Химическое осаждение из газовой фазы

Борные волокна получают методом химического осаждения из газовой фазы по реакции B b +Н2 Bi + H l Осаждение ведется на тонкую (диаметром несколько микрон) вольфрамовую проволоку. Технология получения борного волокна очень сложная, поэтому они имеют высокую стоимость. [c.133]

Химическое осаждение из газовой фазы осуществляется следующим образом [c.233]

Основные успехи в области получения высокочистых веществ химическим осаждением из газовой фазы достигнуты главным образом в результате эмпирического подбора оптимальных условий, основанного на экспериментальном определении влияния различных факторов на качество получаемых веществ. Несмотря на то, что в настоящее время накоплен большой материал, позволяющий оценить влияние таких факторов, как температура, состав газовой фазы, качество подложки, скорость и направление потока газов по отношению к реакционной поверхности, тем не менее для каждого конкретного случая необходимо подбирать оптимальные условия осуществления процесса исходя из самых общих, в основном, термодинамических положений и результатов экспериментального изучения кинетики химических реакций, лежащих в основе процесса. [c.104]

Мн, методы синтеза специфичны. При получении тугоплавких соед. и материалов применяют методы порошковой технологии (см, Порошкова.ч металлургия), реакц, спекания и химического осаждения из газовой фазы. Сферич, однородные частицы порошков получают плазменной обработкой или с помощью золь-гель процессов. Разработаны спец. методы выделения в-в в виде монокристаллов (см. Монокристаллов выращивание), монокристаллич, пленок, в т, ч, эпитаксиальных (см. Эпитаксия), и нитевидных кристаллов, волокон, а также в аморфном состоянии, Нек-рые р-ции проводят в условиях горения, напр, синтез тугоплавких соед. из смеси порошков простых в-в (см. Горение, Самораспространяющийся высокотемпературный синтез). Все более [c.212]

СД процессы протекают также при газофазной полимеризации, химических транспортных реакциях, химическом осаждении из газовой фазы. При описании этих и иных процессов, сопровождающихся хим. превращениями, в литературе иногда используют термины хим. возгонка и хим, десублимация . [c.451]

Для получения веществ высокой степени чистоты, а также веществ с заданным содержанием определенных примесей в последние годы широко применяют процессы химического осаждения веществ из газовой фазы. Особенно часто этот тип гетерогенных процессов используется в тех случаях, когда чистое вещество необходимо получить в виде эпитаксиальных пленок, объемных и нитевидных монокристаллов. Проведенные исследования показали, что процессы химического осаждения из газовой фазы могут с успехом использоваться и для получения высокочистых веществ в стеклообразном состоянии. [c.103]

Транспорт между зонами осуществляется в результате молекулярной диффузии (наиб, распространен , температурной конвекции или в потоке. Т. х. р. реализуется при общем давл. 100—5000 гПа, ДТ от 5 до неск. тысяч К и длительности процесса от неск. часов до неск. недель. Одной из стадий м. б. химическое осаждение из газовой фазы. [c.587]

ПОЛУЧЕНИЕ ВЕЩЕСТВ ОСОБОЙ ЧИСТОТЫ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ [c.103]

На уровне атомного разрешения исследована структура нанотрубок с коническими стенками (КСНТ), полученных методом химического осаждения из газовой фазы. Обн ужена зависимость структуры этих КСНТ от температуры подложки. Двухступенчатый отжиг в вакууме и аргоне приводит к замыканию внутренних и внешних кромок конических графеновых слоев [2]. Многослойные поверхностно-модулированные нанотрубы бьии получены испарением фафита при давлении газа (Ar+N2) до 1300 атм. Катализатором являлись расплавленные наночастицы железа [4]. [c.24]

Системы химического осаждения из газовой фазы [c.57]

В настояшее время для синтеза углеродных наноструктур используется несколько конкурирующих методов физическое и химическое осаждение из газовой фазы, злектродуговое и высокочастотное испарение углерода и др. Одним из возможных методов получения наноструктур может являться также синтез в условиях высоких газовых давлений, где реализуется быстрый перенос материала в зону роста и высокая скорость закалки. [c.57]

Очищенные пластины с выращенным на них эпитаксиальным слоем 81 или без него подвергают термич. обработке, включающей окисление, диффузию примесей или ионное легирование, отжиг пластины (в том случае, если примеси вводились ионным легированием), пиролитич. осаждение тонких пленок или их химическое осаждение из газовой фазы, гегтерирование. При реализации этих процессов осуществляется формирование активных областей и др. компонентов планарных структур. Вместе с тем термич. обработка приводит к возникновению мех. напряжений в пластине, вызывает образование дефектов, перераспределение примесей в объеме пластины и в приповерхностном слое. Чтобы уменьшить отрицат. последствия, термич. обработку проводят при сравнительно невысоких т-рах (ниже 900 °С), а для ускорения процесса применяют разл. способы, напр, окисление 81 проводят не в сухой, а во влажной среде при повыш. давлении. Для введения примесей все чаще вместо диффузии применяют ионное легирование (ионную имплантацию), к-рое по сравнению с диффузией обладает рядом преимуществ - универсальностью (возможность вводить практически любые в-ва в любую подложку), высокой воспроизводимостью, возможностью управлять профилем распределения примеси и изменять концентрацию вводимых примесей в широких пределах. [c.557]

Поверхностное Л осуществляют в слое до 1-2 мм и используют для создания особых св-в на пов-сти изделия В основе большинства процессов (в сочетании с термич обработкой) лежит диффузионное насыщение из газовой или жидкой (напр, цементация) фазы, химическое осаждение из газовой фазы К таким процессам относят алитирование (насыщающий элемент А1), науглероживание (С), цианирование (СН), азотирование (Н), борирование (В) и т д По твердофазному методу на пов-сть металла наносят легирующий элемент или сплав в виде слоя нужной толщины, далее к -л источником энергии (лазерное облучение, плазменная горелка, ТВЧ и др) пов-сть оплавляется и на ней образуется новый сплав Общее назв перечисл процессов -химико-термич обработка [c.581]

Х.т.р. Moiyr сопровождаться эффективной очисткой исходного твердого в-ва от примесей (если условия их хим. транспорта сильно отличаются от таковых для этого в-ва) или получением его в виде монокристалла. Одной из стадий Х.т.р. может бьггь химическое осаждение из газовой фазы (напр., осаждение А из смеси газообразных D и Е). [c.253]

Вырящнваяне яз пара. Исходное поликристаллич. шга аморфное в-во помещают в источник пара (питатель) и нагревают до испарения. Пары в-ва из источника диффундируют или переносятся с потоком газа-носителя в зону, где находится затравка, охлажденная относительно источника (метод десуолнмации). В качестве источника используют тасже в-ва, при разложения к-рых на затравке образуется кристаллизующееся в-во. Затравку при этом нагревают до т-ры, при к-рой разложение исходного в-ва происходит с достаточной скоростью (метод ван Аркела и де Бура). Иногда в пар вводят реагенты, к-рые взаимод. на пов-сти затравки с образованием кристаллизующегося в-ва (метод хим. кристаллизации, см. Химическое осаждение из газовой фазы). Если в-во является нелетучим, ио образует летучие термически неустойчивые соед. с к.-л. другим в-вом (транспортирующим реагентом), то М. в. проводят методом хим. транспорта. При этом источник и затравку помещают в пары транспортирующего реагента, а затравку нагревают относительно источника в результате в источнике образуется летучее соед., к-рое переносится к затравке, где разлагается с регенерацией транспортирующего реагента (см. Химические транспортные реакции). Монокристаллич. пленки (напр.. Ge) получают конденсацией мол. пучков на пов-сти затравки (метод Векшинского). [c.132]

При получении тугоплавких соед. применяют методы порошковой металлургии, реакц. спекание, химическое осаждение из газовой фазы. Нек-рые сильно экэотермичные р-ции проводят в условиях горения, напр, синтез P Oj-сжиганием Р на воздухе, SFg-сжиганием S в потоке F , нек-рые тугоплавкие. соед. получают при беспламенном горении (см. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез). [c.215]

Наиб, чистый 2г (т.наз. иодвдный Ц.) получают термич. разложением Zrl4 (см. Химическое осаждение из газовой фазы). [c.385]

Бета-дикетонаты висмута начали исследовать в 90-х годах в связи с перспективностью применения этих соединений для получения пленок ВТСП методом химического осаждения из газовой фазы. Дипивалоилметанат висмута предложено синтезировать как по реакции взаимодействия трет-бутоксида висмута с дипивалоилмета-ном, так и в результате взаимодействия безводного хлорида висмута с натриевой солью дипивалоилметана в тетрагидрофуране [245]. При этом отмечено, что летучесть и термостабильность дипивалоилметаната висмута ниже, чем у алкоксидов, и он сублимируется лишь на 15 %. [c.211]

Способ получения ВТСП в виде тонких пленок описан в [15]. Сверхпроводник системы В1—8г—Са—Си—О с критической температурой ПО К наносят методом распыления, вакуумного напыления, молекулярно-лучевой эпитаксии и химическим осаждением из газовой фазы на подложки из М 0 и 8гТ10з. Предварительно наносят пленку, содержащую В1, 8г, Са и Си и отвечающую составу сверхпроводника с критической температурой 80 К, после отжига в атмосфере гелия, содержащей кислород в количестве 7—8 %, при температуре 320 °С. Затем наносят пленку, содержащую В1, 8г, Са и Си и отвечающую составу сверхпроводника с критической температурой 110 К, и проводят отжиг в аналогичной атмосфере при температуре 835 °С. [c.240]

Тонкие пленки BI4TI3O12 на 81(100)-подложке были приготовлены химическим осаждением из газовой фазы (МО VD) при 400—750 °С в [198]. Здесь же приведены сведения о кристаллизации аморфных пленок и их вольт-амперных характеристиках. Ферроэлектрический материал, полученный из алкоксидов, содержащих щелочноземельные металлы, а также Та или Nb при соотношении 1 2 соответственно в виде пленок, химически осажденных из газовой фазы, представляет интерес при создании запоминающих устройств [199]. [c.269]

Состав недиффузионных покрытий необходимо выбирать таким образом, чтобы обеспечить совместимость материала покрытия и основы при температурах эксплуатации, а также высокую адгезию покрытия с основой. Эти покрытия наносят методами химического осаждения из газовой фазы, а также различными методами напыления (пламенного, плазменного, детонационного). В последние годы развиваются методы электронно-лучевого напыления покрытий в вакууме, а также напыление различных элементов и соединений с использованием электрических и магнитных полей (ионно-плазменное, в том числе магнетрон ное, катодное напыление, нанесение покрытий в тлеющем и высокочастотном разряде и т. д.). При достаточно высокой температуре процесса часть напыленного покрытия может превратиться в диффузионное. [c.432]

Прежде всего кремниевую пластину обезжиривают промыв кой в трихлортрифторэтане (фреон-113) или трихлорэтилене и провО дят термообработку при 200° С, затем тонкий слой поверхности пластины окисляют в окислительной среде при 1000° С методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) наносят слой нитрида кремния (51 N4) и тонкий слой поверхности 81 N4 окисляют /Л Затем фототравлением наносят соответствующий рисунок и напылением алюминия образуют подъемы (способ получения подъемов описывается ниже). Диоксид кремния (8102) и часть 81 зК4 вытравливают для получения соответствующего рисунка и осуществляют диффузию бора (В) для образования каналов . А1, [c.233]

Скорость травления зависит и от способа получения Si02 5102 полученный химическим осаждением из газовой фазы, имеет низкую плотность, и скорость его травления может достигать нескольких тысяч ангстрем в минуту, а для ЗЮз, образованного разбрызгиванием, скорость травления колеблется от 1000 до 2000 А/мин. Для исключения этих нежелательных зависимостей 5102 подвергают тепловой [c.247]

Как известно, для предварительной оценки предельных возможностей химических методов разделения можно использовать расчеты, основанные на сопоставлении констант равновесия реакции образования основного вещества и примеси. Методика таких расчетов описана в монографии Девятых и Ел лиева [1]. В принципе эта методика может быть использована для расчета коэффициента разделения как в случае гомогенных, так и гетерогенных химических реакций. Однако в случае гетерогенных реакций, в частности, реакций химического осаждения из газовой фазы, к результатам оценочных расчетов следует относиться с большой осторожностью. [c.104]

В некоторых случаях снижение содержания вредных прнмесей в веществе, получаемом химическим осаждением из газовой фазы, можно обеспечить путем химического связывания примеси с образованием соединения, которое в условиях химического осаждения остается в газовой фазе и не реагирует с получаемой конденсированной фазой. Примером может служить разработанный способ получения высокочистого стеклообразного сульфида мышьяка химическим осаждением из газовой фазы. На качество стеклообразного сульфида мышьяка отрицательно влияет влага. Даже следы ее приводят к появлению полос поглощения в ИК-об-ласти, что недопустимо. Известно, что хлористый водород образует с водой прочные комплексы. При использовании для синтеза [c.105]

Рассмотрены некоторые критерта, которыми следует руководствоваться при выборе условий получения высокочистых веществ химическим осаждением из газовой фазы. [c.268]

Сверхпроводящие покрытия наносят обычно, методами конденсации и химического осаждения из газовой фазы. Например, покрытие КЬзЗп используют при изготовлении сверхпроводящей ни-кель-молибденовой проволоки и ленты для электромагнитов. [c.106]

Тонкие пленки, которые приобрели большое значение в новых приборах и схемах, получают из газовой фазы различными способами, включая напыление, выпаривание и химическое осаждение. Когда эпитаксиальные пленки полупроводников получают химическим осаждением из газовой фазы, требуется обычный контроль чистоты полупроводникового материала при содернх аниях примесей порядка 10 —10" %. Пленки тантала [461, применяемые в качестве элементов сопротивлений или анодов для конденсаторов в интегрирующих схемах, обычно получают напылением при этом наблюдали изменения свойств пленок, когда малые количества активных газов, таких, как азот, метан или кислород, присутствовали в аргоне (в атмосфере которого проводили напыление), причем эти изменения обусловлены [c.51]

Все процессы химического осаждения можно разделить по агрегатнбму состоянию среды, из которой происходит выделение твердой фазы, на два основных типа химическое осаждение из раствора й химическое осаждение из газовой фазы. Из них наибольшее значение и распространение имеет первый тип, рассматриваемый в настоящей монографии. Второй тип, получивший применение за последние десятилетия в электронной технике, с достаточной полнотой освещен в книге II ]. [c.4]

Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. [c.2]

Сравнительные характеристики процессов физического осаждения из газовой фазы (ФОГФ PVD), процессов химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ VD) с непрерывной подачей реагентов и процессов атомно-слоевого осаждения (АСО - ALD) [c.104]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология