шероховатые грани. Согласно этой классификации различают грани однородные и неоднородные. Однородной гранью является, например, грань (110) с одинаковыми — высотой в два или более атомов — ступенями. Высоту ступени можно охарактеризовать индексом (порядком). Грань (110) первого порядка (110), представляет собой идеальную поверхность сечения (110) (110)2 состоит сплошь из одинаковых ступеней высотой в два иона. Продолжая, люжно ввести грани (ИО)з, (llO)i и т. д. Неоднородная грань включает ступени различной высоты. К этой группе можно отнести также грани типа (210) и (310), причем индекс относится к наиболее короткому ребру ступени. Однородная грань первого порядка (210) i представляет собой плоскую поверхность сечения со ступенями шириной 1 и 2, в то время как грани второго порядка (210)2 содержат ступени шириной 2 и 4. Сюда относятся и грани составного типа со ступенями меняющейся в строгой последовательности высоты. Согласно энергетическому анализу И. Н. Странского, отложение вещества на однородных и сложнооднородных гранях может протекать с сохранением их структуры они растут, по определению Странского, воспроизводимо. Такой процесс имеет временной характер, так как в конце концов однажды возникшее огрубление приведет к нарушению его. Недавно проведенный энергетический анализ показал, что таким воспроизводящимся граням в процессе роста приходится преодолевать более высокие энергетические барьеры, чем аналогично построенным невоспроизводящимся. Элементы поверхности шара, [c.110]

Грани с наименьшими значениями индексов hk) чаще всего реализуются как однородные. Здесь уместно вспомнить правило, что при росте преимущественно возникают грани с малыми индексами. Для вероятности появления граней, однако, существенно не количество однородных граней, а количество имеющихся среди них воспроизводимо растущих граней (третий и шестой столбцы). Видно, что наибольшие возможности реализации соответствуют граням (110) и(210),которые действительно возникают в опытах по росту шара. Таблица охватывает только данные для зоны (001). Не входя во все обширное многообразие явлений, И. Н. Странский показал также, что октаэдрическая грань (111) отличается особенно большим количеством однородных, а именно, сложно-однородных граней, которые проявляются в качестве воспроизводящихся граней. Важно то, что в этом случае каждая из граней может проявляться тремя различными способами отсюда становится понятным появление этих граней в эксперименте (всегда только в виде граней высшего порядка). Таким образом, создается представленне о том, что, помимо rpaneii I рода, могут появляться также те промежуточные грани, которые, как грани более высокого порядка, растут воспроизводимо, а среди них особенно быстро те, которые находятся в более благоприятных условиях подвода частиц. Есть, одпако, основания полагать, [c.111]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология