Самозарождение вторичное

Описываемые в этом разделе процессы, характерные для отжига, спекания и рекристаллизации, до некоторой степени наблюдаются также и при исходной кристаллизации. Рассмотренный в разд. 5.1.4 процесс самозарождения в какой-то мере аналогичен рекристаллизации. Вторичная кристаллизация и совершенствование кристаллов обсуждавшиеся в разд. 6.1.6, похожи на отжиг. Наконец, столкновение растущих кристаллов, наблюдаемое при обычной кристаллизации и рассмотренное в разд. 6.1.3, в некоторой степени приводит к спеканию. [c.445]

В этом разделе рассмотрено дополнительное зародьш1еобразова-ние, необходимое для дальнейшего роста кристаллов после образования их первичных зародышей гомогенным или гетерогенным путем или в результате самозарождения (разд. 5.1). Экспериментальные данные, свидетельствующие о росте кристалла посредством образования зародышей на поверхности кристалла, представлены в разд. 5.2.1. Далее рассмотрены принципы вторичного и третичного зародышеобразования (разд. 5.2.2). [c.102]

Более сложная ситуация наблюдается при кристаллизации второго типа. В этом случае значительная часть зародышей, вероятно, разрушается при нагревании до Тз, а число новых зародышей, возникающих спорадически во времени, невелико. Возникающие зародыши имеют сложную форму и стимулируют вторичную кристаллизацию. Такой вывод соответствует микроскопическим наблюдениям, показывающим сложность и гетерогенность монокристаллов. В процессе кристаллизации, вызванной образовавшимися зародышами, участвует большая поверхность роста, поэтому скорость кристаллизации (и п) возрастает очень быстро. С другой стороны, при кристаллизации по второму типу зародышеобразова-ние во время инкубационного периода приводит также к кинетическим кривым, характерным для случая самозарождения (при этом значение п уменьшается до 1,0—1,2) и к образованию регулярных относительно одинаковых по размерам монокристаллов. [c.175]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология