Ориентированное наращивание кристаллов

В первый момент при горизонтальной разливке горячего металла в холодную изложницу многофазный сплав, соприкасаясь со стенками формы, резко переохлаждается и образуется тонкая корочка мелких кристаллов. По мере наращивания слоя скорость охлаждения жидкого металла уменьшается, и последующие слои кристаллизуются уже в виде более крупных столбчатых кристаллов, ориентирующихся в сторону отвода тепла. [c.426]

Замечательно, что бензол, не имеющий, в отличие от нитробензола, полярных групп в молекуле, образует граничные фазы на стекле только тогда, если последнее покрыто мономолекулярным адсорбированным слоем нитробензола. Можно полагать, что ориентированный на поверхности стекла монослой нитробензола вызывает своего рода эпитаксиальное действие, распространяющееся в бензоле от слоя к слою и ориентирующее несколько десятков монослоев последнего. Отсюда видно, что состояние поверхности, ее чистота могут играть решающее значение для процесса эпитаксиального наращивания. В дальнейшем нас будут в основном интересовать процессы, обусловленные автоэпитаксией, в условиях, когда затравочный кристалл является метастабильной модификацией.Процесс наращивания алмаза на алмазные затравочные кристаллы назван физико-химическим синтезом, поскольку он основывается на явлениях, изучением которых занимается физическая химия поверхностных явлений. [c.18]

При помощи газотранспортных реакций удобно выполнять эпитаксиальное наращивание полупроводниковой пленки, когда ее структура полностью повторяет структуру поверхности подложки, на которую она осаждается, т. е. структура пленки является продолжением структуры подложки. Особое значение эпитаксиальное наращивание имеет в производстве интегральных микросхем, когда необходимо получать монокристаллические пленки из полупроводникового материала с заданным типом проводимости на зародышевом кристалле, оказывающем ориентирующее влияние на рост пленки. [c.59]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология