Захват электрона диссоциативный радиационный

Радиационно-химическое восстановление UFq. Гексафторид урана обладает низкой радиационной стойкостью благодаря высокой электроотрицательности, низкому порогу и большому сечению процесса диссоциативного прилипания электрона е + UPe UP5 + P . В сочетании с высокой технологической надёжностью и дешевизной ускорителей электронов это может служить основой промышленного метода конверсии UPg в UF4 и в металлический уран. В настоящее время имеются экономически обоснованные проекты использования ускорителей электронов для обеззараживания зёрна и даже газификации твёрдых топлив. На пути промышленной реализации этого метода имеется ряд серьёзных проблем сравнительно высокая энергетическая цена радиационно-химической конверсии ограничения по плотности электронного тока, что ограничивает удельную производительность установки высокие значения сечения захвата электрона и, соответственно, малая глубина проникновения электрона внутрь газообразного вещества, что при технически приемлемых концентрациях UPe даже при небольших электронных токах приводит к заметному перегреву. [c.189]

Согласно гипотезе, выдвинутой в работе [105], радиационная ползучесть и радиационное разрушение нагруженного полимера обусловлены специфическим взаимодействием свободных зарядов (электронов проводимости или дырок) с напряженными химическими связями. Предполагается, что в основе эффекта лежит диссоциативный захват свободного заряда напряженной химической связью. Установлено, что скорость разрыва напряженных связей пропорциональна концентрации свободных зарядов, и это подтверждает предложенное объяснение эффекта. [c.33]

Наряду с образованием отрицательных ионов в результате диссоциации лолекулы при взаимодействии ее с электроном (диссоциативный захват электрона), наблюдаются также случаи захвата электрона молекулой без ее распада. Так, Бионди [494.1 наблюдал образование отрицательных молекулярных ионов кислорода при захвате молекулами О2 тепловых электронов. Из сопоставления измеренного сечения о = 1,2 10" j Р = 2-10" ) с вычисленным для процесса радиационного захвата электрона [1209] следует, что О,, образуется по схеме [c.373]