Кристаллы грани

Процесс начинается обычно в активных точках (центрах) поверхности кристалла (грани, углы, нарушения структуры кристаллической решетки), что приводит к образованию зародыша новой твердой фазы. Дальнейший ход превращений связан с характером-роста зародышей. [c.258]

Наличие у кристаллов граней и постоянство углов между ними свидетельствуют о том, что структура кристалла образована частицами, расположенными на строго определенных расстояниях друг от друга. Пространственная совокупность частиц в структуре твердого тела образует кристаллическую решетку— присущее кристаллу периодически повторяющееся в трех измерениях правильное расположение частиц (атомов, ионов, молекул). Кристаллическая решетка — это математическое (геометрическое) понятие оно может быть определено как группа точек, получающихся при взаимном трехкратном пересечении в пространстве плоскостей трех семейств, причем все плоскости каждого семейства параллельны и равноудалены друг от друга. [c.159]

Для конечного кристалла, содержащего большое число N атомов, необходимо ввести циклические граничные условия. В отличие от одномерного случая (где условие могло быть осуществлено изгибанием цепочки в кольцо) теперь оно не имеет соответствующей наглядной интерпретации. Тем не менее можно рассматривать большой кристалл, грани которого параллельны граням элементарной ячейки и образуют куб с ребром [c.108]

Из такого же типа месторождений кристаллы ортоклаза ромбоэдрического облика называются адуляром. В этих кристаллах грани пинакоидов р 001 , дс 101 и у 201 отсутствуют 4). Плоскопризматические кристаллы калиевого полевого-шпата (5) наблюдаются в виде порфировых выделений в эффузивных породах, являясь наиболее высокотемпературной модификацией этого химического соединения, которая известна под названием санидина. [c.190]

Скорости роста кристаллов при наличии вредных примесей имеют следующие особенности, которые необходимо выявить по отдельности для всех присутствующих в данных условиях на кристалле граней разных простых форм [c.133]

Во-вторых, это выход на поверхность кристаллов граней разных индексов. С этой точки зрения физически однородна только такая поверхность, которая образована лишь гранями одного индекса кристалла, например, поверхность графитированной термической сажи, образованная лишь из базисной грани кристаллов графита, или поверхность кубического кристалла, образованная из грани (100). Кристаллические адсорбенты, на поверхность которых выходят несколько (часто однако немного, не более двух, трех) физически однородных граней разных индексов, можно рассматривать как смесь разных адсорбентов с физически однородными поверхностями. Если различные грани значительно различаются по заселенности атомами, ионами или молекулами, то межмолекулярные взаимодействия таких граней с адсорбирующимися молекулами сильно различаются по потенциальной энергии. Адсорбция на отдельных гранях таких кристаллов при достаточно низких температурах может происходить в основном по очереди на каждой из граней, соответственно, при разных величинах давления пара адсорбата в газовой фазе. [c.15]

В случае кристаллов имеется небольшое количество различных мест на поверхности. Это грани разных индексов (обычно от двух до шести), ребра между гранями, ступени роста, отдельные дислокации. Различные места на поверхности кристалла ограничены в основном немногими типами и поэтому здесь нет непрерывного распределения энергии адсорбционных сил по местам адсорбции. Вследствие этого число ступеней на изотерме адсорбции в пределах преимущественного заполнения монослоя не должно быть очень большим. При соблюдении надлежащих предосторожностей во время синтеза и последующих обработок таких кристаллов число ступеней на изотерме адсорбции должно находиться в соответствии с числом выходящих на поверхность кристалла граней разных индексов [297, 298]. Если это условие не достигнуто, то число ступеней на изотерме адсорбции должно находиться в соответствии с числом выходящих на поверхность граней и с числом возможных ступеней роста, типичных для данного кристалла и условий его получения. [c.62]

В. М. Лукьяновичем сделана важная попытка исследования микрорельефа поверхности кристаллов. В работе [4] мы обнаружили несколько четких ступеней на изотерме низкотемпературной адсорбции Хе и Кг на этих кристаллах. Дюваль и Томи [5] нашли две четкие ступени (большую и маленькую) в области двумерного фазового перехода криптона на графитовых листочках. Во всех этих случаях таких ступеней немного. Я вижу в этом связь с выходом на поверхность кристаллов граней разных индексов, со структурами роста граней и с дислокациями. Вероятно, число таких энергетически резко отличных мест невелико, поэтому их не следует описывать непрерывными функциями распределения. Возможно, что детальные исследования структуры поверхности методом декорирования при повышении разрешения и адсорбционными методами помогут создать основы физической теории неоднородности поверхностей твердых тел, необходимой для развития молекулярной теории адсорбции на неоднородной поверхности (см. также [6, 7]). [c.320]

Если адсорбция секстетного типа необходима для превращения циклогексана в бензол, то из принципа геометрического соответствия вытекают два следствия, которые можно проверить на опыте. Во-первых, не все металлы имеют на поверхности кристаллов грани с плотнейшей упаковкой атомов, когда возможно построение мультиплетного комплекса. Это характерно лишь для гексагональной (А-3) и плотнейшей гранецентрированной (А-1), но ие объемноцентрированной (А-2) решеток металла. Во-вторых, межатомные расстояния в решетке катализатора должны лежать где-то в пределах 2,5—2,8 А, тогда цак для металлов это расстояние изменяется от 2,3 А для Ве до 5,3 А для Сз. [c.88]

Правильность формы заключается в постоянстве углов между соответственными гранями. При росте кристалла грани перемещаются параллельно самим себе, независимо от скоростей роста, которые могут быть различными. Иллюстрацией закона постоянства углов может служить рис. 1, где приведены некоторые встречающиеся в природе формы кри -Сталлов кварца. [c.9]

Все кристаллы, грани роста которых имеют общее положение по отношению к главным осям индикатрисы, имеют косое погасание и в сходящемся свете дают фигуру косого несимметричного разреза, [c.31]

Простые формы, на грани которых лежат кристаллы (грани роста) [c.32]

Из рис. 15 видно, что при преимущественном развитии у одноосных кристаллов граней призмы, а у ромбических —граней пинакоида или моноэдра, суждение о сингонии не однозначное, так как форма, характер погасания и коноскопические фигуры кристаллов могут быть тождественны. Практически неразличимы также моноклинные кристаллы, растущие на гранях призмы, и триклинные. [c.33]

Ориентация и структура граней кристалла исследуются уже довольно давно. Термодинамическое рассмотрение величины свободной поверхностной энергии в зависимости от ориентации позволяет получить удовлетворительную картину равновесной структуры. Однако надо иметь в виду, что фактическое соотношение граней может отличаться от равновесного вследствие влияния кинетических факторов на рост той или иной грани. Быстро растущие грани легко исчезают при росте кристалла. Грани с плотной упаковкой, как правило, растут наиболее медленно. [c.201]

Из всего вышесказанного следует, что перемещение граней параллельно сз1-мим- себе не влияет на соотношение (1). При росте кристаллов грани именно [c.53]

Под эпитаксиальным ростом кристаллов понимают ориентированное срастание различных кристаллов из раствора, пара или расплава. Осаждение может происходить также электролитическим путем или посредством реакции кристаллической подложки с окружающей средой, например, при ориентированном образовании окислов. При этом кристаллы примеси (так называемые депозитные кристаллы), выделившиеся на инородной поверхности подложки (грани основного кристалла, грани подкладки), могут формироваться изолированно, так что ориентацию можно наблюдать микроскопическими методами (рис. 13.22). Кристаллическая фаза примеси может также образовать единое и ориентированное покрытие, монокристальную структуру которого можно доказать дифракцией электронов или рентгеновских лучей. [c.336]

Кристалл Грань Травитель Длительность травления [c.401]

Идеальная простая форма должна состоять из одинаковых граней. В реальном кристалле грани (даже и у простой формы), как правило, различны по величине и форме из-за того, что кристалл растет не в идеальных условиях. [c.93]

Множество дефектов образуется при росте также и на поверхности кристалла. Грани реального кристалла никогда не бывают в действительности идеальными плоскостями, на них всегда видна скульптура грани — фигуры травления, бугорки, штриховка (см. рис. 87), ступеньки, холмики и спирали роста (рис. 336). [c.369]

Как показывает формула (3), й - с1 при п оо. Влияние преломления рентгеновских лучей в кристалле незначительно, однако в ряде случаев его необходимо учитывать. В нижеследующей таблице приводятся значения для кристаллов, наиболее часто используемых в рентгеновской спектроскопии. В последнем столбце указан участок длин волн рентгеновского спектра, в котором использование соответствующего кристалла (грани) наиболее целесообразно. [c.23]

Для получения совершенных кристаллов необходимо очень тщательно регулировать температуру расплава и вытягиваемого кристалла. Грань растущего кристалла, находящаяся в контакте с расплавом, должна быть плоской необходимо избегать механических вибраций- [c.211]

Оказывается, что эту трудность можно преодолеть, применяя иной метод измерения рассеяния под малыми углами — метод двух монокристаллов [20, 21]. Схема прибора дана на рис. 9. Кристалл кальцита, служащий монохроматором, дает очень узкий пучок отраженных лучей. На определенном расстоянии от этого закрепленного кристалла монохроматора помещается другой кристалл кальцита в таком положении, чтобы он отражал пучок лучей от первого кристалла. В случае отражения обоими кристаллами грани их параллельны. Если поворачивать второй кристалл анализатор вокруг оси, лежащей в плоскости кристалла и проходящей через точку, в которую попадает луч, отраженный от первого кристалла, то луч, падающий от анализатора на счетчик Гейге ра, будет менять свою интенсивность. Таким образом, может быть измерена зависимость между интенсивностью отра- [c.368]

Влияние примесей проявляется и в процессе роста монокристалла серебра. При осаждении серебра малыми токами на катоде растет один кристалл в виде нити. Такая форма роста связана с различием в энергии адсорбции ПАВ на разных гранях кристалла. Грани, на которых адсорбируются ПАВ, не растут растет лишь та грань, на которой энергия адсорбции мала. Если изменить плотность тока (рис. 12.9), например увеличить ее, то в первый момент времени перенапряжение возрастет, а затем установится такое же, какое было до изменения плотности тока. При этом диаметр монокристалла увеличится. При уменьшении плотности тока перенапряжение сначала снизится, а затем повысится, достигая прежнего значения, и диаметр монокристалла станет меньше. Поперечное сечение монокристалла устанавливается таким, что плотность тока при изменении общего тока остается постоянной. При этом истинная плотность тока сильно возрастает с ростом концентрации органических добавок и не зависит от концентрации ионов серебра в растворе. [c.336]

Подобные же выводы следуют из теорий [32—40], основанных на рассмотрении внутренней структуры кристаллов грани с небольшой плотностью расположения частиц обладают наименьшей поверхностной энергией и растут медленнее. [c.67]

Синие кристаллы кварца впервьге были получены в 1958 г. на затравках базисной ориентации при введении в систему Н2О— 5102 — Na20 — СО2 соединений кобальта, растворимых в гидротермальных условиях. Концентрация пигментирующей примеси в исходном растворе и температурные параметры режима выращивания существенно влияют на интенсивность окраски, распределение которой подчиняется закономерностям зональной и секториальной сегрегации неструктурной примеси. На основании результатов спектрального анализа окрашенных кристаллов и характера распределения синей окраски можно заключить, что ион-хромофор Со + адсорбируется коллоидно-дисперсными комплексами силиката натрия и вместе с ним захватывается во время роста кристалла гранью пинакоида. Связь центров синей окраски искусственных кристаллов кварца с ионами Со2+ подтверждена спектрами поглощения, измеренными в поляризованном свете. На всех полученных кривых отчетливо наблюдается широкий максимум с тремя пиками при 545, 595 и 640 нм. Полное отсутствие дихроизма в этих спектрах и наличие тиндалевского рассеяния света подтверждает коллоидальный характер окрашивающей примесной фазы, захват которой начинается при максимальной скорости порядка 0,2 мм/сут на сторону в направлении оси Ц. С увеличением скорости до 0,25 мм/сут массовое содержание кобальта в пирамиде <с> достигает 1-10 3 7о, что обеспечивает образование кристаллов голубого цвета. Синие ярко окрашенные кристаллы с концентрацией кобальта до 1—2 10" % вырастают со скоростью 0,3—0,4 мм/сут при температуре 330—395 °С. В процессе выращивания синего кварца на дне автоклава выделяется стеклообразный осадок тяжелой фазы , окрашенной в темно-синий цвет и содержащей около 3-10" % СоО. Интенсивность синей окраски при нагревании кварца выше точки ач=ьр перехода несколько снижается. После высокотемпературной термообработки образцы голубого цвета теряют прозрачность и, подобно бесцветному кварцу, выращенному с высокими скоростями, приобретают опаловидный характер, сохраняя прочность 12 179 [c.179]

Термодинамически устойчивые зародыши увеличивают свою массу за счет растворенного вещества и вырастают в кристаллы. Кристалл представляет собой структуру в виде правильной пространственной решетки, в узлах которой находятся соответствующие его составу ионы, атомы или молекулы. Часто молекулы воды также входят в структуру твердого кристалла (кристаллогидрата). В основе многообразия кристаллов [25, 157, 197, 211] лежат комбинирующиеся из отдельных элементов симметрии 32 вида симметрии кристаллических решеток. Они делятся на 7 групп — систем или син-гоний, обладающих одним или несколькими сходными элементами симметрии триклинную, моноклинную, ромбическую, тригональ-ную, или ромбоэдрическую, тетрагональную, гексагональную и кубическую. Первые три сингонии относятся к низшей категории симметрии, вторые три — к средней, последняя — к высшей. Для каждой сингонии характерны несколько простых форм кристаллов. Грани простой формы имеют одинаковые очертания и размеры. Всего существует 47 типов простых фигур (в низших сингониях 7, в средних 25, в высшей 15) (рис. 9.5). Простые формы триклинной сингонии могут участвовать в построении кристаллов и моноклинной сингонии, а формы обеих этих систем относятся и к кристаллам ромбической сингонии. В среднюю категорию симметрии переходят лишь простые формы триклинной сингонии, а в кубическую сингонию ни одна из простых форм низших и средних категорий не переходит. [c.242]

Реальный макрокристалл представляет собой метастабильный конгломерат из беспорядочно расположенных субкристалликов, соединительных блоков и пустот между ними. Поэтому он не имеет идеального стехиометрического состава. В наибольшей мере это относится к поверхностным частям кристалла — граням, ребрам. [c.341]

Из всего вьппесказанного следует, что перемещение граней параллельно самим себе не влияет на соотношение (1). При росте кристаллов грани именно перемеш аются параллельно самим себе, при этом относительное перемещение отдельных граней может сильно меняться в зависимости от условий роста, но углы наклона по отношению друг к другу п координатным осям остаются постоянными. [c.45]

Внешний вид кристаллов называется обликом, или габитусом. Эта особенность индивидов играет такую же важную роль, как и их огранение. Внутреннее строение кристаллического вещества, его анизотропия отражаются прежде всего на облике кристалла. При образовании индивиды имеют наибольшую скорость роста в направлении максимальной химической связи. Это приводит к развитию на кристалле граней с наибольшей ретикулярной плотностью. Облик кристаллов пока описывают качественно, иногда отмечают обликовые (габитусные) грани и второстепенные (акцессорные). Выделяют следующие наиболее важные виды облика изометрический, призматический и листоватый. Для более полного описания кристаллов призматического облика используют слова длинно, тонко, коротко и плоско. Индивиды в виде толстых листочков называют табличками, о них говорят облик тонко- или толстотаблитчатый. [c.61]

В литературе по катализу можно иногда встретить мнения, которые не совпадают с только что высказанными здесь соображениями о содержании главной проблемы катализа. Так, напрнмер, Кобозев считает, что сейчас основным для общей теории катализа является вопрос о природе активного центра поверхности, или конкретнее, вопрос о том, является ли каталитически активный центр элементом аморфной фазы (т. е. небольшой атомной группировкой — ансамблем) или элементом кристалла (гранью, ребром, углом и т. д.) [4]. Хедвалль в своей статье Современные проблемы гетерогенного катализа [5] перечисляет ряд вопросов, относящихся не столько к каталитическому акту, сколько к природе каталитической активности твердых тел и изменению этой активности под влиянием разных обстоятельств. [c.264]

Кристаллы призматического облика (2), часто почти изометричные, встречаются в занорьш1ах пегматитовых жил. В гидротермальных жилах альпийского типа кристаллы калиевого полевого шпата имеют облик призматический 3), без граней пинакоида у 201 и с умеренно развитым базопинакоидом 001 . Из такого же типа месторождений кристаллы ортоклаза ромбоэдрического облика 4) называются адуляром. В этих кристаллах грани пинакоидов 001 , 101 и 201 отсутствуют. Плоскоприэматические кристаллы калиевого полевого шпата 5) находятся в виде порфировых выделений в эффузивных породах, являясь наиболее высокотемпературной модификацией этого химического соединения, которая известна под названием санидина. [c.285]

Если все три рентгенограммы первого типа, то обратная решетка, а следовательно и решетка кристалла, примитивная. Если две из трех рентгенограмм второго типа, решетка базоцентрированная. Если же все три рентгенограммы принадлежат ко второму типу, то обратная решетка либо объемноцентрированная, либо гра-кристалла гране- или объемноцентри- [c.334]

Предпринимались неоднократные попытки теоретического решения этой проблемы, некоторые из них обсуждались в главах VII и VIII. Баррер указал, что если молекула адсорбирована в столь узкой трещине, что она касается двух параллельных стенок, то теплота адсорбции вдвое больше, чем на гладкой поверхности. Де-Бур и Кюстерс[ ] показали, что в щелях, капиллярах и впадинах адсорбента теплота ад-сорб Ции может быть в несколько раз больше, чем на гладкой поверхности. Ленельрассчитал, что теплота адсорбции аргона на хлористом цезии составляет 3500 кал]моль для грани (100) и лишь 2500 кал]моль для грани (110). В этом кристалле грань (100) содержит только один тип ионов грань (110) — оба типа приведенные выше цифры относятся к грани (100), состоящей из ионов цезия, Орр[ ] рассчитал, что теплота адсорбции аргона на иодистом цезии равна 3170 кал1молъ для грани (100), состоящей из ионов цезия, и 2680 кал]моль для той же грани, состоящей из ионов иода, Баррер [ ] вычислил, что теплота адсорбции на базисных поверхностях графита больше, чем на призматических, [c.461]

Характерный для макросоединения стехиометрический состав имеют лишь внутренние части идеального кристалла с типической решеткой. Поверхностные же части кристалла (грани, ребра, вершины) не имеют стехиометрического состава — их состав непостоянен и различен для отдельных элементов поверхностной структуры. В связи с этим устанавливается равновесие между окружающей средой и реальной кристаллической системой, представляющей собой метастабильные конгломераты из субкристалликов, соединительных блоков и пустот между ними. Для определенных температурных условий характерен и определенный равновесный состав поверхностных частей кристаллической системы, меняющийся при изменении температуры. Вследствие этого кристаллические порошки при нагревании спекаются даже при отсутствии жидкой фазы, т. е. при температурах более низких, чем температуры плавления отдельных компонентов кристаллической смеси или их эвтектик. [c.27]

Характерный для макросоединения стехиометрический состав имеют лишь внутренние части идеального кристалла с типической решеткой. Поверхностные же части кристалла (грани, ребра, вершины) не имеют стехиометрического состава — их состав непостоянен и различен для отдельных элементов поверхностной структуры. В связи с этим устанавливается равновесие между окружающей средой и реальной кристаллической системой, представляющей [c.24]

Триклинная Три действительных или возможных робра кристалла Грани пинакоида или моноэдра [c.83]

Характерный для макросоединения стехиометрический состав имеют лишь внутренние части идеального кристалла с типической решеткой. Поверхностные же части кристалла (грани, ребра, вершины) не имеют стехиометрического состава,— их состав непостоянен и различен для отдельных элементов поверхностной структуры. В связи с этим устанавливается равновесие между окружающей средой и реальной кристаллической системой, представляющей собой метастабильные конгломераты из субкристалликов, соединительных блоков и пустот между ними. Для определенных температурных условий характерен определенный равновесный состав поверхностных частей кристаллической системы, меняющийся при изменении температуры. Вследствие этого кристаллические порошки при нагревании спекаются даже при отсутствии жидкой фазы, т. е. при температурах более низких, чем температуры плавления отдельных компонентов кристаллической смеси или их эвтектик. Спекание происходит вследствие смягчения поверхностных составных частей и восстановления нарушенных элементарных кристалликов и их неориентированного сращивания при этом. Для многих солей абсолютная температура спекания приблизительно в 2 раза меньше абсолютной температуры плавления (по разным данным T JTnji = 0,44 или О,.57). Для окислов T JT . (= 0,8. Чем мельче кристаллический порошок, тем больше его удельная поверхность и тем сильнее он спекается при нагреваний. Спекание может быть вызвано также полиморфными превращениями и выделением капиллярной и адсорбированной влаги. [c.30]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология