Покрытия диэлектрики

Уменьшение числа способных окисляться алкильных групп повышает термическую стойкость полисилоксанов. Подбор мономеров дает возможность широко варьировать свойства получаемых продуктов, которые находят применение в качестве морозостойких и термостойких смазочных материалов, защитных покрытий, диэлектриков для пропитки конденсаторов, эластомеров для производства резины, эксплуатируемой в интервале от —90 до +250°С. [c.392]

М 47 Гальванические покрытия диэлектриков Справочник.—Ми. Беларусь, 1987. —176 с. [c.2]

ГАЛЬВАНИЧЕСКИЕ ПОКРЫТИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ [c.5]

В зависимости от способа получения электропроводного подслоя различают химико-гальванические, лакокрасочно-гальванические, конденсационно-гальванические и другие покрытия диэлектриков. [c.5]

Гальванические покрытия диэлектриков [c.11]

Чаще всего используемые в технике системы гальванических покрытий диэлектриков н условные обозначения наиболее употребительного в технической документации их варианта приведены в табл. 5. [c.13]

Николай Федорович Мелащенко ГАЛЬВАНИЧЕСКИЕ ПОКРЫТИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ [c.177]

Химическое осаждение меди. Меднение посредством химического восстановления меди и ее растворов применяется часто, особенно при покрытии диэлектриков. Толщина получающегося при этом слоя меди весьма мала, измеряется долями микрона и образовавшийся слой, вернее налет металлической меди служит основой для последующего гальванического доращивания меди из кислых электролитов. [c.116]

У покрытий-диэлектриков Е р достигают значений 50— 80 МВ/м. Электрическая прочность, однако, в большой степени зависит от качества покрытия. Наличие слабых мест и дефектов в пленках сильно снижает их электрическую прочность. [c.139]

Ниже приведены составы растворов и режимы осаждення кикель-фосфорных покрытий без наложения тока нз щелочных растворов т бл. 101), кислых (таб э. 102), для покрытия диэлектриков (табч. 103) 10, 27, 411 [c.199]

При электрической Д. фиксируют параметры электрич. поля, взаимодействующего с объектом контроля. Наиб, распространен метод, позволяющий обнаруживать дефекты диэлектриков (алмаза, кварца, слюд, полистирола и др.) по изменению электрич. емкости при введении в него объекта. С помощью термоэлектрич. метода измеряют эдс, возникающую в замкнутом контуре при нагр. мест контакта двух разнородных материалов если один из материалов принять за эталон, то при заданной разности т-р горячего и холодного контактов величина и знак эдс будут характеризовать неоднородность и хим. состав др. материала. Метод применяют для определения толщины защитных покрьггий, оценки качества биметаллич. материалов, сортировки изделий. При электростатич. методе в поле помещают изделия из диэлектриков (фарфора, стекла, пластмасс) или металлов, покрытых диэлектриками. Изделия с помощью пульверизатора опыляют высокодисперсным порошком мела, частицы к-рого вследствие трения об эбонитовый наконечник пульверизатора имеют положит, заряд и из-за разницы в диэлектрич. проницаемости неповрежденного и дефектного участков скапливаются у краев поверхностных трещин. Электропотенциальный метод используют для определения глубины ( 5 мм) трещин в электропроводных материалах по искажению электрич. поля при обтекании дефекта током. Электроискровой метод, основанный на возникновении разряда в местах нарушения сплошности, позволяет контролировать качество неэлектропроводных (лакокрасочных, эмалевых и др.) покрытий с макс. толщиной 10 мм на металлич. деталях. Напряжение между электродами щупа, устанавливаемого на цокрьггие, и пов-стью металла составляет порядка 40 кВ. [c.28]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология