Фоторезиста рисунки в слое качество

Тщательное регулирование установки для экспонирования должно выполняться посредством тестовых рисунков [32]. Чтобы обеспечить воспроизводимость, энергопитание источника света должно быть тщательно отрегулировано. Для получения хорошей четкости тонких линий интенсивность излучения при экспонировании не должна отклоняться от оптимального вначения больше чем на 5—10% [65]. Следовательно, интенсивность излучения по всей поверхности подложки должна либо регулироваться непрерывно, либо проверяться периодически. Несмотря на то, что фоторезисты позволяют изменять экспозицию в широких пределах, явления дифракции, влияющие на качество фотошаблонов, вызывают необходимость поддерживать упомянутую выше точность. Передержка, например, приводит к образованию в слое фоторезиста поперечных связей на некоторых участках под защитным рельефом фоторезиста, вне зоны максимальной плотности. Расширение экспонированных участков под слой рельефа производится также и за счет диффузии рассеянного света в слое фоторезиста из-зя отражения от поверхности пленки или подложки, находящейся под ней. В результате этих явлений линии расширяются, иногда на величину до 2,5 мкм. С другой стороны, недодержка приводит к образованию более опасных дефектов, чем те, к которым приводит образование поперечных связей При проявлении изображения может быть вытравлен весь рисунок. В случае позитивных фоторезистов, наоборот, недостаточно экспоин-роваиный pH ynoiK целиком остается под вуалью нерастворенного полимера. Эти выводы также указывают на то, что продолжительность оптимальной выдержки зависит от толщины. [c.601]

Основными факторами, которые определяют качество вытравленных рисунков в тонких пленках, являются разрешение и точность рисунка в (защитном) покрытии фоторезиста, степень подрезания (подтравливания) в процессе травления и наличие проколов разрывов в полимерном защитном слое. В дальнейшем и будут рассмотрены этн вопросы. [c.614]

Нанесение фоторезистов. В том виде, в каком фоторезисты получают от поставщика, они содержат различные от партии к партии количества гелей к инородных частиц. Если эти примеси попадают в нанесенный слой фоторезиста, то они в значительной степени ухудшают качество проявленного рисунка. Поэтому в любом случае перед использованием рекомендуется фоторезисты подвергать фильтрации [84—86]. Обычно это осуществляется с помощью фильтров с очень мелкими порами, стойких к воздействию растворигелеи. Материалы такого типа имеются в промышленности. Это найлон, целлюлоза, а также тефлон с размерами пор от 14 до 0,25 мкм. Обычно во избежание засорения, операцию фильтрации проводят в две стадии. На первой стадии на установках сравнительно грубой очистки пол действием силы тяжести или рабочего давления фильтра удаляются 6o ib-шне частицы. После этого проводится тщательная фильтрация под давлением через фильтры тонкой очистки, с размерами пор или отверстий шириной около 1 мкм. Широко применяется метод, в котором фильтры тонкой очистки встраиваются в установки, с помощью которых фоторезисты наносятся на поверхность подложек. Видоизмененный метод очистки, в котором для удаления сферических частиц из фоторезистов типа KMER применен электрофорез, описан Тейлором [87]. Самый эффективный метод очистки был разработан одним из поставщиков интегральных микросхем [78]. Этот метод состоит из двух операций химической обработки — экст-ракции жидкости жидкостью с последующим центрифугированием, Тща- [c.596]

Другими возможными причинами расширения линий могут быть неудовлетворительная плоскостность подложки, плохое качество обработки ее поверхности и плохой контакт между поверхностями слоя фоторезиста и фотошаблона. Поскольку излучение от любых источников света в какой-то степени рассеивается, то в соответствии с геометрическими правилами оптики любой зазор между слоем эмульсии в поверхности фотошаблона и слоем фоторезиста приводит к расширению экспонированного участка. Степень влияния этих эффектов на качество рисунка зависит от возможностей установки рисширение линий пропорционально величине зазора между фотошаблоном и подложкой. В одном из конкретных случаев уширение линии с обоих краев составило около 6 мкм, тогда как расстояние между фотошаблоном и подложкой было преднамеренно установлено в 25 мкм 93]. При условии совершенно гладких поверхностей фотошаб- [c.601]

Дефекты в фотошаблоне и проникновение травителя. Еще одним критерием качества вытравливаемых рисунков является сложность защитного рельефа в слое фоторезиста. При отсутствии ошибок в конструкции чертежей и без учета легко обнаруживае.мых больших дефектов, трещины в вытравленном рисунке могут возникать по двум причинам. Первая — наличие микродефектов в стеклянных фотошаблонах вторая — неудовлетворительная стойкость полимерного защитного рельефа к проникновению травителя под защитный слой. Фотошаблоны на основе стеклянных фотопластин очень восприимчивы к образованию небольших дефектов как в процессе их производства, так и в процессе их эксплуатации. Такими дефектами могут быть — некачественное покрытие эмульсией, наличие проколов, царапин, частичек пыли, волокон на поверхности покрытия. На сформированном слое поли.мерного рельефа такие дефекты являются причиной, приводящей к локально.му изменению контрастности изображения. Характер дефектов, образующихся в тонкопленочном рисунке в результате дефектов уже и.меющихся в фотошаблоне, зависит еще и от типа используемого фоторезиста и от природы материала пленкн, которая подвергается травлению. Детально этот вопрос рассматривался Плаффом с сотрудника.ми [129]. Основные выводы по образованию, развитию дефектов можно сделать по данным, представленным на рис. 13 и в табл. 11. [c.620]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология