Полупроводники сток и исток

ТПТ с изолированным затвором представляет собой полупроводниковый триод, действие которого основано на модуляции проводимости пленки полупроводника поперечным электрическим полем. Процесс изготовления ТПТ состоит из следующих этапов вначале на очищенную и обезгаженную в вакууме изолирующую подложку осаждается пленка полупроводника, затем производится осаждение металлических электродов истока и стока, поверх которых наносится слой изолятора и, наконец, слой металлического затвора. [c.70]

Электроды истока и стока должны образовывать с пленкой полупроводника омические контакты. В качестве материалов таких контактов с пленками сульфида и селенида кадмия используется золото, если контакты истока и стока располагаются под слоем полупроводника, и алюминий, если контакты располагаются по [c.70]

Пленочный полевой триод устроен следующим образом (рис. 62). На изоляционную подложку осаждают полупроводниковую пленку толщиной не более 1 мк. Сверху наносят две металлические полоски, условно называемые катодом (истоком) и анодом (стоком), на расстоянии от 5 до 50 л друг от друга. Катод и анод изготовляются из металлов, которые дают омический контакт с полупроводником. [c.165]

Если к затвору относительно истока приложить напряжение fЛ, противоположное по знаку основным носителям полупроводника под затвором ( 7, < 0), то в поверхностном слое под диэлектриком будет индуцироваться заряд носителей тока того же типа, что и основные носители в данной области полупроводника (на рис. 1.5, б - дырки). Это приводит к увеличению поверхностной концентрации основных носителей, т.е. к обогащению ими поверхностного подзатворного слоя. При этом один из р-п-переходов, а следовательно, и транзистор остаются закрытыми. При подаче малого и, другой полярности ( 7з > 0) в поверхностном слое под затвором индуцируется сравнительно небольшой заряд неосновных носителей тока (электронов) для данной области полупроводника, а основные носители частично смещаются в глубь полупроводника. В итоге их поверхностная концентрация уменьшается, но остается большей, чем у неосновных носителей. В этом случае происходит обеднение поверхностного слоя основными носителями. Транзистор по-прежнему остается закрытым. При значениях 7,, больших некоторого порогового значения ( Щ > 1С ор1), поверхностная концентрация неосновных носителей становится больше концентрации ионов примеси (акцепторов). По этой причине поверхностный слой приобретает инверсное состояние - его тип проводимости становится противоположным проводимости остальной части подложки. Следовательно, между истоком и стоком индуцируется поверхностный канал и транзистор открывается. Чем больше 1 7,1 превышает 7пор1, тем больше ток стока / с- При этом напряжение затвора управляет током стока. [c.32]

Многие полимеры без примесей или при небольшом их количестве являются полупроводниками. Это свойство стимулировало попытки как промышленных, так и научных исследовательских групп использовать такие материалы в полупроводниковых приборах и, в частности, в полевых транзисторах. В качестве слоя полупроводника между электродами истока и стока полевого транзистора требуется пленка микронной толщины. Такая пленка может быть получена методом центрифугирования. Она покрывает раствором исходного полимера подложку, обладающую требуемой формой электрода. Затем для превращения пленки в проводящий полимер выполняется тепловая обработка в потоке газообразной легирующей примеси. Совершенствование метода позволяет достичь в полимерных полевых транзисторах подвижности носителей заряда 10 см /В-с. Полимерные светодиоды изготавливают из коньюгированных полимеров, используя в качестве излучаемого слоя, например, полифениленвинилен. Светодиоды на основе полимеров могут быть конкурентоспособны в дисплеях благодаря потенциальной простоте и низкой стоимости. [c.434]

Производство ХЧПТ с каналом и-типа начинается с изготовления кремниевой пластины, легированной бором, который превращает ее в полупроводник /5-типа. Затем путем фотолитографического маскирования и введения атомов фосфора в поверхность кремния посредством имплантации ионов или химической диффузии формируют сток и исток и-типа соответствующего рисунка. Диэлектрический затвор из диоксида кремния (обычно толщиной 50-100 нм) создают термическим окислением поверхности кремния при 1000 1200 °С в атмосфере кислорода. Слой нитрида кремния (также толщиной 50-100 нм), который выполняет роль второго диэлектрика, покрывающего слой диоксида кремния и, кроме того, придает устойчивость к гидратации, обычно формируют химическим осаждением из газовой фазы (смеси азота, силана 81Н4 и аммиака ННз) при 600-800 °С. Электрические контакты с истоком, стоком и подложкой создают путем протравливания отверстий в диэлектрике и напыления металлических (обычно алюминиевых) полосок, соединяющих эти элементы с контактными площадками на периферии кристалла. По окончании всех указанных операций пластину скрайбируют алмазным резцом и затем разрезают на отдельные микросхемы. [c.397]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология