Компенсация электрическая

В приведенных выше примерах определяли только мощность мешалки. Для компенсации электрических и механических потерь, существующих в любой системе с перемешиванием, требуется дополнительная мощность. [c.38]

Прибор работает по методу электрической компенсации. Электрическая схема прибора состоит из узлов стабилизатора тока, источников света, фотоприемников (фотоэлементы Ф-17 и Ф-5), усилителя постоянного тока с миллиамперметром на выходе (служит индикатором нуля) и отсчетного устройства. [c.236]

Рабочим органом приборов служат два коаксиально расположенных цилиндра, между которыми в зазоре находится анализируемая жидкость. При вращении с постоянной скоростью внешнего цилиндра на внутреннем возникает вращающий момент, пропорциональный динамической вязкости исследуемой жидкости. С внутреннего цилиндра снимается усилие, которое передается на унифицированный преобразователь и замеряется методом силовой компенсации —электрической в приборе типа ВР-Э и пневматической в приборе типа ВР-П. В табл. 3-2 приведены основные технические данные рассмотренных вискозиметров. [c.142]

Испытание машин на нагревание. Испытания на нагрев при приемосдаточных испытаниях производятся для определения превышения температуры (перегрева) обмоток, коллектора и подшипников над температурой охлаждающего воздуха при номинальном режиме работы. Испытания тяговых электрических машин под нагрузкой проводят методом взаимной нагрузки (возвратной работы). При этом методе две однотипные машины соединяют электрически и механически, одна машина работает в режиме генератора, а другая — двигателя (рис. 57). Для покрытия потерь обеих машин служат два генератора вольтодобавочная машина ВДМ для компенсации электрических потерь, линейный генератор ЛГ— механических, магнитных и добавочных потерь. Докажем, что вольтодобавочная машина покрывает электрические потери. [c.64]

Для принятого выше условия компенсации электрических потерь печи в период расплавления энергией экзотермических реакций мощности трансформатора (в ква) определяется как [c.216]

Если же число свободных носителей в чистом кристалле невелико, то при взаимодействии носителей, введенных примесью с точечными дефектами, выделяется энергия, которая может скомпенсировать энергию, затрачиваемую на образование точечных дефектов. Иными словами, если энергия образования дефектов, мала по сравнению с их энергией ионизации, то все свободные носители, создаваемые примесью, будут компенсироваться в результате образования ионизированных дефектов, и кристалл при всех равновесных условиях будет изолятором. Поэтому эффект компенсации электрически активных примесей ионизированными точечными дефектами должен проявляться в полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны, в которых число свободных носителей мало, даже при высоких температурах, при которых примесь вводится в кристалл. [c.217]

Для измерений ЭДС гальванических элементов применяют так называемую компенсационную методику, или методику Поггендорфа. Измерение ЭДС в отсутствие тока осуществляется путем наложения на электроды внешнего напряжения, равного по величине и обратного по направлению измеряемой ЭДС. При выполнении этого условия в гальваническом элементе устанавливается электрическое равновесие, называемое компенсацией электрических напряжений в контуре. [c.47]

Одним из эффективных методов изучения термических свойств материалов стал метод дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК). В соответствии с принципом ДСК предусматривается автоматическая электрическая компенсация при изменении тепловой энергии в пробах, вследствие чего температура проб будет поддерживаться регулятором на одном и том же уровне при фазовых переходах вещества. Необходимая для компенсации электрическая энергия будет фиксироваться на оси ординат. Таким образом, экзо- и эндотермические пики будут регистрироваться и единицах энергии. Полученные кривые представляют собой зависимость теплового потока dUiut от температуры. Так же как и в ДТА, при ДСК площадь пика характеризует теплоту реакции. Исследуемый образец при ДСК находится в изотермических условиях по отношению к инертному материалу. При этом количество теплоты, необходимой для поддержания изотермичееких условий, фиксируется как функция времени или [c.35]

Если в правильно разомкнутой электрохимической цепи (см. рис. VI.2,а) на всех трех фазовых границах М1—Мг, Мг—раствор и раствор — М] имеет место электронное равновесие, определяемое равенством электрохимических потенциалов электрона в этих фазах, то на первый взгляд кажется непонятным, за счет чего возникает ЭДС цепи, равная разности в двух частях одного и того же металла Мь Анализ этой проблемы показывает, что электрохимические потенциалы электрона в двух областях одного и того же раствора вблизи металла М1 и вблизи металла М2 — не одинаковы. В самом деле, выше было показано, что равновесная концентрация электронов в абсолютно чистой воде у поверхности медного электрода равна 9,36моль/л. Аналогичный расчет показывает, что в абсолютно чистой воде у поверхности цинкового электрода [е ] =2,31 10 моль/л. Следовательно, в воде между двумя электродами имеет место градиент концентрации гидратированных электронов. Как следует из уравнения (IV.34), градиент концентрации сольватированных электронов возникает в любом растворе, если только не равны друг другу электродные потенциалы двух металлов. Поэтому, строго говоря, разомкнутая электрохимическая цепь, ЭДС которой не равна нулю, не является равновесной даже при наличии равновесия на всех ее фазовых границах. Чтобы строго определить равновесную электрохимическую цепь, кроме условия электрохимического равновесия на каждой фазовой границе дополнительно указывают, что ЭДС цепи скомпенсирована разностью потенциалов от внешнего источника тока (см. с. 116). При подключении этой внешней разности потенциалов происходит компенсация электрическим полем градиента химического потенциала электронов в электролите, так что и в растворе при этом Ар,1,=0. Отсюда следует, что ЭДС электрохимической цепи можно представить как разность величин вблизи двух электродов и ввести определение отдельного электродного потенциала как реальной свободной энергии сольватации электрона (выраженной в эВ) при электронном равновесии электрода с раствором. [c.138]

В настоящее время используются бесконтактные и контактные датчики. За основу разработанного авторами датчика взята конструкция выпускаемого промышленностью датчика ДП. Точность измерения диэлектрической проницаемости повышена вследствие компенсации электрической емкости соединительных проводов специальным устройством (рис. 101). Перемешивание продукта производится мешалкой от микродвигателя. Мешалка выполнена из нержавеющей стали, а привод двигателя осуществляется от батареи 3336Л. Частота вращения мешалки 680 об/мин. Датчик [c.308]

Первый является неполярным, несмотря на наличие снльж полярных групп С—F, поскольку эти группы расположены сим метрнчно. Полярность второго и третьего полимеров выше, rai как электронная плотность смещена к группе С—С1, приче ввиду меньшей компенсации электрических полей поливинил хлорид является более полярным полимером. [c.18]

Рассмотрение моделей кристаллов разного размера и соответствующие расчеты показывают, что частицы металла, на которых происходит прочная адсорбция азота, сопровождающаяся появлением активной в ИК-снектре полосы, имеют на поверхности наибольшее число так называемых В- цен-тров, т. е. центров, будучи адсорбированным на которых атом металла имел бы контакт с пятью соседними атомами металла. Это в свою очередь позволяет прийти к выводу о том, что, несмотря на относительно высокую теплоту адсорбции и отсутствие подвижности, молекулы азота не образуют с атомами металла химической связи, а удерживаются на поверхности дисперсионными силами и сильным электрическим полем Вд-центров, которое возникает в результате неполной компенсации электрических полей ядер и электронов атомов металла этих центров и поляризует адсорбированные молекулы (рис. 2). Дисперсионное взаимодействие молекул азота с В 5-центрами должно быть более сильным, чем с плоской поверхностью кристалла, так как адсорбированная молекула взаимодействует в этом случае с большим числом атомов металла. Хардевелд и Монтфорт [11] считают, что высокую интенсивность и значительное смещение полосы поглощения физически адсорбированных молекул относительно частоты колебания свободной молекулы азота можно объяснить сильной поляризацией адсорбированных молекул электрическим полем Вд-центров. [c.118]

В настоящее время используются безконтактные и контактные датчики. За основу разработанного авторами датчика взята конструкция выпускаемого промыпшенностью датчика ДП. Точность измерения диэлектрической проницаемости повышена вследствие компенсации электрической емкости соединительных проводов специальным устройством (см. рис. 3.8). Перемешивание продукта производится мешалкой от микродвигателя. Мешалка выполнена из [c.90]

Найденные значения Д5 находятся в пределах от —-10 до - -10. кал/(моль-К) (ср. табл. 3.3). Низкие значения AS могут свидетельствовать о том, что образование последовательно образующихся комплексов сопровождаетоя стерическими эффектами, либо о том, что ироисходит. комплексообразование с Л игандам.и, обладающими неудобно расположенными или объемистыми заместителями. Образование ионных пар также характеризуется небольшим изм.енением AS , так как этот процесс приводит лишь к частичной компенсации электрических зарядов и неполной замене сольватных сфер. [c.142]

Диффузия противоионов ограничена условием электронейтральности компенсация электрического заряда фиксированных ионов при переходе ионов А из ионита в раствор осуществляется заменой этих ионов в ионите эквивалентным количеством ионов В из раствора. Таким образом, потоки ионов взаимозависимы. Взаимозависимость потоков противоионов происходит за счет корректирующего действия автоматически изменяющегося электрического поля в ионите (диффузионный потенциал). Специальные примеры будут подробно рассмотрены в последнем разделе. В основе количественных теорий ионообменной кинетики лежит диффузия ионов, при которой электрическое поле играет роль механизма, сохраняющего эяектронейтраль-ность. [c.283]

В двухплечих фотоколорйметрах измерение производится по методу компенсации электрического тока от одного фотоэлемента током другого. При этом компенсация может быть либо оптической, либо электрической (см. дальше). [c.475]

В случае гриммовских смешанных кристаллов нового рода нельзя представить себе замещения ион за ион, так как их компоненты составлены из ионов с различным зарядом. В кристаллической решетке ВаЗО нельзя на место любого иона Ва" поставить ион К или на место любого иона 50" ион МпО. Кристаллическая решетка при этом оказалась бы нарушенной, так как компенсация электрических зарядов в пределах данного участка решетки уже не имела бы места. Смешанные кристаллы нового рода отличаются от истинных смешанных кристаллов прежде всего по формальному признаку. В истинных смешанных кристаллах, составленных из ионов АВ и А В, соотношение А В и А В может быть любым, а в смешанных кристаллах нового рода оно всегда должно быть равно стехиометрическому соотношению. Гримм первоначально предполагал, что в смешанных кристаллах нового рода происходит замещение молекулы за молекулу , т. е. на соседних узлах кристаллической решетки ионы Ва" и 50 , одновременно замещаются ионами К и МпО . Возможность подобного замещения с точки зрения стабильности решетки никем до сих пор теоретически доказана не была. Экспериментальные данные Хлопина к Никитина [ ] показывают, однако, что замещение здесь происходит более сложным путем. При кристаллизации КМпО из растворов, содержащих большие количества ионов 50 и лишь следы аналога бария-радия, им не удалось получить смешанных кристаллов нового рода. Вероятность одновременного замещения ионами Ка" и 50 и здесь была весьма велика. Они делают вывод, что смешанные кристаллы нового рода составлены из отдельных участков кристаллических решеток обоих компонентов по типу мозаичных или слоистых кристаллов. Эти участки должны быть, однако, весьма малы, так как по рентгенограммам смешанных кристаллов нового рода Вагнер их не обнаружил. Возможность таких субмикроскопических прорастаний обусловливается однотипностью кристаллической структуры у обоих компонентов и сходством межионных расстояний по любому направлению. [c.95]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология