Сечение захвата электронов

Существуют две основные теории ингибирования горения—радикальная и ионная. Первая теория свободных радикалов основана на изъятии из зоны реакции активных центров (атомов и радикалов), ответственных за развитие процесса горения, связыванием их с молекулами галоидоуглеводородов (или с образованными из них радикалами). Вторая теория основана на том, что процесс горения включает стадию захвата электронов кислородом. с образованием иона Ог. Поскольку атомы брома,. легко отрывающиеся от молекулы галоидо-углеводорода, имеют гораздо большее сечение захвата электронов, чем кислород, бром тормозит процесс горения, захватывая электроны, необходимые для активации кислорода. [c.89]

При рассмотрении хемосорбции на регулярных атомах поверхности электронная теория хемосорбции обычно предполагает, что хемосорбированные частицы не изменяют спектр поверхностных состояний неадсорбционного происхождения [1], характеризуемых положением уровней в зоне Et и сечениями захвата электронов (С ) и дырок (Ср). При адсорбции непосредственно на дефекте теория [1] показывает, что может либо совсем исчезнуть локальный уровень дефекта, либо может измениться величина Et. Однако такой путь не единственный. Даже при отсутствии взаимодействия непосредственно с дефектом кулоновские поля адсорбируемых молекул могут существенно изменить величины и Et дефекта [27, 28], [c.96]

Поперечные сечения захвата, а отсюда и константу скорости можно определить из экспериментов по измерению фотопроводимости. Эти измерения показали, что поперечное сечение захвата электронов резко снижается с ростом температуры, а сечение захвата дырок не зависит от температуры. [c.125]

Максимальное сечение захвата электрона молекулой SFe составляет 10 [c.417]

Кроме того, следует учесть, что, помимо центров свечения, в кристаллической решетке люминофора может быть небольшое число дефектов, которые даже после захвата дырки обладают весьма малым сечением захвата электрона, вследствие чего рекомбинация электронов с локализованными на этих центрах дырками происходит медленно. [c.63]

Радиационно-химическое восстановление UFq. Гексафторид урана обладает низкой радиационной стойкостью благодаря высокой электроотрицательности, низкому порогу и большому сечению процесса диссоциативного прилипания электрона е + UPe UP5 + P . В сочетании с высокой технологической надёжностью и дешевизной ускорителей электронов это может служить основой промышленного метода конверсии UPg в UF4 и в металлический уран. В настоящее время имеются экономически обоснованные проекты использования ускорителей электронов для обеззараживания зёрна и даже газификации твёрдых топлив. На пути промышленной реализации этого метода имеется ряд серьёзных проблем сравнительно высокая энергетическая цена радиационно-химической конверсии ограничения по плотности электронного тока, что ограничивает удельную производительность установки высокие значения сечения захвата электрона и, соответственно, малая глубина проникновения электрона внутрь газообразного вещества, что при технически приемлемых концентрациях UPe даже при небольших электронных токах приводит к заметному перегреву. [c.189]

В реальных окислах преобладающим типом дефектности являются дефекты нестехиометрии анионные, катионные вакансии и атомы в междоузлиях. В ионных кристаллах, к которым относится большинство окислов металлов, очень часто преобладающая роль в процессах рекомбинации принадлежит F-или К)-центрам [17, 18], т. е. нейтральным анионным и катионным вакансиям, обладающим свойствами соответственно доноров и акцепторов электронов. Будем считать, что сечение захвата электрона нейтральной катионной вакансией (акцептором электронов) 5 больше сечения захвата дырки этим же центром, а сечение захвата дырки нейтральной анионной вакансией (донором электронов) 5р больше сечения захвата электрона 8п этим же центром [17]. Примем также, что 15р = 15 . Тогда, учитывая соотношения (7) и (8), можем записать [c.39]

Вторичные электроны, обладающие большой энергией, быстро расходуют избыток энергии на различные процессы. С другой стороны, в большинстве систем не возникает процессов с достаточно большим сечением захвата электронов до того, как они превратятся в тепловые. [c.15]

Оценим вероятность радиационного захвата электронов с энергией 1 эв. Такой электрон имеет скорость 6-10 см-сек и будет находиться в поле атома (размером порядка 10 см) около 10" сек. Коэффициент спонтанного излучения имеет величину порядка 10. Таким образом, вероятность излучения за это время составит около 10" Следовательно, лишь одно из 10 соударений электрона с атомами приведет к его захвату и образованию отрицательного иона. Такой расчет показывает, что вероятность радиационного захвата относительно невелика. На рис. 17 приведен график зависимости эффективного сечения захвата электрона атомом водорода от энергии электрона (по расчетным данным). [c.51]

По расчетным данным [36], эффективное сечение захвата электронов протонами имеет величину порядка 10 см при энергии электронов 0,01—0,3 эв. Эта величина зависит от энергетического уровня, на который захватывается электрон, и уменьшается с увеличением главного квантового числа этого уровня. [c.72]

Вероятность захвата возрастает с уменьшением энергии электронов. Так, при уменьшении энергии электронов в 10 раз эффективное сечение радиационного захвата увеличивается примерно в 8 раз (при захвате на основной уровень, п = 1). Таким образом, для низших состояний эффективное сечение захвата электрона приблизительно обратно пропорционально энергии электронов. [c.72]

При рассмотрении хемосорбции на регулярных атомах поверхности электронная теория хемосорбции обычно предполагает, что хемосорбированпые частицы не изменяют спектр поверхностных состояний неадсорбционного происхождения [1], характеризуемых положением уровней в зоне Е( и сечениями захвата электронов (Сп) и дырок (Ср). При адсорбции непосредственно на дефекте теория [1] показывает, что может либо совсем исчезнуть локальный уровень дефекта, либо может измениться величина Е . Однако такой путь не единственный. Даже при отсутствии взаимодействия непосредственно с дефектом кулоновские поля адсорбируемых молекул могут существенно изменить величины Ср/Сп и дефекта [27, 28], превратив его в центр захвата. Такие поля могут быть созданы диполями, возникающими при нейтральной форме хемосорбции, а в некоторых случаях вызываться даже физической адсорбцией, когда адсорбируемые молекулы обладают большим дипольным моментом и большой поляризуемостью, а решетка — высокой диэлектрической проницаемостью е. [c.96]

Относительные сечения захвата электрона ароматическими углеводородами в растворе 2-метилтетрагидрофурана при 77° К [c.46]

Предположение об одинаковых сечениях захвата электронов нейтральными атомами и отрицательно заряженными ионами едва ли можно признать обоснованным. — Прим. ред. [c.316]

Металлический галлий и сплав состава 35—55% Bi, 15—40% РЬ, 17—18% Sn II 3—10% Ga применяют в качестве теплоносителей в ядерных реакторах. Галлий заменил в этой области натрий благодаря большему сечению захвата электронов, равному 2,71 бар (па 0,45 бар выше, чем у натрия). [c.324]

Энергия электрона, при которой наблюдается резонансное увеличение сечения захвата, для разных веществ различна. Например, у соединений, легко диссоциирующих и имеющих большое сродство к электрону, сечение захвата электрона максимально при практически нулевой энергии электрона. Если же энергия диссоциации велика, а сродство к электрону мало, сечение [c.116]

Очевидно, отсюда не следует, что зависимость сечения захвата электронов от их энергии не влияет на характеристики детектирования. Например, когда возможен захват лишь электронов больших энергий, не до- [c.137]

Христофору и др. [54—59] применяли метод электронного облака в сочетании с методом электронного пучка для получения информации о захвате электронов многоатомными молекулами. Исследователи отмечали, что в области низких энергий электронов ( 0,5 эв) метод роя дает значения сечений захвата электронов, близко совпадающие со значениями, которые получаются при измерениях сечений методом электронного пучка. В то же время область энергии - 0,5 эв и ниже — наиболее сложная область для экспериментов, использующих пучок электронов определенной энергии, так что два метода в этой области энергий электронов дополняют друг друга. [c.18]

По-видимому, в данном случае имеет место влияние алкильного радикала на степень сопряжения электронов неподеленной пары атома серы и я-электропов кольца, что, в свою очередь, изменяет и сечение захвата электрона, и направления диссоциации молекулярного иона (табл. 31, 32). [c.106]

Показано, что в ЩГК подавляющее большинство носителей заряда термализуются в генетических парах (>90%). Для кристалла КС1 определена энергия активации разделения генетических пар = 0,06 эВ при j < 300 А/см , которая снижается при увеличении плотности возбуждения, а также температтоная зависимость эффективного сечения e-Vt рекомбинации 5= 5,77-10 см . Для кристаллов sl и sBr определены энергии активации разделения генетических пар = 0,07 зВ и = 0,1 эВ соответственно, и температурные зависимости эффективных сечений e-Vt рекомбинаций S= 1,М0 Г см и S = 4,37-10 Г см соответственно. Для кристалла sl-Tl определено эффективное сечение захвата электрона на TI -центр при300К5=7-10- Чм . [c.77]

Имеется целый ряд публикаций по применению метода нелинейных оценок в других областях физической химии. Например, в работах [89—91] этим методом изучали различные свойства полимерных материалов, в [92—94] находили константы образования и устойчивости комплексов различных металлов. Метод нелинейных оценок применяют для расшифровки спектров ЭПР [95—97], ЯМР [98], масс-спектров [99], колебательных спектров [100], и других целей [101—103]. Метод начали применять также и при изучении физической кинетики. Так, в работе [104] он был исноль-зован для определения сечений захвата электронов. [c.99]

Более полные сведения о механизме хемосорбции удается получить в случае реальных поверхностей 81 и Ое, плотность ПС на которых на несколько порядков ниже, чем в случае атомарно-чистых поверхностей. Благодаря этому становится возможным исследовать энергетический спектр ПС, по крайней мере в области середины запрещенной зоны полупроводника. Реальной принято называть поверхность полупроводника, покрытую тонкой (1—2 нм) диэлектрической оксидной пленкой (ЗЮг, ОеОд), образовавшейся в результате травления, промываний и выдерживания кристалла на воздухе. На границе раздела диэлектрическая пленка—полупроводник (ДП) присутствуют две группы ПС быстрые ПС (БПС), находящиеся в хорошем электрическом контакте с разрешенными зонами полупроводника (сечения захвата электронов и дырок с , [c.54]

Поглощение ионизирующего излучения приводит к образованию возбужденных и ионизированных молекул циклогексана и электронов. Экспериментальные результаты и теоретические расчеты показывают, что в жидком и твердом циклогексане большинство таких электронов, обладающих средними энергиями, будет термализовать-ся в кулоновском поле первичного иона. В чистом ж идком или твердом циклогексане в отсутствие веществ с высоким сечением захвата электрона основная часть этих электронов будет рекомбинировать со своими первичными ионами. В результате образуются высоковозбужденные молекулы циклогексана. Однако энергия некоторых электронов достаточна, чтобы покинуть поле первичного иона. Число таких разделенных ионных пар было определено с помощью электропроводности жидких углеводородов, измеряемой во время облуче-ния. Аллен и Хьюммел [2] нашли его равным 0,09 разделенных ионов на 100 эв рентгеновского излучения (1,5 Мэе), поглощенного в жидком н-гексане. Фримен [55], атакже Фримен и Фаяд [56] измерили электропроводности ряда жидкостей при у-облучении. Они определили, что в циклогексане около 0,1 электронов на 100 эв поглощенной энергии покидают свою первичную шпору. Маги [84] рассчитал выход разделенных зарядов при облучении быстрыми заряженными частицами (0,1). На основании химических данных Вильямс [126] установил, что выход свободных ионов в жидком циклогексане составляет 0,08 (разд. 4.5.2). Следовательно, вполне обоснованно можно заключить, что в чистом жидком и твердом циклогексане [c.164]

Хорнер и Своллоу [70] изучали радиолиз растворов хлористого водорода в циклогексане. Результаты очень сходны с полученными для растворов иодистого водорода и могут быть объяснены с помощью аналогичного механизма. Однако Хорнер и Своллоу считают, что вклад такого механизма невелик. - Их заключение основывается на расчетной величине выхода ( 4,5-10 ) процесса захвата электронов в растворах, содержащих около 0,1 моль растворенного вещества. Это очень малая величина по сравнению с наблюдаемыми химическими эффектами и не может быть использована для объяснения их. Однако в этом расчете много неясного. Например, величина поперечного сечения захвата электрона взята из экспериментов в газовой фазе. Кроме того, предполагалось, что электрон соударяется с молекулами около 50 раз в таком интервале энергий, в котором электроны могут быть захвачены. В действительности, настоящий интервал энергий, в котором захват электрона может иметь место в растворах хлористого водорода в циклогексане, неизвестен, так [c.200]

Иаксимальиая эффективность STOI O процесса отвечает энергии 1,9 эв сечение процесса составляет приблизительно 10 см и иа 2 порядка превышает сечение захвата электрона без диссоциации [81]. [c.136]

Вторичные электроны, обладающие большой энергией, быстро расходуют избыток энергии на различные процессы. С другой стороны, в большинстве систем яе возникает процессов с достаточно большим сечением захвата электронов до того, как они превратятся и тепловые. Поэтому можно ожидать, что в облучаемых системах имеется большое число тепловых электронов, энергия которых порядка НТ 0,6 ккал1моль 0,025 эв при 300°К. Эти тепловые электроны эффективно захватываются положительными ионами, а также атомами и молекулами, обладающими достаточным сродством к электрону. [c.17]

Возможно, что в равновесии находятся только уровни но не О . Этого следует ожидать, если поверхностная концентрация Л 1 свободных уровней 0 превышает концентрацию физически адсорбированных атомов, N2. Рассмотрим простую модель, в которой свободные уровни О соответствуют физически адсорбированным атомам, а свободные уровни — хемосорбированным ионам 0 . Пусть сечения захвата электронов обоими типами кислорода одинаковы. Тогда отношение скоростей заполнения уровней и О" будет равно N /N2 и, как бы медленно ни протекала хемоеорбция, скорость перехода электронов между ионами и объемом будет превышать скорость хемосорбции в N /N2 раз. Следовательно, число ионов несмотря на хемосорбцию, будет равновесным, а образование ионов О" по существу прекратится . [c.316]

Из-за отсутствия к настоящему времени данных по энергии и вероятности возбуждения, а также и но сечению захвата электронов для отдельных изотопических разновидностей молекул кинетические изотопные эффекты каждой из стадий 1—3 вычислены по уравнениям Бигеляйзена [28], выведенным из теории активного комплекса и соотношений статистической механики для термических реакций между нормальными (невозбужден-иымн) атомами и молекулами. [c.73]

Поперечного сечения захвата электронов, являющегося характеристикой молекулярных разновидностей при определенной энергии электронов. Параллельно с ЭЗИД в качестве количественного детектора обычно используются детекторы фотоионизационный [50] или поперечного сечения [47]. [c.19]

В методе облака электроны дрейфуют под действием электрического поля в газовой среде, испытывая многократные столкновения с молекулами исследуемого вещества и молекулами газа-наполнителя. Энергия электронов имеет значительный разброс, характеризуемый функцией / (е, Е1Р), где е — энергия электрона Е Р — отношение напряженности электрического поля к давлению. По величине определяемой скорости дрейфа в направлении поля при определенном Р и по величине коэффициента диффузии облака электронов в принципе можно определить сечение захвата электронов молекулами, 5ШшиДд5сертр таа и ревтрльтатов экспе- [c.17]

Несмотря на очевидные достоинства масс-спектрометрии при изучении образования отрицательных ионов (возможность анализа по массовым числам ионов, отсутствие фона потенциального рассеяния), во многих случаях имеют явное преимущество другие методы. Например, абсолютные значения сечений захвата электронов молекулами с образованием отрицательных ионов были получены для большого числа молекул с использованием трубки полной ионизации (Бучельникова [60], Шульц [27, 28, 40]), в то же время при масс-спектрометрическом исследовании значения сечений образования ионов могут быть получены только методом сравнения на выходе масс-спектрометра ионных токов исследуемого вещества и вещества-репера с известным сечением образования ионов. [c.18]

В акриловом альдегиде и винилметилкетоне, где карбонильная группа сопряжена с С=С-связью, диссоциативный захват электронов наблюдается в области энергии электронов —3,5—10 эв и представлен четырьмя резонансными пиками выхода ионов. Вместе с кислородсодержащими ионами (0 , ОН , ОС2Н , ООН ) наблюдаются ионы СгН", СзЩ, СзЩ По сравнению с бутадиеном и пипериленом абсолютные сечения захвата электронов с образованием отрицательных ионов в рассматриваемых соединениях выше в 5—10 раз. Это относится не только к эффективному выходу ионов, содержащих в своей структуре атом кислорода, но и к углеводородным ионам. Например, при одинаковом токе электронов и одинаковом давлении вещества ток ионов 2H из винил-метилкетона в 4 раза больше тока из пиперилена, для ионов с та/е 27 ( 2HJ) аналогичное соотношение равно 10. Вообще, введение в молекулу полнена или ароматического соединения электроотрицательных групп (или атомов) — СО, СООСН3, NO2, F, С1, Вг — вызывает повышение эффективного выхода отрицательных ионов, по-видимому, вследствие увеличения времени жизни молекулярного иона относительно автоотщепления электрона, [c.79]