Вакансия

В 1912 г. Генри Мозли (1887-1915) обнаружил, что частота рентгеновского излучения, испускаемого элементами при бомбардировке электронным пучком, лучше коррелирует с их порядковыми номерами, чем с атомными массами. Закономерная взаимосвязь между порядковым номером элемента и частотой (или энергией) рентгеновских лучей, испускаемых элементом, определяется внутриатомным строением элементов. Как мы узнаем из гл. 8, электроны внутри атома располагаются по энергетическим уровням. Когда элемент бомбардируется мощным пучком электронов, атомные электроны, находящиеся на самых глубоких энергетических уровнях, или, иначе, электроны из самых внутренних оболочек (ближайших к ядру), могут вырываться из атомов. Когда внешние электроны переходят со своих оболочек на образовавшиеся вакансии, атомы излучают энергию в форме рентгеновских лучей. Рентгеновский спектр элемента (набор частот испускаемого рентгеновского излучения) содержит в себе информацию об электронных энергетических уровнях его атомов. В настоящий момент для нас важно то, что эта энергия зависит от заряда ядра атома. Чем больше заряд атомного ядра, тем прочнее связаны с ним самые внутренние электроны атома. Тем большая энергия требуется для выбивания из атомов этих электронов и, следовательно, тем большая энергия испускается, когда внешний электрон переходит на вакансию во внутренней электронной оболочке. Мозли установил, что частота испускаемого при этом рентгеновского излучения (ее обозначают греческой буквой ню , V) связана с порядковым номером элемента Z соотношением [c.311]

СЯ для образования ковалентных связей в кристаллической структуре кремния, у фосфора остается еще один электрон. При наложении на кристалл электрического поля этот электрон может смещаться в сторону от атома фосфора поэтому говорят, что фосфор является донором электронов в кристалле кремния. Для высвобождения донируемых электронов требуется лищь 1,05 кДж моль эта энергия превращает кристалл кремния с небольшой примесью фосфора в проводник. При введении в кристалл кремния примеси бора возникает противоположное явление. Атому бора недостает одного электрона для построения необходимого числа ковалентных связей в кристалле кремния. Поэтому на каждый атом бора в кристалле кремния приходится одна вакансия на связывающей орбитали. На эти вакантные орбитали, связанные с атомами бора, могут быть возбуждены валентные электроны кремния, что дает возможность электронам свободно перемещаться по кристаллу. Подобная проводимость осуществляется в результате того, что на вакантную орбиталь атома бора перескакивает электрон соседнего атома кремния. Вновь образовавшаяся вакансия на орбитали атома кремния тут же заполняется электроном со следующего за ним другого атома кремния. Возникает каскадный эффект, при котором электроны перескакивают от одного атома к следующему. Физики предпочитают описывать это явление как движение положительно заряженной дырки в противоположном направлении. Но независимо от того, как описывается это явление, твердо установлено, что для активации проводимости такого вещества, как кремний, требуется меньше энергии, если в кристалле содержится небольшое количество донора электронов типа фосфора либо акцептора электронов типа бора. [c.632]

Атомы элементов группы VIA, например кислорода или серы, с валентной электронной конфигурацией имеют в валентной оболочке две вакансии и, следовательно, образуют друг с другом по две двухэлектронные связи. При нормальных температуре и давлении наиболее устойчивой формой элементарного кислорода являются двухатомные молекулы, тогда как сера в этих условиях существует в виде твердого вещества, две главные аллотропные модификации которого состоят из дискретных циклов Sg (рис. 14-3). Сера имеет еще две другие аллотропные модификации, одна из которых состоит из циклов Sf,, а другая содержит спиральные цепи из атомов S. [c.602]

Электронная конфигурация иона золота(П ) Аи +. ..Ы", следовательно, на верхнем энергетическом подуровне ( у) имеются две вакансии. Переход электронов при поглощении света с подуровня е на ( у- подуровень и определяет окраску соединений Аи(1П). [c.208]

Активными центрами реакции гидрообессеривания являются анионные вакансии, на которых происходит адсорбция сераорганических соединений. Обработка сероводородом способствует лишь более мягкому восстановлению катализатора, а введение серы не изменяет активность катализатора. [c.97]

Если поверхностная энергия породообразующего минерала снижается в контакте с водой на величину До, то это соответствует росту концентрации вакансий в раз. Эта величина может несколько отличаться от той, которая характерна для низких температур, вследствие роста кТ (для типично диффузионной области в 3—4 раза) и увеличения До. Как известно, при высокой температуре межфазная энергия может значительно понижаться вследствие повышения взаимной растворимости фаз и их сближения по составу. Не исключено, что эти два фактора в известной мере компенсируют друг друга. Так или иначе в случаях, когда скорость ползучести пропорциональна коэффициенту самодиффузии, который связан с концентрацией % вакансий соотношением /) = 1)уас , параметр Р можно принять как ориентировочную оценку возможного ускорения ползучести под действием воды в соответствии с какой-либо из приведенных формул. [c.90]

Порядок присоединения я-аллильных комплексов никеля к 1,3-диенам, по-видимому, обусловлен природой образующихся промежуточных комплексов. На первый взгляд, появление анти-то-меров может быть связано с бидентатной координацией 1,3-диена в переходном состоянии. Однако практика показывает, что акты-изомер получается предпочтительнее сын-изомера даже тогда, когда металл имеет лишь одну вакансию для координации с диеном [78, 39]. [c.121]

Кристаллические и, плотные аморфные материалы обычно непригодны для создания мембран. Это обусловлено малой долей свободного объема и большим временем релаксации для процессов перераспределения вакансий и других дефектов структуры, в результате чего резко снижается растворимость газов и скорость миграции растворенного вещества. Равновесные и кинетические свойства подобных систем во многом определяются высокими значениями потенциала межатомного (межмолекулярного) взаимодействия, обычно превышающего средние значения кинетической энергии КьГ этим объясняется малая подвижность структурных элементов. Однако легкие разы типа Нг, Не, Оа, N2 с наиболее низкими значениями параметров (е,/, о, ) парного потенциала молекулярного взаимодействия могут в некоторых плотных матрицах образовывать системы с повышенной растворимостью и удовлетво рительными диффузионными характеристиками. Наиболее перспективны металлические мембраны на основе палладия для извлечения водорода, а также стекла для выделения гелия [8, 10, 19—21]. [c.114]

В работе [39] высказано предположение, что восстановление алюмо-кобальтмолибденового катализатора водородом или сероводородом приводит к образованию анионной вакансии на одном из поверхностных ионов молибдена и ОН-групп на соседних нонах молибдена он О о [c.97]

Малая плотность углеводородной жидкости указывает на присутствие большой фазовой вакансии для газа вследствие наличия в жидкости значительной концентрации низкомолекулярных жидких углеводородов. Трудно сказать, какой из видов дегазирования действует в продуктивном пласте. Эмиль Дж. Берчик предполагает, что оба процесса происходят одновременно [18], хотя на практике чаще всего рассматривается дифференциальная дегазация, приближающаяся к пластовым условиям [69, 75]. [c.23]

Было выявлено, что в каталитических реакциях глубокого окисления органических веществ в газовую фазу десорбируются, как правило, пероксидные радикалы КО , в то время как для парциального окисления углеводородов характерны радикалы К, На основании полученных данных ЭПР спектров был предложен механизм образования углеводородных радикалов при взаимодействии исходного соединения с ионом кислорода, находящимся на катионной вакансии [c.15]

В реальных кристаллах окислов всегда имеются дефекты, связанные с нарушением периодической структуры решетки. В связи с этим в кристалле Ме ,0 имеется некоторое количество анионных вакансий (отсутствуют ионы О- ). Для компенсации заряда часть катионов находится в степени окисления более низкой, чем это соответствует Ме.цО,,. Напрнмер, и кристалле У Оз с некоторым недостатком кис лорода имеется некоторое количество ионов способных отдавать электроны [1.3]. [c.6]

Суш ественным источником неоднозначности и неопределенности кинетики и механизма реакций с участием твердых тел, даже в случае монокристаллов, является фактор неоднородности, т. е. различие свойств атомов и ионов, расположенных на вершинах, ребрах и гранях кристал-пов различия свойств атомов и ионов граней с разными индексами различия, обусловленные дефектами — вакансиями, междоузельными атомами и ионами, дислокациями, ионами с аномальной валентностью, примесными центрами, растворенными в кристаллах или адсорбированными на их поверхности [14]. [c.12]

Если в избытке (по сравнению со стехиометрией) находится кислород, то в окисле появляются катионные вакансии. [c.6]

Вакансии в катионной подрешетке. . .. ка- [c.35]

Вакансии в анионной подрешетке. . .. Аа+ [c.35]

Кристалл 2п8 может рассматриваться как ковалентная каркасная структура, в которой каждый атом 2п связан с четырьмя атомами 5, а каждый атом 5 связан с четырьмя атомами 2п. Сульфид цинка обнаруживает свойства диэлектрика, хотя и не в такой мере, как алмаз. Вместе с тем его можно рассматривать как ионный кристалл, состоящий из ионов 2п" и 8" с координационным числом 4 каждый. Наконец, его можно рассматривать и как металлическую структуру (гексагональную плотноупакованную), построенную из анионов 8"", в которой половина тетраэдрических дырок (вакансий) занята ионами 7п" [c.527]

Ранее показано, что подвижность диффундирующих частиц определяется вероятностью образования вакансии в матрице и энергией активации. Экспериментально найдено, что коэффициенты диффузии водорода в металлах на несколько порядков выше, чем других двухатомных газов. Например, при 20 °С в железе Dh=1,5-10- mV и Dn = 8,8-10 2 mV . Аналогичны пропорции для палладия, никеля и других металлов. [c.116]

Вместе с тем введение в цеолит катионов РЗЭ сильно повышает их активность и селективность в данной реакции [7], причем РЗЭ-формы цеолитов вполне удовлетворительно работают без всякого декатионирования [8]. Это позволяет думать, что единственно важным с точки зрения рассматриваемой роакции льюисовским кислотным центром на цеолитах является центр I или какая-нибудь его модификация, поскольку именно катионы РЗЭ характеризуются большим числом электронных вакансий. [c.350]

Активационная теория самодиффузии в плотных кристаллических и аморфных средах исходит из положения, что в кристаллической решетке вследствие теплового движения происходит непрерывное перераспределение дефектов структуры (вакансий). Движение вакансий эквивалентно миграции частиц. Перенос массы возможен при одновременном соблюдении двух условий возникновении вакансии и достижении достаточно большой энергии колебаний частицы около положения равновесия. Если энергия колебаний велика или размеры частицы незначительны (водород, азот, углерод) возможна их миграция в междоузлиях решетки, что имеет место в металлических мембранах. В твердых растворах замешения движение частиц может происходить не только за счет вакансий, но и в результате обмена с соседними частицами. В матрицах аморфной структуры роль вакансий играют микрополости или дырки . [c.77]

Ускорение ползучести в условиях действия адсорбционноактивных сред отмечалось неоднократно. В работе [261] рассматривается один из возможных механизмов влияния снижения свободной поверхностной энергии на некоторые механические характеристики твердых тел, в том числе и на скорость ползучести. Сущность механизма заключается в том, что свободная поверхность, наряду с межзеренной, рассматривается как основной источник точечных дефектов (вакансий) в объеме поликристалла. Мощность этого источника зависит от равновесной концентрации С - изломов на поверхностных ступенях атомарной высоты. Элементарный акт образования вакансии на поверхности заключается в переходе атома твердого тела на излом атомарной ступени. Следовательно, поток вакансий с поверхности кристалла в его объем должен возрастать при уменьшении поверхностной энергии о в соответствии с выражением 1п (—с1кТ). [c.90]

Формально переход от пористых мембран к непористым соответствует приближению эквивалентного размера пор к величинам молекулярного порядка, характеризующим вакансии — [c.70]

Как мы видели, в полупроводниках для перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости требуется ср авнительно небольшая энергия. При этом в результате поглощения кванта энергии (нагревание или освещение) связь, обусловливаемая парой электронов, разрывается один из электронов переходит в зону проводимости, и в данном энергетическом состоянии валентной зоны вместо двух электр13нов остается один, т. е. образуется вакансия — так называемая П(Злолсительно заряженная дырка [c.117]

Процесс образования дефектов кристаллической решетки, конечно, эндотермический, но, как и всякое разупорядочение, сопровождается возрастанием энтропии. Поэтому в согласии с AG = Д/У — TAS при любог температуре, отличной от абсолютного пуля, в реальном кристалл должны существовать дефектные позиции пли вакансии. В области гомогенности свойства соединений переменного состава (энтальпия и энергия Гиббса образования, энтропия, электрическая проводимость и пр.) изменяются непрерывно. Например, для нитрида циркония энтальпия и энергия Гиббса образования имеют следующие значения (кДж/моль) [c.261]

Высокая электропроводность металлов обусловлена тем, что либо не все уровни валентной зоны заняты, либо две зоны — валентная и возбужденная — перекоывают одна другую и также имеют достаточное число вакансий. Так как расстояние внутри данной зоны мало, то уже при незначительной энергии поля электроны будут переходить на следующие уровни и принимать участие в переносе тока. [c.136]

Выполненные в масштабе модели показывают, что два положения (Н и вакансия) не эквивалентны, так как одна из связей направлена. .из кристалла наружу, а другая — внутрь кристалла. Первое положение является предпочтительным для К, т. е. для цепи полимера. Молекула пропена, связанная тг-связью с другим (прежде вакантным) положением и у которой группа СНд направлена наружу из твердого тела, превосходно ориентирована (рис. IV.2), и стереохимия внедре- [c.116]

Катионы способны перемещаться по катионным вакансиям, а электроны по электронным дыркам (катионам более высокой валентности) при этом п,( + /г = 1. К этому типу относятся такие соединения, как N10, РеО, СоО, СпаО и др. [c.37]

Дефекты структуры реальных кристаллов разнообразны. Прежде всего, различают точечные, линейные и поверхностные дефекты. Простейшие и в то же время важнейшие точечные дефекты это незанятые узлы решетки или вакансии и атомы, находящиеся в междуузлиях. Существование таких дефектов связано с тем, что отдельные атомы или ионы решетки имеют энергию, превышающую ее среднее значение при данной температуре. Такие атомы колеб- [c.162]

В изоляторах нет вакансий ни на одном из уровней валентной зоны, н расстояние между ней и следующей возбужденной зоной нелнко. Ширина запрещеиио11 зоны Ед области, где электроны не могут находиться в силу запрета Паули, составляет здесь несколько электропвольт. Для таких типичных изоляторов, как алмаз или оксид цинка, она равна, соответственно, 5,6 и 3,2 эВ. При наложении ноля электроны не могут обеспечить прохождение тока, поскольку все уровни валентной зоны целиком заполнены, а энергия, необходимая для перевода их на следующую зону, значительно больше обычных энергий поля. [c.136]

При ябОгз< > преобладает поток вакансий в объеме зерна в обратном случае преобладает диффузия по границам зерен. Ползучесть по Вертману (неконсервативное движение [c.89]

Атомы элементов группы VA с валентной электронной конфигурацией имеют в валентной оболочке три вакансии и поэтому должны обра- [c.602]

Частота перескока <т> пропорциональна произведению вероятностей двух одновременных событий появления вакансии (Л1бхр [—е / Б Л) и достижения частицей энергии, достаточной для перехода в новое положение равновесия ( Л2ехр[—Ег/ [c.77]

НИЯ определена вполне жестко, а из этого вытекает и образование стереорегулярного полимера. Как было показано выше, во время внедрения алкильная цепь и вакансия обмениваются местами образование изотактической цепи требует дополнительного постулата, что эта цепь возвращается в свое исходное более стабильное положение до того, как произойдет новое внедрение. Если это требование не вы- [c.117]

Эти вакансии могут перемещаться в решетке, а их существование обусловливает перемещение как катионов, так и анионов, при этом + а = 1 и к = а- К ЭТОМу ТИПу ОТНОСЯТСЯ ТЭКИб соединения как Na l, K l и др. [c.36]

Перемещение анионов осуществляется по анионным вакансиям, а электронов —в междоузлиях, при этом п п — . К этому типу относятся такие соединения, как а = РеаОд, ТЮа и др. [c.37]

Краткий курс физической химии (1979) -- [ c.190 , c.192 ]

Физическая химия (1978) -- [ c.590 ]

Кристаллохимия (1971) -- [ c.255 ]

Выращивание кристаллов из растворов Изд.2 (1983) -- [ c.5 ]

Физическая механика реальных кристаллов (1981) -- [ c.174 ]

Общая химия (1964) -- [ c.404 ]

Явления переноса в водных растворах (1976) -- [ c.21 , c.39 , c.108 , c.328 , c.527 ]

Физико-химическая кристаллография (1972) -- [ c.218 ]

Очерки кристаллохимии (1974) -- [ c.264 , c.265 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология