Фоторезист, образование вуали на рисунках в слое

Изображение с наибольшей разностью с четко проработанными краями рисунка получается тогда, когда плотность резко меняется до О при переходе от непрозрачного участка к прозрачному. Однако, к сожалению, из-за явления дифракции, о которой упоминалось в разд. ЗА, 2), такую резкость достигнуть практически невозможно. Размывание непрозрачных областей в с.межных участках в значительной мере усиливается за счет рассеивания света, особенно в том случае, когда сфокусированное изображение пропечатывается на сравнительно толстом слое серебряной эмульсии. Следовательно, переход от непрозрачного участка к прозрачному является плавным, а на фотошаблонах с довольно близко расположенными линия.ми на этом месте возможно образование вуали, т. е. области, содержащей малое количество серебра по всему промежутку между отдельными линиями. Когда имеет место явление образования вуали, то последующая проработка фоторезиста через такой фотошаблон очень критична, а иногда недостаток, вносимый этой вуалью, практически устранить невозможно. Различие оптической плотности, образованной в проработанных участках, преднамеренно или непреднамеренно называют контрастностью фотошабло- [c.584]

Тщательное регулирование установки для экспонирования должно выполняться посредством тестовых рисунков [32]. Чтобы обеспечить воспроизводимость, энергопитание источника света должно быть тщательно отрегулировано. Для получения хорошей четкости тонких линий интенсивность излучения при экспонировании не должна отклоняться от оптимального вначения больше чем на 5—10% [65]. Следовательно, интенсивность излучения по всей поверхности подложки должна либо регулироваться непрерывно, либо проверяться периодически. Несмотря на то, что фоторезисты позволяют изменять экспозицию в широких пределах, явления дифракции, влияющие на качество фотошаблонов, вызывают необходимость поддерживать упомянутую выше точность. Передержка, например, приводит к образованию в слое фоторезиста поперечных связей на некоторых участках под защитным рельефом фоторезиста, вне зоны максимальной плотности. Расширение экспонированных участков под слой рельефа производится также и за счет диффузии рассеянного света в слое фоторезиста из-зя отражения от поверхности пленки или подложки, находящейся под ней. В результате этих явлений линии расширяются, иногда на величину до 2,5 мкм. С другой стороны, недодержка приводит к образованию более опасных дефектов, чем те, к которым приводит образование поперечных связей При проявлении изображения может быть вытравлен весь рисунок. В случае позитивных фоторезистов, наоборот, недостаточно экспоин-роваиный pH ynoiK целиком остается под вуалью нерастворенного полимера. Эти выводы также указывают на то, что продолжительность оптимальной выдержки зависит от толщины. [c.601]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология