Индий, атомный и ковалентный радиусы

Атомные радиусы элементов III группы также удовлетворительно согласуются со смещениями в табл. 10 и 11. На системы металлических радиусов для элементов главной группы накладывается система ковалентных радиусов для бора, алюминия, галлия и индия. Обе кривые обнаруживают характерные зигзагообразные изломы. [c.124]

Слои связаны слабыми силами Ван-дер-Ваальса. Расстояния между атомами (в A) 3,156 (In—In) 2,505 (In—Se) и 4,168 (Se—Se). При этом расстояние In—Se меньше суммы атомных (2,785 A) или ионных (2,855 A) радиусов элементов и близко сумме тетраэдрических ковалентных радиусов (2,306 A). Это указывает на сходство взаимодействия индия и селена в InSe и атомов в структуре типа структуры GaS, обладающей явно выраженной тетраэдрической координацией [65, 67]. Из-за слоистости структуры и слабых связей слоев кристаллы InSe необычайно легко расщепляются по плоскости спайности на очень тонкие слои, что также может указывать на наличие значительны доли ионной связи в соединениях этого типа. Кристаллы InSe обладают сильной анизотропией свойств. [c.105]

Система OaAs—InAs. Атомные радиусы галлия и индия отличаются на 13%, а ионные — на 23%. Кроме того, вследствие ковалентного характера химических связей в этих соединениях равновесное состояние сплавов арсенидов галлия и индия достигается с большим. трудом. Составы приходят в состояние равновесия при отжиге прессованных порошков в течение двух недель при 900° С. В соответствии с диаграммой плавкости изменение постоянной решетки твердых растворов согласуется с законом Вегарда. [c.246]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология