Радия следы, заряд ионов в растворе

Как показали И. Кольтгоф [11] и В. Г. Хлопин с сотрудниками [12], последнее условие действительно выполняется даже при наличии значительного заряда поверхности. В частности, была изучена адсорбция радия на изоморфных кристаллах сульфата свинца при различных зарядах поверхности. Изменение электрического заряда поверхности достигалось тем, что в растворе создавался избыток ионов 804 или РЬ ", по сравнению со стехиометрическим соотношением, путем прибавления серной кислоты или солей свинца с неизоморфным анионом. Оказалось, что первичная адсорбция не зависит заметным образом от заряда поверхности. Из этого следует, что основным процессом в данном случае является кинетический обмен между ионами раствора и поверхностного (мономолекулярного) слоя кристаллов. [c.109]

При окончательных опытах по определению зависимости адсорбции от заряда поверхности авторы [ ] после добавления избытка 304 " или РЬ" ионов к насыщенному раствору РЬ304 механически взбалтывали пробу в течение 30 мин. до прибавления радия. Следует отметить, что при определении поверхности ошибка может быть обусловлена не только дополнительным выпадением твердой фазы, но и перекристаллизацией осадка. В качестве примера можно привести перекристаллизацию 0.06 г РЬ304 в 0.01 н. азотной кислоте, которая завершается в 30 мин. [c.330]

Если образуются только одноядерные комплексы, то для малорастворимого электролита KtAn, (Ап — однозарядные ионы) катион в растворе существует в виде следующих частиц (заряды ради простоты опущены) [c.123]

В случае гриммовских смешанных кристаллов нового рода нельзя представить себе замещения ион за ион, так как их компоненты составлены из ионов с различным зарядом. В кристаллической решетке ВаЗО нельзя на место любого иона Ва" поставить ион К или на место любого иона 50" ион МпО. Кристаллическая решетка при этом оказалась бы нарушенной, так как компенсация электрических зарядов в пределах данного участка решетки уже не имела бы места. Смешанные кристаллы нового рода отличаются от истинных смешанных кристаллов прежде всего по формальному признаку. В истинных смешанных кристаллах, составленных из ионов АВ и А В, соотношение А В и А В может быть любым, а в смешанных кристаллах нового рода оно всегда должно быть равно стехиометрическому соотношению. Гримм первоначально предполагал, что в смешанных кристаллах нового рода происходит замещение молекулы за молекулу , т. е. на соседних узлах кристаллической решетки ионы Ва" и 50 , одновременно замещаются ионами К и МпО . Возможность подобного замещения с точки зрения стабильности решетки никем до сих пор теоретически доказана не была. Экспериментальные данные Хлопина к Никитина [ ] показывают, однако, что замещение здесь происходит более сложным путем. При кристаллизации КМпО из растворов, содержащих большие количества ионов 50 и лишь следы аналога бария-радия, им не удалось получить смешанных кристаллов нового рода. Вероятность одновременного замещения ионами Ка" и 50 и здесь была весьма велика. Они делают вывод, что смешанные кристаллы нового рода составлены из отдельных участков кристаллических решеток обоих компонентов по типу мозаичных или слоистых кристаллов. Эти участки должны быть, однако, весьма малы, так как по рентгенограммам смешанных кристаллов нового рода Вагнер их не обнаружил. Возможность таких субмикроскопических прорастаний обусловливается однотипностью кристаллической структуры у обоих компонентов и сходством межионных расстояний по любому направлению. [c.95]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология