Борна импульсное

ФТИ можно найти аналитически или численно. Р. Фавро и др. получили выражение ФТИ для импульсного ТК в следующем виде, используя приближение Борна первого порядка, т.е. пренебрегая многократными отражениями импульсных тепловых волн в пространстве между поверхностями изделия и дефекта [43] [c.130]

В случае флуоресценции заселенность возбужденного уровня всегда очень мала, даже при импульсном возбуждении. В случае фосфоресценции заселенность в стационарном состоянии может быть значительной, достигая иногда свыше 90% начальной концентрации (около 10 М) молекул в их нормальном состоянии. Это имеет место в случае фотохромных стекол на основе борной кислоты и пластиков, упомянутых ранее. [c.90]

Действие всех устройств такого рода основано на том, что в каждый полупериод, когда напряжение на зажимах электродов дуги (борнах) больше потенциала зажигания ), дуговой промежуток пробивается высокочастотным импульсом высокого напряжения, но малой мощности. Этот импульс создает токопроводящий канал ионизованного газа, вдоль которого развивается дуговой разряд. Последний длится до тех нор, пока потенциал на борнах не упадет ниже потенциала гашения, после чего дуга гаснет до следующего полупериода, когда весь процесс повторяется снова. Разумеется, можно построить схему так, что ноджигающи импульс будет поступать не каждый полупериод, а через один, в этом случае мы получим униполярную импульсную дугу. Можно сделать еще более редкое следование импульсов, что, например, может быть важно при анализе легкоплавких изделий, когда нельзя допустить излишнего нагрева электрода. [c.38]

При определенных условиях, особенно в твердых стеклах, заселенность низшего триплетного уровня становится достаточно большой, чтобы можно было наблюдать новый характерный спектр поглощения. Впервые он был получен для флуоресцеина в борной кислоте Льюисом, Липкином и Медже-лом [128], и с тех пор наблюдался для самых различных молекул не только в твердой среде, но также (с использованием метода импульсного фотолиза) в жидких растворах [167] и газовой фазе [169]. Поглощение появляется вследствие переходов на более высокие уровни (Тг —Т1 и Тз — см. рис. 3). Так как при этом мультиплетность не изменяется, то переходы полностью разрешены. Действительно, во многих случаях, Т — Т-полосы имеют более высокие коэффициенты поглощения, чем у соответствующего 5 — 5-поглощения [168]. Триплетное поглощение имеет существенное значение, так как оно позволяет исследовать триплетное состояние и сопутствующие ему интеркомбинационную конверсию и перенос энергии даже в тех системах, где фосфоресценция сильно потушена и поэтому слишком слаба для наблюдения. [c.74]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология